峻導の英語

急峻なヘテロ界面が形成され、高い移動度を有する窒化物半導体からなる半導体装置を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device consisting of a nitride semiconductor having a high mobility in which a steep heterointerface is formed. - 特許庁

ウェハプロセスにて半導体集積回路を形成した半導体ウェハは、最終的な熱処理工程として、急峻な温度勾配を与える。例文帳に追加

A semiconductor wafer for forming a semiconductor integrated circuit in a wafer process gives a steep temperature gradient as a final heat-treatment process. - 特許庁

急峻な不純物分布のｈａｌｏ層を備える半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element having a halo layer with a steep impurity distribution, and a method of manufacturing the semiconductor element. - 特許庁

充填率に対する導電率の増加量が最も急峻となる枠Ｆ２で示す領域においても、導電率の上昇はなだらかとなる。例文帳に追加

Even in a region shown in the frame F2 where an increase in conductivity for the packing is the steepest, the rise in the conductivity is gentle. - 特許庁

小さい占有面積で急峻な減衰特性を有するフィルタを備える半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device provided with a filter having steep damping characteristics in a small occupancy area. - 特許庁

電力用半導体スイッチング素子のターンオフ時の急峻な電圧変化（ｄｖ／ｄｔ）を抑制すると共に、スイッチング損失を低減すること。例文帳に追加

To control the sharp change of voltage (dv/dt) and to reduce switching loss when a power semiconductor switching element is turned off. - 特許庁

界面の急峻性を改善することにより、発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light-emitting element of high light-emission efficiency by improving the steepness of an interface. - 特許庁

電源電圧の急峻な変動に対しても誤動作しにくく、かつ、消費電力の小さい半導体集積回路装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device which hardly malfunctions even in a steep variation in a power-supply voltage and has low power consumption. - 特許庁