堆積注入の英語

ＧａＡｓ基板７０の上にＷＳｉ膜７１ａを堆積し、マスク７２を用いて、Ｓｉイオンを注入して活性層７４ａを形成する。例文帳に追加

A WSi film 71a is deposited on a GaAs substrate 70, and an Si ion is implanted using a mask 72, to form an active layer 74a. - 特許庁

第２サイドウォール１６ａを選択的に除去した後、ポケット注入領域Ｒpoを形成し、全面保護膜１２を堆積する。例文帳に追加

After the second sidewall 16a is removed selectively, a pocket implantation region Rpo is formed and a protective film 12 is deposited on the entire surface. - 特許庁

続いて、低速（約０〜５０ｒｐｍ）で回転し、蝕刻溶液を注入し、ウエハ表面に堆積させ、蝕刻溶液をウエハ上に留まらせる。例文帳に追加

It is then rotated at a low speed (about 0-50 rpm), and the etching solution is poured and deposited on the wafer surface such that the etching solution remains on the wafer. - 特許庁

透光性のエポキシ製の２次封止材９は、１次封止材８の硬化後に注入されたものであり、堆積層１０は、その注入時に２次封止材９を構成するエポキシ剤の中に混入されていた蛍光体粒子が強制沈降されて非常に薄く高密度に堆積したもの（沈降堆積物）である。例文帳に追加

A secondary sealing material 9 formed of light transmitting epoxy is injected after hardening of the primary sealing material 8 and a deposition layer 10 is formed very thin with higher density by forcible sedimentation (deposition by sedimentation) of phosphor particle mixed in the epoxy agent forming the secondary sealing material 9 during injection of the primary sealing member. - 特許庁

剥離用イオン注入層を付加機能層の堆積工程を挟む２回のイオン注入で形成することにより、付加機能層の膜厚不均一が貼り合わせ半導体薄層の膜厚均一性に影響を及ぼさないようにする。例文帳に追加

To avoid the influence of the thickness ununiformity of an additional function layer on that of a laminated semiconductor thin layer, by forming a peeling ion-implanted layer by twice ion implanting steps before and after a deposition process of the additional function layer. - 特許庁

排煙処理設備の入口煙道６内に注入ノズル８からアンモニア水を注入する際に該ノズル８の後流部のダクト下部壁６ａ上の適切な位置に灰堆積防止用のスートブロワ１０を設置する。例文帳に追加

An ash accumulation preventive soot blower 10 is installed at an appropriate point on the duct lower wall 6a of a rear flow part of the nozzle 8, when injecting ammonia into the inlet flue 6 of a flue gas treatment facility from the injection nozzle 8. - 特許庁

エレクトロルミネセンスデバイスが、アノード層と、溶液ベースの処理技術によりアノード層の上に堆積された正孔注入層とを有し、正孔注入層は少なくとも１つの導電性ドーパントでドープされた架橋可能な正孔注入材料を用いて作成されている。例文帳に追加

The electroluminescence device has an anode layer, and a hole injection layer deposited on the anode layer by a solution-based processing technology, wherein the hole injection layer is created using a crosslinkable hole injection material doped with at least one conductive dopant. - 特許庁

続いて、堆積したポテンシャル低減層１４の電極形成領域に対して燐イオンを選択的にイオン注入し、燐が注入されたポテンシャル低減層１４に対して約１０００℃の温度で熱処理を施して、注入されたｎ型のドーパントを活性化する。例文帳に追加

Further, an electrode formation region of the potential reduction layer 14 deposited is selectively implanted with phosphorus ion, and the potential reduction layer 14 doped with phosphorus is subjected to a heat treatment at a temperature of about 1,000 °C to activate an n-type dopant doped. - 特許庁