実効放射率の英語

半導体ウェハ３の温度を非接触で計測するため、半導体ウェハ３からの放射光を測定し、放射光の測定結果に基づいて実効放射率を未知変数として推定しながら半導体ウェハ３の温度を演算する。例文帳に追加

In order to measure the temperature of a semiconductor wafer 3 in the noncontact state, radiated light from the semiconductor wafer 3 is measured, and the temperature of a semiconductor wafer 3 is operated, while estimating an effective radiation rate as an unknown variable, based on a measurement result of the radiated light. - 特許庁

誘電体材料または磁性体材料から成る基体２の表面および内部の少なくとも一方に放射電極３を設けて成る表面実装型アンテナ１であって、基体２は実効誘電率の異なる部分２ａ，２ｂを有するとともに、放射電極３はそれら実効誘電率の異なる部分にわたって設けられている。例文帳に追加

The surface mounted antenna 1 is formed by arranging a radiation electrode in at least either of the surface and the inside of a base 2 made of a dielectric material or a magnetic material, wherein the base 2 includes parts 2a, 2b whose effective dielectric constants differ from each other, and the radiation electrode 3 is provided in the parts whose effective dielectric constants differ in a way of bridging over them. - 特許庁

ウエハ温度シミュレーション装置は、素子部被覆率計算部３２と、実効放射率計算部３３と、モデル作成部３４と、熱拡散方程式解法部３５とを具備する。例文帳に追加

The device for simulating wafer temperature includes: an element part coverage calculation part 32; an effective emissivity calculation part 33; a model creation part 34 and a thermal diffusion equation solution part 35. - 特許庁

その際、計測される放射強度Ｉ1，Ｉ2と、求めた実効反射率Ｒ1，Ｒ2とを用いて処理基板Ｗの温度Ｔを算出し、制御部６０は、温度Ｔをもとにランプを制御し、基板Ｗの温度管理を行う。例文帳に追加

Here, a temperature T of the process substrate W is calculated using measured emission intensities I1 and I2 as well as acquired effective reflectivity R1 and R2, and a control part 60 controls a lamp based on the temperature T for temperature-control the substrate W. - 特許庁

そして、回転板５３を回転させて２つの放射温度計ロッド５５に対する反射板１２３の実効反射率を変化させ、それぞれのキャビティ５１１に対向する基板の２つの領域の温度を計測する。例文帳に追加

The rotary plate 53 is rotated to change the effective reflection factor of the reflection plate 123 to the two radiation thermometer rods 55 and the temperature in two regions of the substrate opposite to the two cavities 511 is measured. - 特許庁

そして、その放射強度Ｉ0，Ｉ1およびＩLから処理基板Ｗの反射率ρWを算出し、さらに、反射率ρWから、既に求めたこの種類の処理基板Ｗに対応する変換テーブルを用いて実効反射率Ｒ1，Ｒ2を求める。例文帳に追加

A reflectivity pW of a process substrate W is calculated from the emission intensities I0, I1, and IL, and further, effective reflectivity R1 and R2 are acquired using a conversion table corresponding to this kind of a process substrate W acquired already, from the reflectivity ρW. - 特許庁

光ファイバグレーティング１３に励起光を入射し、希土類イオンの非放射緩和過程で生じる温度上昇によって光ファイバの実効屈折率を変化させ、光ファイバグレーティングの反射波長を変化させる。例文帳に追加

Exciting light is made incident on the optical fiber grating 13, and the reflected wavelength of the optical fiber grating is changed by changing the effective refractive index of the optical fiber through a temperature rise caused in the non-radiative relaxation process of a rare earth ion. - 特許庁