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内部導体系の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 65



例文

内部導体、該内部導体を被覆する内部絶縁層、該内部絶縁層の外側に位置する外部導体、及び該外部導体を被覆する外部絶縁層を有する同軸線であって、前記内部絶縁層、前記外部絶縁層のいずれか一方または両方が、エチレンアイオノマー樹脂と有機化クレーを含有するアイオノマー樹脂組成物からなることを特徴とする同軸線。例文帳に追加

The coaxial cable includes an inner conductor, an internal insulating layer covering the inner conductor, an outer conductor located outside the internal insulating layer, and an external insulating layer covering the outer conductor wherein one or both the internal insulating layer and the external insulating layer may be constituted of ionomer resin compositions which contain ethylene-based ionomer resins and organized clay. - 特許庁

導体集積回路1用の電源パッド4,5と該半導体集積回路1内に配線される内部電源配線2,3との間にインピーダンス素子Z1,Z2を接続した。例文帳に追加

Impedance elements Z1 and Z2 are connected between power source system pads 4 and 5 for a semiconductor integrated circuit 1 and internal power source system wiring 2 and 3 wired inside the semiconductor integrated circuit 1. - 特許庁

有機半導体層の上面、下面、又はその両面に有機材質層を形成し、或いは前記有機半導体層の内部に有機材質部材を混合する。例文帳に追加

An organic material layer is formed on the upper and/or lower surface of an organic semiconductor layer, or an organic material member is mixed into the organic semiconductor layer. - 特許庁

しきい値電流が低い、狭ストライプ型の内部電流狭窄構造を有するGaAs導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a GaAs semiconductor laser device having the narrow stripe type internal current narrowing structure of low threshold current. - 特許庁

例文

導体装置内部に時間基準信号を分配する複数の分配間において、クロックスキューを低減する。例文帳に追加

To reduce clock skew in a plurality of allocation systems which allocate time reference signal inside a semiconductor device. - 特許庁


例文

内部回路領域に複数の電源統を持つ半導体集積回路に関してチップ面積の小さいレイアウトを生成することを可能にする。例文帳に追加

To generate a layout of small chip area with respect to a semiconductor integrated circuit having a plurality of power source systems in an internal circuit region. - 特許庁

内部応力を制御することで、高温および高光出力動作においても長寿命化が可能なGaN導体レーザを提供すること。例文帳に追加

To provide a GaN-based semiconductor laser capable of achieving long lifetime at high temperature and in high light output operation by controlling internal stress. - 特許庁

截形グリア細胞由来神経栄養因子(GDNF)タンパク質産物並びにその付加、置換及び内部欠失変異体及び誘導体例文帳に追加

The truncated glial cell line-derived neurotrophic factor (GDNF) protein products, addition, substitution and internal deletion variants and derivatives thereof are provided. - 特許庁

導体素子の表面中央部の電源電極が貫通ビアを介し基板の内部接続端子へ接続される。例文帳に追加

The power supply system electrode at the center of the front face of the semiconductor element is connected with the internal connection terminal of the substrate via the through via. - 特許庁

例文

統の電源の高電源電圧または低高電源電圧の一方ので電源供給の不足や動作不安定が生じても、システムLSI等の半導体集積回路の内部の種々の問題を回避すること。例文帳に追加

To avoid various problems in an inside of a semiconductor integrated circuit such as a system LSI, even when deficient power source supply and an unstable operation occur in one system out of two lines of power sources comprising a high source voltage system and a low source voltage system. - 特許庁

例文

内部導体1と、内部導体1の外周に形成された絶縁体2と、絶縁体2の周囲に形成された外部導体3と、外部導体3の周囲に形成されたシース4とを有する車両用ノンハロゲンジャンパ線10において、絶縁体2がポリメチルペンテン、シース4がポリオレフィンエラストマーで構成されるものである。例文帳に追加

A vehicular non-halogen jumper wire 10 includes: an inner conductor 1; an insulator 2 formed on the outer periphery of the inner conductor 1; an outer conductor 3 formed around the insulator 2; and a sheath 4 formed around the outer conductor 3, the insulator 2 is composed of polymethylpentene, and the sheath 4 is composed of polyolefin elastomer. - 特許庁

積層型半導体セラミック電子部品10は、チタン酸バリウムの半導体セラミック層14と内部電極層16と外部電極18aおよび18bとで構成される。例文帳に追加

A laminated type semiconductor ceramic electronic component 10 consists of barium titanate based semiconductor ceramic layers 14, inner electrode layers 16 and outer electrodes 18a and 18b. - 特許庁

テストベクタを用いて半導体集積回路の論理的振舞をシミュレーションし、シミュレーション中の半導体集積回路の一部またはすべての入力信号と出力信号と内部状態の時列変化Aを保存する。例文帳に追加

Logical behaviors of semiconductor integrated circuits are simulated through the use of test vectors, and part or all input signals, output signals, and time-series variations A of internal state of the semiconductor integrated circuits during simulation are stored. - 特許庁

異なる複数の負荷統へ電力を供給する電力供給装置30の内部に、半導体ヒューズとして用いられる半導体スイッチ素子100a〜100dが設けられる。例文帳に追加

In a power supply 30 for supplying power to a plurality of different load systems, semiconductor switch elements 100a-100d being used as semiconductor fuses are arranged. - 特許庁

制御基板25で制御される電力用半導体装置が、開口部を有するケース部と、ケース部の開口部を閉じる蓋部20とからなる筐体と、筐体の内部に配置された電力用半導体素子とを含む。例文帳に追加

The semiconductor device for electric power which is controlled by the control substrate 25 comprises the housing composed of a case having an opening and a lid 20 for closing the opening of the case, and a semiconductor element for electric power located in the housing. - 特許庁

内部電極16が形成されたコンデンサ素子1と、外部接続用電極20と、内部電極16と外部接続用電極20との間を電気的に接続するとともに、ヒューズとしての機能を有する導体4と、を備えたコンデンサXにおいて、導体4をAg−Sn合金により構成した。例文帳に追加

The capacitor X is provided with a capacitor element 1 constituted of an internal electrode 16, an electrode 20 for external connection, and a conductor 4, which electrically connects the electrode 16 to the electrode 20 and functions as a fuse. - 特許庁

積層セラミック電子部品の内部導体としてNiを用いた場合に、大気雰囲気で焼き付けても内部導体のNi表面の酸化を抑制し、Niとの良好な接合が得られる、Agの端子電極用導電性ペーストを提供する。例文帳に追加

To provide Ag-based conductive paste for terminal electrode wherein the oxidization of Ni surface of an internal conductor is suppressed and an appropriate joint with Ni can be obtained even when the paste is baked in the atmosphere, in the case that Ni is used as an internal conductor of a laminated ceramic electronic part. - 特許庁

インダクタンス素子として機能する内部導体が埋設され樹脂の磁性体材料成形体に、めっきにより外部電極を形成してなるインダクタであって、内部導体と外部電極の接続信頼性の高いインダクタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inductor which is high in reliability of connection between an inner conductor and an outer electrode and its manufacturing method, where the inner electrode functioning as an inductance element is buried in a resin magnetic material molded body, and an outer electrode is formed on the molded body by plating for the formation of the inductor. - 特許庁

紫外線発光の III族窒化物化合物半導体発光素子において、内部量子効率を向上させ、素子内部の応力を緩和して転位やクラックの発生を防止又は抑制する。例文帳に追加

To obtain a group III nitride-based compound semiconductor light emitting element for emitting UV-rays in which internal quantum efficiency is enhanced and the occurrence of dislocation or crack is prevented or suppressed by relaxing stress in the element. - 特許庁

積層電子部品の内部電極用導体ペーストにおいて、樹脂バインダとして、エチルセルロース樹脂と、ブチラール樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ロジンおよびロジン誘導体から選択される少なくとも1種の樹脂と、を配合比率が重量比で95:5〜60:40の範囲になるように併用することを特徴とする内部電極用導体ペースト。例文帳に追加

In the conductor paste for the internal electrode of the laminated electronic component, an ethyl cellulose resin and at least one of resin selected from a butyral resin, an epoxy resin, a phenol resin, an acrylic resin, a rosin and a rosin derivative are jointly used, as a resin binder, such that a compounding ratio will be in the range of 95:5 to 60:40 in terms of weight ratio. - 特許庁

積層基板200の内部において、領域250,260の間には、グランドに接続され、受信ダイプレクサと送信ダイプレクサとを電磁気的に分離する導体部270が設けられている。例文帳に追加

A conductor part 270 connected to ground for electromagnetically isolating the reception system diplexer from the transmission system diplexer is provided between the regions 250, 260 inside the lamination board 200. - 特許庁

回路構成を簡素化すると共に、内部電源と出力電源が混在しない表示用の駆動回路を備えた半導体集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit having a simplified circuit constitution and a display driving circuit in which an internal power supply system and an output power supply system do not coexist. - 特許庁

プラズマ処理室11は、少なくとも放電ガスの供給16及び排気17に繋がり、内部に半導体ウェハ、ガラス基板などの被処理基板10を収容する載置台12を有する。例文帳に追加

A plasma treatment chamber 11 is connected at least to systems 16 and 17 for supplying and exhausting a discharge gas, respectively, and has a placement table 12 for accommodating a substrate 10 to be treated, such as a semiconductor wafer and a glass substrate inside. - 特許庁

処理チャンバ10は、内部に半導体ウェハ、ガラス基板など基板Wafを保持するアノード側のサセプタ11を配し、少なくとも放電ガスの供給12及び排気13が繋がる。例文帳に追加

In a processing chamber, there is arranged inside a susceptor 11 on the anode side for holding a substrate Waf such as a semiconductor wafer and a glass substrate, with at least a feeding system 12 and an exhaust system 13 of a discharge gas connected to it. - 特許庁

前記ケーブル支持装置は、例えば内部に1又は複数の導体がそれぞれ装填されたバスダクトが少なくとも2統など複数統で並列配置された電気幹線路に於いて設けられる。例文帳に追加

The cable support apparatus can be used in an electric main line in which, for instance, a plurality of (at least two) systems of bus-ducts comprising respectively one or a plurality of conductors are arranged in parallel with each other. - 特許庁

ベンゼンスルホン酸誘導体によりスルホン化処理するに際して、極限粘度が0.2以上、1.0dl/g以下のオレフィン樹脂製繊維を前記ベンゼンスルホン酸誘導体溶液に常温付近で予め浸漬し、オレフィン樹脂製繊維内にベンゼンスルホン酸誘導体を浸透させた後、加熱スルホン化処理することにより、樹脂内部にスルホン基が存在するセパレータが得られる。例文帳に追加

In applying a sulfonation treatment with a benzene sulfonic acid derivative, an olefinic resin is dipped beforehand in benzene sulfonic acid of limit viscosity of 0.2 or more and 1.0 dl/g or less at around normal temperature, and the benzene sulfonic acid derivative is impregnated in the olefinic resin fibers, and then, heated and subjected to sulfonation treatment, thus giving birth to a separator with sulfo group existing in the resin. - 特許庁

導体製造装置の内部や、半導体製造装置のガス給排気に配設されている排気バルブあるいは半導体製造装置やガス給排気に配設されている圧力制御バルブなど複雑な構造部分に付着している付着物を安全に取り除く汚染表面清掃技術を提供する。例文帳に追加

To provide a contaminated surface cleaning technique for safely removing deposit stuck to complicated structure parts such as the inside of a semiconductor manufacturing device, an exhaust valve disposed in the gas supply/discharge system of the semiconductor manufacturing device or a pressure control valve disposed in the semiconductor manufacturing device or the gas supply, discharge system. - 特許庁

内部導体、その上に被覆される誘電体およびその外部に設けられる外部導体からなる同軸ケーブルにおいて、前記誘電体は芳香族第二級アミン酸化防止剤を含有する架橋ポリエチレンからなる架橋ポリエチレン同軸ケーブルとすることによって、解決される。例文帳に追加

Of the bridged polyethylene coaxial cable consisting of an inner conductor, a dielectric coated on it, and an outer conductor fitted at the outside, the dielectric consists of bridged polyethylene containing an aromatic secondary amine group antioxidant. - 特許庁

BaO、希土類酸化物及びTiO_2が主成分として含有された組成であっても、Ag又はAgを主成分とする合金等の導体内部導体として確実に使用できるように、低温での焼結性をより安定・確実なものとした誘電体磁器組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a dielectric porcelain composition which comprises, as main components thereof, BaO, a rare earth oxide and TiO_2, and which can be stably and surely sintered at a temperature which is low sufficient to secure the use of a conductor such as Ag or an alloy containing Ag as a main component as an inner conductor. - 特許庁

本発明の半導体封止材料は、半導体を封止するための封止材料であって、厚さ1mm、波長588nmにおける内部透過率が80%以上であり、且つ、400℃以下の軟化点を有するSnO−P_2O_5−B_2O_3ガラスからなることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor sealing material is for sealing a semiconductor, the internal transmission factor at a thickness of 1 mm and a wavelength 588 nm is 80% or more, and is made up of an SnO-P_2O_5-B_2O_3 of a softening poit 400°C or lower. - 特許庁

相対的に高い電源電圧及び相対的に低い電源電圧からなる2統の内部電源電圧を持つ半導体装置に対して低消費電力化及び動作の高速化を実現できるようにする。例文帳に追加

To reduce consumption power and improve operation speed for a semiconductor device having two system internal power source voltages composed of a relatively high power source voltage and a relatively low power source voltage. - 特許庁

測定における浮遊容量等の影響を受けずに、内部回路の遅延時間又は動作速度を所望のタイミングで試験することができる半導体集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit capable of testing at desired timing a delay time or an operation speed of an internal circuit without being affected by a floating capacity or the like in a measuring system. - 特許庁

ビット幅が異なる2統の入出力ポートを併設し、内部回路とのデータ転送と外部とのデータ転送の両方を同時に実行可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device equipped with two types of I/O ports different in bit width, and capable of simultaneously performing both of data transfer with an internal circuit and data transfer with the outside. - 特許庁

装置内部のタイミング信号発生統の構成を変更することなく、非同期形DUTの試験も行える半導体試験装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor tester which can perform a test on even an asynchronous DUT without changing the configuration of a timing signal generation system within the tester. - 特許庁

内輪1と外輪2と密封装置5,5とで囲まれた軸受内部空間内には、アミノ酸化合物又はベンジリデンソルビトール誘導体で基油をゲル化してなる潤滑剤Gが配されている。例文帳に追加

The lubricant G which is obtained by forming base oil into a gel by using an amino-acid system compound or a benzylidene sorbitol dielectric is arranged in an internal space of the bearing which is surrounded by the inner ring 1, the outer ring 2, and the sealing devices 5, 5. - 特許庁

ウエハー基板1上に、窒化物導体からなりかつ下部電極形成用のコンタクト層S1を少なくとも内部に有する積層体Sを形成し、各素子部の外周を取り巻く区画溝2を形成する。例文帳に追加

On a wafer substrate 1, a laminated body S, which is composed of a nitride semiconductor and has at least a contact layer S1 for forming a lower electrode inside, is formed, and isolation trenches 2 surrounding the circumference of each element are formed. - 特許庁

本発明は、内部応力を制御することで、高温および高光出力動作においても長寿命化が可能なGaN導体レーザを提供すること。例文帳に追加

To provide a GaN-based semiconductor laser wherein, even when operating it in the state of a high temperature and a high optical output, the lengthening of its life time is made possible by controlling its inside stress. - 特許庁

導体基板などを紫外光処理する際に生成する炭素物質の処理室内部での固着を低減し、長期にわたって安定した処理特性と良好な製品歩留りを実現できるようにする。例文帳に追加

To reduce a carbon-based material deposited inside of a processing chamber which is produced during a ultra-violet processing of a semiconductor substrate, and to attain processing properties of long-term stability and a good yield of products. - 特許庁

導体製造装置1およびそれにつながるガス給排気内部壁面部分を、多関節型に形成したアーム12部分の先端部に清掃具14を装着してなる清掃ロボット2で清掃するようにした。例文帳に追加

The internal wall surface part of the semiconductor manufacturing device 1 and the gas supply/discharge system connected thereto is cleaned by a cleaning robot 2, in which a cleaning implement 14 is mounted on the distal end of an arm 12 part formed into a multi-joint type. - 特許庁

低温焼成セラミックスの表面およびまたは内部に銀の電極導体を有し、該低温焼成セラミックスには外部と閉ざされた閉気孔を有し、この閉気孔の内部の全体およびまたは一部に銀が金属の状態で存在することを特徴とする。例文帳に追加

In the ceramic electronic parts, silver-based electrode conductors are provided on the surface of the low-temperature baked ceramic or therewithin, closed air pores externally closed are provided in the low-temperature baked ceramic, and silver is present in the entire interior of the closed air pores or part thereof in a metallic state. - 特許庁

導体レーザと、内面が拡散反射状に形成され、上記半導体レーザからの光を内部に導入する開口部を有し、かつ冷却媒体通路を設けた集光器と、上記集光器内に配置され、上記半導体レーザの光により励起された活性媒質を含む固体素子と、この励起された固体素子からレーザ光を取り出すレーザ光学とを備えた。例文帳に追加

The solid state laser comprises a semiconductor laser, a condenser having a diffuse reflection inner surface and an opening for introducing light from the semiconductor laser and is provided with a cooling medium passage, a solid state element disposed in the condenser and containing an active medium pumped by the light from the semiconductor laser, and a laser optical system for extracting laser light from the pumped solid state element. - 特許庁

導体製膜装置、特にシリコン薄膜製膜装置の内部のトレイ、キャリア、電極部等の部品に付着した半導体膜を、その部品の面を変形させる力が加わらないように洗浄を行う方法、ならびに、メンテナンス性の良い半導体製膜装置の部品洗浄装置を提供すること例文帳に追加

To provide a method for cleaning out a semiconductor film adhering to parts, such as a tray, a carrier and an electrode part, inside a semiconductor film deposition system, particularly a silicon type thin film deposition system, while preventing the application of forces causing deformation to the surface of the parts and also to provide parts cleaning equipment for a semiconductor film deposition system, excellent in maintenance property. - 特許庁

(A)マイクロカプセル型硬化剤、(B)エポキシ樹脂および(C)有機溶剤可溶性ポリイミドを含有する半導体用絶縁性接着剤であって、半導体用絶縁性接着剤のDSCにより測定した反応ピーク温度が170〜200℃であり、(A)マイクロカプセル型硬化剤のマイクロカプセル内部にアミン硬化剤の粒子を有することを特徴とする半導体用絶縁性接着剤。例文帳に追加

The insulation adhesive for a semiconductor includes: (A) a microcapsule type curing agent; (B) an epoxy resin; (C) an organic solvent soluble polyimide, wherein the reaction peak temperature of the insulation adhesive for a semiconductor measured by a DSC is 170-200°C, and the microcapsule inside of (A) the microcapsule type curing agent includes particles of the amine-based curing agent. - 特許庁

素子内部の金属導体(23,27)上の絶縁層(24、26,28)をノボラック樹脂からなる絶縁層で形成し、これを覆って、素子表面に露出する絶縁層(30)としてポリイミド樹脂からなる絶縁層を用いる。例文帳に追加

Insulating layers (24, 26 and 28) on metallic conductors (23 and 27) inside of the element are formed of insulating layers consisting of the novolak-based resin, and an insulating layer consisting of the polyimide-based resin is used as an insulating layer (30) covering them and exposed to the surface of the element. - 特許庁

アンテナ給電回路はSi基板1と、Si基板1内部あるいは表面に一体に形成された高周波半導体集積回路2,3およびデジタル集積回路4と、システム化集積回路11と、誘電体多層基板24とを備えている。例文帳に追加

The antenna freeder circuit is provided with a Si group substrate 1, high frequency semiconductor integrated circuits 2, 3 and a digital integrated circuit 4 that are formed integrally inside or on the surface of the Si group substrate 1, a system processing integrated circuit 11 and a dielectric multi-layer board 24. - 特許庁

ガラス成分とセラミック成分とから成る複数の誘電体層1a〜1e間にAg内部配線2を、誘電体層1a〜1eに厚みを貫くスルーホール導体3を配置して成る回路基板10において、スルーホール導体3となる導電性ペースト中のAg粉末表面がMgでコートされている。例文帳に追加

In the circuit board 10 where Ag-based inner wiring 2 and a through hole conductor 3 that penetrates the thickness are arranged between a plurality of dielectric layers 1a-1e made of glass and ceramic constituents, and at the dielectric layers 1a-1e, respectively, the surface of Ag powder in conductive paste that becomes the through hole conductor 3 is coated with Mg. - 特許庁

緻密性及びセラミック素体との接着強度に優れ、めっき付き性や半田付け性が良好で、ニッケル内部電極との導通も良好な積層セラミック部品端子電極を形成し、信頼性の高い積層セラミック部品の製造を可能とする導体ペーストを提供する。例文帳に追加

To provide a conductive paste which can form a laminated ceramic component terminal electrode having excellent density and adhesive strength with a ceramic element body, favorable plating and soldering properties and favorable conduction with a nickel internal electrode to manufacture a highly reliable laminated ceramic component. - 特許庁

炭素数10以上の脂肪族または脂環族ジカルボン酸またはその誘導体が繊維内部にまで均一に含有してなり、且つその含有量が0.1質量%以上10質量%以下であることを特徴とするポリビニルアルコール繊維。例文帳に追加

The polyvinyl alcohol-based fiber contains ≥10C aliphatic or alicyclic dicarboxylic acid or its derivative uniformly up to the interior of the fiber and has ≥0.1 mass% and ≤10 mass% content of the ≥10C aliphatic or alicyclic dicarboxylic acid or its derivative. - 特許庁

制御信号の統を整理して、不定信号伝播防止回路等の検討漏れの危険性を回避し、さらに、自動化ツールへの搭載へ向けた検討を容易にし、また、チップ内部での電源遮断制御を容易化することができる半導体集積回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device preventing a risk of omission of review of an indefinite signal propagation prevention circuit or the like by organizing the system of a control signal, facilitating review toward mounting on an automation tool, and facilitating power shutdown control in a chip. - 特許庁

例文

GaN導体層を形成させたGa_2O_3基板10をダイシングブレード20で一度に切断せず、段階的に分割することで、ダイシングに起因する内部応力が局所的に集中することによる劈開の発生を防ぐことができる。例文帳に追加

A Ga_2O_3 substrate 10 in which a GaN-based semiconductor substrate is formed is not cut at a time by a dicing blade 20 but is cut in steps, thus preventing the cleavage from being generated due to the local concentration of internal stress caused by dicing. - 特許庁

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