室温破壊の英語

室温でも非破壊にて半導体の特性を測定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of measuring characteristics of a semiconductor without destruction even at room temperature. - 特許庁

本発明は、半導体エピタキシャル膜を破壊することなく、室温付近のフォトルミネッセンススペクトルの測定から、シートキャリア濃度を評価することが可能な半導体エピタキシャル膜の非破壊検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nondestructive test method for a semiconductor epitaxial film, capable of evaluating a sheet carrier concentration from a measurement of a photoluminescence spectrum near a room temperature without destroying the semiconductor epitaxial film. - 特許庁

エッジボンドは化学的、機械的、音響学的、または熱的に軟化、熔解、または破壊されウェーハーを非常に低い力で、かつ室温またはその付近で製造処理工程中の適切な段階で容易に分離できる。例文帳に追加

Edge bonds are chemically, mechanically, acoustically, or thermally softened, dissolved, or disrupted to allow the wafers to be easily separated with very low forces and at or near room temperature at the appropriate stage in the fabrication process. - 特許庁

破壊靭性値が４．０〜５．４ＭＰａ√ｍであり、かつＨｖ１０硬度が１４．０〜１５．５であり、かつ室温強度が８００〜１１００ＭＰａである窒化珪素質焼結体とする。例文帳に追加

This silicon nitride-based sintered body has 4.0-5.4 MPa.m1/2 value of fracture toughness, 14.0-15.5 Hv10 hardness, and 800-1,100 MPa strength at room temperature. - 特許庁

室温から３００℃程度までの強度と延性とのバランスが取れ、破壊靭性も高い、耐熱・高靭性アルミニウム合金およびその製造方法ならびにエンジン部品を提供する。例文帳に追加

To provide a heat resistant/high toughness aluminum alloy in which strength and ductility are well-balanced in the range from room temperature to about 300°C, and which also has high fracture toughness, to provide its production method, and to provide an engine component. - 特許庁

熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上，破壊靭性値が６．５ＭＰａ・ｍ^１^／２以上，三点曲げ強度が室温で７５０ＭＰａ以上，気孔率が１％以下である高熱伝導性窒化けい素焼結体から成ることを特徴とするダミーウエハである。例文帳に追加

The dummy wafer is formed from the silicon nitride sintered compact with high heat conductivity ≥70 W/m.K, break tenacity ≥6.5 MPa.m^1/2, 3 point bending strength ≥750 MPa at room temperature, and porosity ≤1%. - 特許庁

セラミック基体の表層部にのみＡｌ成分濃化層を形成することで、セラミック基体表層部における窒化珪素質主相粒子の成長が抑制され、破壊の起点となりうる異常成長した粒子が生じにくくなることから、強度、特に室温強度のばらつきを生じにくくなる。例文帳に追加

By forming A1 ingredient thickened layer only on the surface layer of the ceramic base, growth of main-phase particles of silicon nitride is restrained, and so, there will scarcely be any abnormally grown particles generated which can be a starting point of destruction, which means that fluctuation of strength, especially at room temperature, is hardly generated. - 特許庁