室温蒸着の英語

この真空蒸着は、室温において行うことができる。例文帳に追加

This vacuum deposition can be performed at room temperature. - 特許庁

その上に、基板温度を室温にしてチタニルフタロシアニン膜１０６を蒸着する。例文帳に追加

A titanyl phthalocyanine film 106 is vapor-deposited thereon with substrate temperature set at room temperature. - 特許庁

有機半導体の蒸着膜を構成すべき有機半導体分子を基板に真空蒸着させるに当たり、室温における蒸気圧が１Pa以下であるが有機半導体分子よりも高い蒸気圧を示し、真空蒸着条件下において蒸発又は昇華すると共に加熱された基板上において揮発性を示す不活性分子を共蒸発物として用いる真空蒸着成膜方法。例文帳に追加

The film formation method by vacuum deposition uses, as a concurrently evaporating substance, an inactive molecule which has vapor pressure of 1 Pa or less at room temperature but shows higher vapor pressure than that of an organic semiconductor molecule, evaporates or sublimes under the vacuum deposition condition, and exhibits volatility on a heated substrate, when vacuum-depositing the organic semiconductor molecule constituting the vapor deposition film of the organic semiconductor on the substrate. - 特許庁

Ｍｇ合金基板の温度を室温から３５０℃に保ちつつ、１×１０^-1から１×１０^-3Ｐａの真空雰囲気にて、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｂのいずれか１種のターゲットを真空蒸着法により基板表面に蒸着させて作成する。例文帳に追加

This manufacturing method includes depositing either one of targets selected amoug Al, Ti, Mg, Cu, Ag, Au, Zn, Sn and B, on a substrate surface with a vacuum deposition method, under vacuum atmosphere of 1×10^-1 to 1×10^-3 Pa, while keeping the temperature of the Mg alloy substrate at room temperature to 350°C. - 特許庁

サファイア基板上にＡｌＮバッファ層を介してＧａＮ層及びＭｇを添加した積層体（「ＧａＮ」基板をいう。）上に金属（Ｐｔ及びＮｉ）電極５０ｎｍを、▲１▼ＧａＮ基板温度を３００℃に加熱した後に蒸着、▲２▼ＧａＮ基板を室温にて蒸着した。例文帳に追加

On a multilayered body (referred to a "GaN" substrate) produced by forming a GaN layer on a sapphire substrate through an AlN buffer layer and adding Mg, a metal (Pt and Ni) electrode 50 nm is (1) deposited after heating the GaN substrate at 300°C, (2) the GaN substrate is deposited at room temperature, or (3). - 特許庁

本発明の化合物は、融点やガラス転移温度が高く、その蒸着等により成膜される薄膜は、透明で室温以上でも安定なアモルファス状態を形成し、平滑で良好な膜質を示す。例文帳に追加

Compounds used by this invention have high melting point and glass transition temperature, and thin films formed by deposition etc are transparent and form stable amorphous state even at a temperature higher than room temperature presenting smooth and good film quality. - 特許庁

本発明の化合物は、融点やガラス転移温度が高く、その蒸着等により成膜される薄膜は、透明で室温以上でも安定なアモルファス状態を形成し、平滑で良好な膜質を示す。例文帳に追加

The compound has a high melting point and a high glass transition temperature, and a thin film formed by the vapor deposition or the like is transparent, forms a stable amorphous state even at a room temperature or higher, and exhibits smooth and excellent film quality. - 特許庁