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導体角柱の英語

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英訳・英語 conducting rectangular cylinder


JST科学技術用語日英対訳辞書での「導体角柱」の英訳

導体角柱


「導体角柱」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 15



例文

円柱または角柱のフェライトコアの側面に導体膜を形成し、この導体膜をYAGレーザで切削して螺旋状の導体パターンを形成する。例文帳に追加

Conductor films 12, 13 are formed on the side face of a columnar or prismatic ferrite core 10, and the conductor films 12, 13 are cut by a YAG laser to form a helical conductor pattern. - 特許庁

導体部20は、互いに並行な2本の角柱状の導体部22,24を有しており、各導体部22,24が長尺材の側壁に向き合うように配置される。例文帳に追加

The conductor 20 has two pieces of square columnar conducting parts 20, 24 mutually paralleled and each of the conducting parts 22, 24 is disposed so as to be faced to the side wall of the long material. - 特許庁

角柱状又は角錐台状の、オン状態のときに軸方向に電流が流れる半導体部43と、半導体部の周囲に、第1絶縁層50、制御電極層60及び第2絶縁層72が、半導体部の軸方向に沿って順に積層された周辺部とを備える。例文帳に追加

The compound semiconductor field effect transistor includes: a semiconductor part 43 in a rectangular column shape or a truncated pyramid shape, where a current flows in an axial direction in an ON state; and a peripheral part where a first insulating layer 50, a control electrode layer 60 and a second insulating layer 72 are laminated in order along the axial direction of the semiconductor part, around the semiconductor part. - 特許庁

導体部が、角柱状又は角錐台状の電子走行部44と、電子走行部の側面44c上に形成された電子供給部46とを備えて構成される。例文帳に追加

The semiconductor part includes an electron traveling part 44 in the rectangular column shape or the truncated pyramid shape and an electron supply part 46 formed on the side face 44c of the electron traveling part. - 特許庁

電波遮蔽体23は、内側を磁性体層31とした磁性体層31と導体層32の積層構造を有し、四角柱状の筐体25と、この筐体25に取り付けられた蓋部26を備えている。例文帳に追加

The radio wave shielding member 23 has a laminate structure of a magnetic material layer 31 and a conductor layer 32, the insides of which are the magnetic material layer 31, and includes a prismatic enclosure 25 and a cover part 26 attached to the enclosure 25. - 特許庁

導体レーザチップ101,102は、支持基板103の上面に突出された角柱部104の接合面104−1,104−2に接合したサブマウント112上に接合される。例文帳に追加

Semiconductor laser chips 101 and 102 are bonded to a sub- mount 112 bonded to joint surfaces 104-1 and 104-2 of a prism section 104 protruded from an upper surface of a supporting substrate 103. - 特許庁

例文

サファイア基板2上に、バッファ層3を形成し、1000℃の成膜温度でn型窒化ガリウム化合物半導体層4、発光層5およびp型窒化ガリウム化合物半導体層6を成膜した後、開口を有するマスクを形成して、温度を800℃に低下して再びp型窒化ガリウム化合物半導体層を成長させることで、先端が四角錐状で四角柱状の凸部7を形成することができる。例文帳に追加

On a sapphire substrate 2, a buffer layer 3 is formed for film of an n-type gallium nitride compound semiconductor layer 4, the luminous layer 5, and a p-type gallium nitride compound semiconductor layer 6 at a film-forming temperature of 1,000°C. - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「導体角柱」の英訳

導体角柱


「導体角柱」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 15



例文

ベース基板12に搭載されたLEDチップ14と、当該LEDチップ14を覆う蛍光体16とを有する半導体発光装置10において、前記LEDチップ14を略六角柱状に形成すると共に、前記蛍光体を略円柱状に形成した。例文帳に追加

In the semiconductor light emitting device 10 which has an LED chip 14 carried in a base substrate 12 and a phosphor 16 overlying the LED chip 14, the LED chip 14 is formed in an approximately hexagonal prism shape, and the phosphor is formed in an substantially pillar shape. - 特許庁

アンテナ1が、角柱状の誘電体11と、誘電体11の表面に設置されて給電点9と接続される給電パターン12と、給電パターン12と対向する誘電体11の表面に設置された装荷導体パターン13によって構成される。例文帳に追加

The antenna 1 is constituted of a dielectric substance 11 in the shape of a rectangular column, a power supply pattern 12 which is set on the surface of the dielectric substance 11 and is connected to a supply point 9, and a loading conductor pattern 13, which is set on the surface of the dielectric substance facing the power supply pattern 12. - 特許庁

微粒子の一部または全部をウェットエッチング、研磨などで除去すると、非常に規則正しく、形状や大きさの非常に揃った導電性材料や半導体材料による微小な突起(略三角柱など)が得られ、高品質な電子放出素子として好適である。例文帳に追加

By removing one part or all of the fine particles by wet etching, polishing or the like, fine projections (generally triangle poles or the like) are of very uniform shape and size very regularly, are made of the conductive material or the semiconductor material, and are preferable as an electron emission element of high quality. - 特許庁

鏡面研磨処理した多角柱体の半導体結晶を用い、この結晶側面に絶縁保護膜7を形成するのに、鏡面研磨直後に実施し、その後の処理工程および検出素子装着時に鏡面研磨面を直接触ることがないようにした。例文帳に追加

At the time of forming an insulating protective film 7 on the side face of a specular finished prismatic semiconductor crystal, the film 7 is formed immediately after specular finishing the crystal so that the specular finished surface may not be touched directly in the succeeding treatment processes and at the time of mounting a detecting element. - 特許庁

微粒子の一部または全部をウェットエッチング、研磨などで除去すると、非常に規則正しく、形状や大きさの非常に揃った導電性材料や半導体材料による微小な突起(略三角柱など)が得られ、高品質な電子放出素子として好適である。例文帳に追加

By removing one part or all of the fine particles by wet etching, polishing or the like, fine projections (generally triangle poles or the like) are of uniform shape and size very regularly, are made of the conductive material or the semiconductor material, and are preferable as an electron emission element of high quality. - 特許庁

アンテナ装置1は、角柱状の基体9の表面に放射導体10を帯状に巻装すると共に可変容量素子11を分散させてなるチップアンテナ4を、複数個の金属脚片3を介してプリント基板2上に実装したものであり、各金属脚片3はチップアンテナ4の底面で放射導体10に半田接合されている。例文帳に追加

In the antenna system 1, a chip antenna 4 configured by winding a radiation conductor 10 on a surface of a prismatic base body 9 in a band shape and dispersing variable capacitance elements 11 is mounted on a printed circuit board 2 via a plurality of metal leg pieces 3 and each of the metal leg pieces 3 is soldered to the radiation conductor 10 on a bottom surface of the chip antenna 4. - 特許庁

また、半導体素子11の実装部を被覆・封止する樹脂モールド層13においては、四隅部に、バンプの直径とほぼ等しい辺の方形底面を有する四角柱状の切欠部13aが形成されており、最外周のコーナー部に配置されたはんだバンプ14aの上方では、配線基板上に樹脂モールド層が設けられていない構造となっている。例文帳に追加

The molded resin layer 13 is not provided on the wiring substrate above the bumps 14 positioned to the outermost peripheral corner sections. - 特許庁

例文

一方が樹脂封止される複数の端子13を備えた半導体装置10用のリードフレームにおいて、端子13の樹脂封止される部分16が、五角以上の多角柱状、又は上下方向に沿って1又は複数の切欠き若しくは溝部を周囲に有する異形柱状となっている。例文帳に追加

In the lead frame for a semiconductor device 10, with a plurality of terminals 13 in which one side is sealed with resin, a part 16 of the terminal 13 to be sealed with resin is in the shape of a polygonal pillar of five or more angles, or in the shape of odd-form pillar which has one or more notches or trenches along a vertical direction around the part. - 特許庁

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