実効抵抗の英語

また、電圧温度関係式を用いて基準実効電圧Ｖ_0を設定し、抵抗温度関係式を用いて基準抵抗値Ｒ_0を設定する。例文帳に追加

The GCU sets reference effective voltage V_0 by using a voltage temperature relational expression, and sets a reference resistance value R_0 by using a resistance temperature relational expression. - 特許庁

電流ミラー/カスケード装置構成によって、乗算コンデンサーの実効直列抵抗を低減する。例文帳に追加

A current mirror/cascading device arrangement reduces the effective series resistance of the multiplier capacitor. - 特許庁

得られた金属層は、実質的にボイドが存在せず、固有抵抗が低く、実効ライン幅が大きくなる。例文帳に追加

The resulting metal layer is substantially void free and has reduced resistivity, and has greater effective line width. - 特許庁

さらに、インダクタ電流の実効値よりインダクタの損失抵抗Ｒを求めることができる。例文帳に追加

In addition, the loss resistance R of the inductor can be also determined from an effective value of the inductor current. - 特許庁

抵抗体膜ＴＭを基板上に形成後、その抵抗体膜ＴＭ上にて抵抗素子３１１の実効抵抗部ＪＴに対応する領域の面を被覆し、他の領域の面が露出するように、ハードマスク層Ｍ１を形成する。例文帳に追加

After a resistor film TM is formed on a substrate, the surface of a region corresponding to an effective resistance portion JT of the resistive element 311 on the resistor film TM is covered to form a hard mask layer M1 so as to expose the surface of the other region. - 特許庁

算出すべき論理回路のゲートレベルの特性に応じた実効容量や実効抵抗を用いて、実際の特性との差異を小さくする。例文帳に追加

To reduce the difference from an actual characteristic by using effective capacitance and effective resistance corresponding to the characteristic of a gate level of a logic circuit to be calculated. - 特許庁

エンジンの駆動後、目標抵抗値中間値Ｒ_4及びスワール補正値Ｒ_5から目標抵抗値Ｒ_TARを設定し、基準実効電圧Ｖ_0及び目標抵抗値Ｒ_TARに基づいてグロープラグ１に印加すべき制御実効電圧Ｖ_1を決定する。例文帳に追加

After driving the engine, a target resistance value R_TAR is set from the target resistance value intermediate value R_4 and the swirl correction value R_5, and control effective voltage V_1 to be impressed on the glow plug 1 is determined based on the reference effective voltage V_0 and the target resistance value R_TAR. - 特許庁

メモリセルアレイ内での位置の違いに起因する配線長の違いによる可変抵抗素子に加わる実効電圧の不均一を是正し、メモリセル間の可変抵抗素子の抵抗変化特性のばらつきを抑制することができる半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage apparatus wherein the unevenness of effective voltages applied to variable resistance elements, which is caused by a difference in wire length due to a positional difference in a memory cell array, can be eliminated, thereby suppressing the variation in resistance characteristics of the variable resistance elements between memory cells. - 特許庁