埋め込みビアの英語

埋め込み型チップパッケージ（ＥＣＰ）１０の各々のラミネーションスタックがビア２８をその内部に有する複数の再分配層１４を含む。例文帳に追加

Each lamination stack of an embedded chip package (ECP) 10 includes a plurality of re-distribution layers 14 having vias 28 formed therein. - 特許庁

これによりプローブ電極走査終端付近の強度を向上させ、ビアホール埋め込みプラグ１１３の破壊を防止することが出来る。例文帳に追加

Thus, the strength around the scanning end point of the probe electrodes is improved to prevent the via-hole embedding plugs 113 from being destroyed. - 特許庁

良好なビアホールの埋め込みがなされ、高い配線歩留まりが得られる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which satisfactory filling of a via hole is made so that a high wiring yield is obtained. - 特許庁

プローブ電極検査でのビアホール埋め込みプラグの破壊を防止し、信頼性を向上し、品質歩留まりの良い半導体装置を実現する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with excellent yield and enhanced reliability by preventing via-hole embedding plugs in a probe electrode inspection from being destroyed. - 特許庁

また、埋め込みビアマスク１ａと上層配線マスク６との間に形成される上部塗布層間膜５ａは、流動性のＨＳＱからなる。例文帳に追加

In addition, the upper applied interlayer film 5a formed between the via mask 1a and the wiring mask 6 is composed of fluidal hydrogen silsesquioxane. - 特許庁

層間絶縁膜１２にビアホール１３が形成され、埋め込み配線となるプラグ１４が形成されている。例文帳に追加

A via hole 13 is formed in the interlayer insulating film 12, and a plug 14 becoming an embedded wiring is formed. - 特許庁

このとき、層間絶縁膜のエッチングレートが埋め込み部材のエッチングレートよりも速い条件で、ビアホール内に残っている埋め込み部材の上面と、配線溝の底面との高さの差が、ビアホールの平面形状の最大寸法の１／２以下になるように配線溝を形成する。例文帳に追加

At this time, in a condition that an etching rate of the inter layer insulating film is faster than an etching rate of the burying material, the wiring groove is formed so that a difference of height between the upper surface of the burying material remained in the via hole and the bottom surface of the wiring groove is 1/2 of the maximum dimension of plane figure of the via hole or less. - 特許庁

ここで埋め込み特性の悪い成膜材料例えばＣ_6 Ｆ_6ガスをプラズマ化することにより前記ＣＦ膜の成膜を行うと、ビアホ−ル３１内へのＣＦ膜の埋め込みを抑えながらＳｉＯ_2 膜３の上面にＣＦ膜４を成膜できる。例文帳に追加

When the CF film is deposited by generating plasma of a filming material having bad embedding characteristics, e.g. C6F6 gas, the CF film can be deposited on the upper surface of the SiO2 film 3 while suppressing embedding of the CF film into the via hole 31. - 特許庁