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内部導体系の英語
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英訳・英語 internal conductor system
「内部導体系」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 65件
内部導体、該内部導体を被覆する内部絶縁層、該内部絶縁層の外側に位置する外部導体、及び該外部導体を被覆する外部絶縁層を有する同軸線であって、前記内部絶縁層、前記外部絶縁層のいずれか一方または両方が、エチレン系アイオノマー樹脂と有機化クレーを含有するアイオノマー樹脂組成物からなることを特徴とする同軸線。例文帳に追加
The coaxial cable includes an inner conductor, an internal insulating layer covering the inner conductor, an outer conductor located outside the internal insulating layer, and an external insulating layer covering the outer conductor wherein one or both the internal insulating layer and the external insulating layer may be constituted of ionomer resin compositions which contain ethylene-based ionomer resins and organized clay. - 特許庁
半導体集積回路１用の電源系パッド４，５と該半導体集積回路１内に配線される内部電源系配線２，３との間にインピーダンス素子Ｚ１，Ｚ２を接続した。例文帳に追加
Impedance elements Z1 and Z2 are connected between power source system pads 4 and 5 for a semiconductor integrated circuit 1 and internal power source system wiring 2 and 3 wired inside the semiconductor integrated circuit 1. - 特許庁
有機半導体層の上面、下面、又はその両面に有機系材質層を形成し、或いは前記有機半導体層の内部に有機系材質部材を混合する。例文帳に追加
An organic material layer is formed on the upper and/or lower surface of an organic semiconductor layer, or an organic material member is mixed into the organic semiconductor layer. - 特許庁
しきい値電流が低い、狭ストライプ型の内部電流狭窄構造を有するＧａＡｓ系半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加
To provide a GaAs semiconductor laser device having the narrow stripe type internal current narrowing structure of low threshold current. - 特許庁
半導体装置内部に時間基準信号を分配する複数の分配系間において、クロックスキューを低減する。例文帳に追加
To reduce clock skew in a plurality of allocation systems which allocate time reference signal inside a semiconductor device. - 特許庁
内部回路領域に複数の電源系統を持つ半導体集積回路に関してチップ面積の小さいレイアウトを生成することを可能にする。例文帳に追加
To generate a layout of small chip area with respect to a semiconductor integrated circuit having a plurality of power source systems in an internal circuit region. - 特許庁
内部応力を制御することで、高温および高光出力動作においても長寿命化が可能なGaN系半導体レーザを提供すること。例文帳に追加
To provide a GaN-based semiconductor laser capable of achieving long lifetime at high temperature and in high light output operation by controlling internal stress. - 特許庁
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「内部導体系」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 65件
截形グリア細胞系由来神経栄養因子（ＧＤＮＦ）タンパク質産物並びにその付加、置換及び内部欠失変異体及び誘導体。例文帳に追加
The truncated glial cell line-derived neurotrophic factor (GDNF) protein products, addition, substitution and internal deletion variants and derivatives thereof are provided. - 特許庁
半導体素子の表面中央部の電源系電極が貫通ビアを介し基板の内部接続端子へ接続される。例文帳に追加
The power supply system electrode at the center of the front face of the semiconductor element is connected with the internal connection terminal of the substrate via the through via. - 特許庁
２系統の電源の高電源電圧系または低高電源電圧系の一方の系で電源供給の不足や動作不安定が生じても、システムＬＳＩ等の半導体集積回路の内部の種々の問題を回避すること。例文帳に追加
To avoid various problems in an inside of a semiconductor integrated circuit such as a system LSI, even when deficient power source supply and an unstable operation occur in one system out of two lines of power sources comprising a high source voltage system and a low source voltage system. - 特許庁
内部導体１と、内部導体１の外周に形成された絶縁体２と、絶縁体２の周囲に形成された外部導体３と、外部導体３の周囲に形成されたシース４とを有する車両用ノンハロゲンジャンパ線１０において、絶縁体２がポリメチルペンテン、シース４がポリオレフィン系エラストマーで構成されるものである。例文帳に追加
A vehicular non-halogen jumper wire 10 includes: an inner conductor 1; an insulator 2 formed on the outer periphery of the inner conductor 1; an outer conductor 3 formed around the insulator 2; and a sheath 4 formed around the outer conductor 3, the insulator 2 is composed of polymethylpentene, and the sheath 4 is composed of polyolefin elastomer. - 特許庁
積層型半導体セラミック電子部品１０は、チタン酸バリウム系の半導体セラミック層１４と内部電極層１６と外部電極１８ａおよび１８ｂとで構成される。例文帳に追加
A laminated type semiconductor ceramic electronic component 10 consists of barium titanate based semiconductor ceramic layers 14, inner electrode layers 16 and outer electrodes 18a and 18b. - 特許庁
テストベクタを用いて半導体集積回路の論理的振舞をシミュレーションし、シミュレーション中の半導体集積回路の一部またはすべての入力信号と出力信号と内部状態の時系列変化Ａを保存する。例文帳に追加
Logical behaviors of semiconductor integrated circuits are simulated through the use of test vectors, and part or all input signals, output signals, and time-series variations A of internal state of the semiconductor integrated circuits during simulation are stored. - 特許庁
異なる複数の負荷系統へ電力を供給する電力供給装置３０の内部に、半導体ヒューズとして用いられる半導体スイッチ素子１００ａ〜１００ｄが設けられる。例文帳に追加
In a power supply 30 for supplying power to a plurality of different load systems, semiconductor switch elements 100a-100d being used as semiconductor fuses are arranged. - 特許庁
制御系基板２５で制御される電力用半導体装置が、開口部を有するケース部と、ケース部の開口部を閉じる蓋部２０とからなる筐体と、筐体の内部に配置された電力用半導体素子とを含む。例文帳に追加
The semiconductor device for electric power which is controlled by the control substrate 25 comprises the housing composed of a case having an opening and a lid 20 for closing the opening of the case, and a semiconductor element for electric power located in the housing. - 特許庁
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