元素104の英語

本発明は基板上に設けられた結晶構造を有する第１の半導体膜１０４上にバリア層１０５と、希ガス元素を含む第２の半導体膜１０６とを形成し、第１の半導体膜１０４に含まれる金属元素を加熱処理によりバリア層１０５を通過させて前記第２の半導体膜１０６に移動させるゲッタリングを行う。例文帳に追加

The method for removing the metal element comprises the steps of forming a barrier layer 105 on a first semiconductor film 104 having a crystal structure provided on a substrate and a second semiconductor film 106 including a rare gas element, passing the metal element included in the film 104 through the layer 105 by heat treating, and conducting gettering for moving the element to the film 106. - 特許庁

本発明は、非晶質半導体膜１０２の形成時、または形成後において膜中に希ガス元素、代表的にはアルゴンを含ませて結晶化させることによって半導体膜１０４の配向率を高め、且つ、結晶化前と比較して結晶化後の半導体膜１０４中に存在する歪みを緩和させる。例文帳に追加

The orientation rate of a semiconductor film 104 is enhanced by adding a rare gas element, typically argon, into an amorphous semiconductor film 102 during or after formation thereof thereby crystallizing the amorphous semiconductor film, and strain existing in the crystallized semiconductor film 104 is relaxed as compared with that before crystallization. - 特許庁

この半導体装置の製造方法は、絶縁基板１０１上に形成された非晶質ケイ素膜１０３にその結晶化を促進する触媒元素ニッケル１０４を導入し、加熱処理によって結晶成長させた。例文帳に追加

In the method of manufacturing the semiconductor device, catalyst element nickel 104 is introduced into an amorphous silicon film 103 formed on an insulation substrate 101 to accelerate crystallization, and the crystallization is performed by heat treatment. - 特許庁

第１領域１０２と、第２領域１０３と、第３領域１０４とは、互いに同じ金属元素を含むので、互いの境界に形成される障壁を安定にできる。例文帳に追加

Since the first region 102, the second region 103, and the third region 104 contain the same metal element each other; it is made possible to stabilize barriers formed in the mutual boundaries. - 特許庁

入射側スラブ導波路コア１０３と、複数のアレイ導波路コア１０５と、出射側スラブ導波路コア１０４とは、屈折率が約１．５１のＳｉＯＮから構成され、かつ、Ｅｒなどの希土類元素が添加されている。例文帳に追加

The incident side slab waveguide core 103, a plurality of array waveguide cores 105 and the emission side slab waveguide core 104 comprise SiON with a refractive index of about 1.51, and moreover rare earth elements such as Er are added. - 特許庁

この半導体装置は、絶縁基板１０１上に形成された非晶質ケイ素膜１０３にその結晶化を促進する触媒元素ニッケル１０４を導入し、加熱処理によって結晶成長させた。例文帳に追加

This semiconductor device is manufactured through a method wherein nickel 104 as a catalytic element is introduced into an amorphous silicon film 103 formed on an insulating board 101 to promote its crystallization, and crystals are grown in the amorphous silicon film 103 through a thermal treatment. - 特許庁

急冷凝固工程において、冷却速度を１０^2Ｋ／秒以上１０^4Ｋ／秒以下の範囲内に制御することによって合金組織を均一微細化し、添加元素Ｍを均一に分散する。例文帳に追加

Cooling rate is controlled to 102 to 104 K/s in the rapid solidification stage to uniformly refine the alloy structure and uniformly disperse the additive elements M. - 特許庁

本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、（ａ）基板１０１の上に非晶質半導体膜１０４を形成する工程と、（ｂ）非晶質半導体膜１０４に結晶化を促進する触媒元素１０６を付与する工程と、（ｃ）Ａｒガスを含む雰囲気下で加熱することによって非晶質半導体膜１０４を結晶化し、結晶質半導体膜１０４ｂを得る工程とを包含する。例文帳に追加

The method of manufacturing the crystalline semiconductor film includes (a) a step of forming an amorphous semiconductor film 104 on a substrate 101, (b) a step of giving a catalyst element 106 for expediting to crystallize the amorphous semiconductor film 104, and (c) a step of crystallizing the amorphous semiconductor film 104 by heating in an atmosphere containing Ar gas to obtain a crystalline semiconductor film 104b. - 特許庁