「峻導」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

グルーブ４の段差で熱伝導が抑圧されてトラック方向への温度勾配が急峻となる。例文帳に追加

Heat conduction is suppressed by the step of the groove 4 to make steep a temperature gradient in a track direction. - 特許庁

上記構成により光導波層１０の光検出器２上での急峻な屈曲を抑制できる。例文帳に追加

This constitution can suppress the abrupt bending of the light guide layer 10 on the optical detector 2. - 特許庁

急峻なヘテロ界面が形成され、高い移動度を有する窒化物半導体からなる半導体装置を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device consisting of a nitride semiconductor having a high mobility in which a steep heterointerface is formed. - 特許庁

ウェハプロセスにて半導体集積回路を形成した半導体ウェハは、最終的な熱処理工程として、急峻な温度勾配を与える。例文帳に追加

A semiconductor wafer for forming a semiconductor integrated circuit in a wafer process gives a steep temperature gradient as a final heat-treatment process. - 特許庁

急峻な不純物分布のｈａｌｏ層を備える半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element having a halo layer with a steep impurity distribution, and a method of manufacturing the semiconductor element. - 特許庁

充填率に対する導電率の増加量が最も急峻となる枠Ｆ２で示す領域においても、導電率の上昇はなだらかとなる。例文帳に追加

Even in a region shown in the frame F2 where an increase in conductivity for the packing is the steepest, the rise in the conductivity is gentle. - 特許庁

小さい占有面積で急峻な減衰特性を有するフィルタを備える半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device provided with a filter having steep damping characteristics in a small occupancy area. - 特許庁

電力用半導体スイッチング素子のターンオフ時の急峻な電圧変化（ｄｖ／ｄｔ）を抑制すると共に、スイッチング損失を低減すること。例文帳に追加

To control the sharp change of voltage (dv/dt) and to reduce switching loss when a power semiconductor switching element is turned off. - 特許庁

界面の急峻性を改善することにより、発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light-emitting element of high light-emission efficiency by improving the steepness of an interface. - 特許庁

電源電圧の急峻な変動に対しても誤動作しにくく、かつ、消費電力の小さい半導体集積回路装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device which hardly malfunctions even in a steep variation in a power-supply voltage and has low power consumption. - 特許庁

誘導負荷に急峻に立ち上がる矩形波電流を供給することのできる、高効率で且つ小型化された電源装置を提供する。例文帳に追加

To provide a power unit capable of supplying a steeply rising rectangu lar wave current to an inductive load, high in efficient and small in size. - 特許庁

超伝導コイルに通電する電流を急峻に変化させることのできる簡易かつ安価な方法を提供する。例文帳に追加

To provide an easy and inexpensive method for steeply changing a current to be supplied to a superconducting coil. - 特許庁

急峻な跳ね上がり電圧を抑制できるソフトリカバリー特性を有する半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor which has a soft recovery characteristic which can control a sharp rising voltage. - 特許庁

半導体発光素子に流れる電流値の立上り特性を充分に急峻なものとして、高速応答性に優れた発光駆動を行なう。例文帳に追加

To perform light-emitting drive which is superior in rapid response by considering starting characteristics of a current flowing through a semiconductor light-emitting element as sufficiently steep characteristics. - 特許庁

表面濃度が濃く且つ急峻な不純物濃度分布を有するチャネル拡散層を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device provided with a channel diffusion layer where surface concentration is high and impurity concentration distribution is steep, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

狭小な温度範囲において急峻な抵抗値変化を生じることが可能な導電性部材を備える電気素子等を提供する。例文帳に追加

To provide an electric element etc., equipped with a conductive member that can produce a steep resistance change in a narrow temperature range. - 特許庁

正面輝度分布の立ち上がりが急峻で、発光色ムラが少ない半導体発光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting device with less unevenness of light emission color and with a steep rise of front part brightness distribution. - 特許庁

従って、半導体レーザ１３２には、急峻な立ち上がりを有する波形の電流を供給でき、半導体レーザ１３２から、急峻な立ち上がりのピーク波形により表されるレーザ光が波長変換素子１３４に対して出力される。例文帳に追加

Therefore, a current having a steep rising waveform is supplied to the semiconductor laser 132, and laser light represented by a steep rising waveform is output to a wavelength conversion element 134 from the semiconductor laser 132. - 特許庁

超電導転移が急峻で臨界温度が１１０Ｋよりも高いＢｉ系超電導体、このＢｉ系超電導体を含む超電導線材および超電導機器を提供する。例文帳に追加

To provide a Bi based superconductive object in which superconducting transition is steep and which has a critical temperature higher than 110 K, and to provide a superconductivity wire rod and a superconductive apparatus containing the Bi based superconductive object. - 特許庁

ＧａＡｓ半導体領域とＩｎＧａＡｓ半導体領域との界面をより急峻することを可能な、半導体レーザを作製する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a process for fabricating a semiconductor laser in which the interface of a GaAs semiconductor region and an InGaAs semiconductor region can be made more steep. - 特許庁

波長補正用出力導波路１０５の出力側スラブ導波路１０９との接続部分は先細となっており、出射光のスペクトルが急峻となり波長の補正を容易に行える。例文帳に追加

A connection portion with the output side slab waveguide 109 of the output waveguide 105 for wavelength correction is tapered, and a spectrum of outgoing light becomes steep, thereby the wavelength can easily be corrected. - 特許庁

原子レベルでの平坦性を良くし、なおかつ、転位の少ない結晶性の優れた半導体層を提供することで界面の急峻性を向上し、優れた光電特性を有する半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To improve steepness of an interface by upgrading flatness at an atomic level and providing a semiconductor layer having excellent crystallinity with small dislocation and to provide a semiconductor light emitting element having excellent photoelectric characteristics. - 特許庁

Ｃｐ_２ＭｇをＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体のドーピング原料として用いる化合物半導体の気相成長方法において、急峻なＭｇドーピングを可能とする。例文帳に追加

To enable the steep doping of Mg in a vapor phase epitaxy method of a compound semiconductor wherein Cp_2Mg is used as a doping material for an AlGaInP-based compound semiconductor. - 特許庁

ｐｎ接合部における比抵抗の分布を急峻にすることができる半導体基板の製造方法及び該製造方法に得られる半導体基板を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate which can implement a steep distribution of relative resistivity in a pn junction, and to provide a semiconductor substrate obtained thereby. - 特許庁

異なる濃度領域界面において空間的に急峻な変化を示す濃度分布の形成に有効な不純物濃度の調整方法並びに半導体基板および半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for adjusting the concentration of impurities which is effective for establishing the distribution of concentration showing a spatially sharp change in different boundaries of concentration areas, a semiconductor substrate and a method for manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

電線における導体の欠陥箇所には、電流乱れに基づく局部的な急峻変化磁界が発生すると共に導体通電電流に基づく大きな周回路磁界が作用する。例文帳に追加

In the fault region of conductor in the wire, a local sudden variation magnetic field occurs due to the current perturbation and a large circumferential circuit magnetic field due to a conductor electric current works. - 特許庁

不純物濃度プロファイルの急峻性や表面の平坦性を有する半導体膜の成長方法及びこれを利用した半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide steepness of impurity concentration profile or flatness to a surface of a semiconductor. - 特許庁

また、支持部材３１は絶縁体なので誘導コイル１９による誘導電流を発生せず、加熱されないので、熱をカーボンで構成される発熱体１５に集中させることができ、急峻な温度分布を得ることができる。例文帳に追加

Further, because the support members 31 are insulators, an induction current is not generated and this is not heated by an induction coil 19, the heat can be concentrated on the exothermic body 15 constituted of carbon, and the steep temperature distribution can be obtained. - 特許庁

第１フィルタ２は減衰特性がゆるやかで、挿入損失が著しく小とされ、第２フィルタ１１は、超電導材で構成され、超電導状態とされ、減衰特性が急峻で挿入損失が小とされている。例文帳に追加

The 1st filter 2 has a gentle attenuation characteristic and a very small insertion loss, and the 2nd filter 11 is made of a superconducting material and brought into a superconducting state, and has a steep attenuation characteristic and a small insertion loss. - 特許庁

また、誘導起電力による受信装置への過負荷電流の印加を防止し、カプセル内視鏡２１の送信回路３６及び、磁界発生装置１の受信装置３６に対して、カプセル内視鏡２１の急峻な動きから発生する又は、磁界の磁気勾配に急峻な変化から発生する誘導起電力による過負荷電流の印加防止機能を備えたカプセル内視鏡システムである。例文帳に追加

A capsule endoscope system is provided with a prevention function of applying of overload current due to induced power generated from steep motion of the capsule endoscope 21 or generated from steep variation of magnetic gradient of a magnetic field with respect to a transmitting circuit 36 of the capsule endoscope 21 and a receiving apparatus of a field generator 1 by preventing applying of overload current to the receiving apparatuses by induced power. - 特許庁

しかしながら、半導体膜にレーザ光を照射すると、半導体膜が瞬間的に溶融されて局所的に膨張したり、基板と半導体膜との温度勾配が急峻であるため前記半導体膜に歪みが生じ、得られる結晶質半導体膜の膜質を低下させてしまう場合がある。例文帳に追加

After being crystallized with laser beams with respect to a semiconductor film, the semiconductor film is heated by a heat treatment, so that a distortion of the semiconductor film is decreased. - 特許庁

これによれば、埋込第２導電型領域５３が第２導電型領域３０内にピーク濃度を有する構成とされているため、埋込第２導電型領域５３と第２導電型領域３０との界面近傍での濃度分布を急峻に変化させることができる。例文帳に追加

Since the buried second-conductivity-type region 53 has the peak concentration in the second conductivity-type region 30, the concentration distribution nearby the interface between the buried second-conductivity-type region 53 and the second conductivity-type region 30 can be steeply changed. - 特許庁

半導体レーザモジュール１では、発熱体１８の温度がキュリー温度Ｔｃを超える際に、発熱体１８の電気抵抗値が急峻に立ち上がるようになっている。例文帳に追加

In a semiconductor laser module 1, the electrical resistance value of a heating element 18 is made so as to uprise steeply when the temperature of the heating element 18 exceeds Curie temperature Tc. - 特許庁

強いポテンシャル変調を有するとともに、ヘテロ界面においても急峻なN原子の濃度勾配を有する、GaNAs等のIII-V(N)族化合物半導体多層体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a group III-V(N) compound semiconductor multilayer object such as GaNAs having strong potential modulation and steep concentration gradient of N atoms even on a heterointerface. - 特許庁

具体的には半導体ウェハに対して熱処理室で１０℃／ｓｅｃと同程度かそれよりも急峻な温度勾配でもってサーマルインパクトを与える。例文帳に追加

Concretely, a thermal impact is given with a temperature gradient that is the same as or steeper than 10°C/sec in a heat treatment chamber to the semiconductor wafer. - 特許庁

化合物半導体電子素子において、急峻なドーピング界面を持つ、高い信頼性を有した素子を、再現性、均一性良く作製する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor electronic device, by which a device that is provided with a steep doping boundary and has high reliability can be manufactured with high reproducibility and uniformity. - 特許庁

窒化物半導体のｐ型不純物濃度をドーピング量を増大させることなく高めることにより低抵抗化を図ると共に急峻なｐ型不純物プロファイルを得られるようにする。例文帳に追加

To obtain a sharp p type impurity profile with low resistance by increasing p type impurity concentration of a nitride semiconductor without increasing the doping quantity. - 特許庁

急峻な不純物濃度のプロファイルを有するソース領域およびドレイン領域を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus capable of forming a source region and a drain region having the steep profile of an impurity concentration. - 特許庁

Ｓｉ基板１０上にシリコン酸窒化膜１２を形成した後、ＮＯガスをシリコン酸窒化膜１２に接触させながら熱処理を施すことにより、シリコン酸窒化膜１２の内部に急峻な分布を持った高濃度の窒素を導入する。例文帳に追加

After a silicon oxynitride film 12 is formed on an Si substrate 10, high concentration nitrogen having steep distribution is introduced into the silicon oxynitride film 12 by performing heat treatment while bringing NO gas into contact with the silicon oxynitride film 12. - 特許庁

加熱プレート３を直接に電磁誘導加熱で発熱させるため、プリント基板１の急峻な加熱が可能であり、高効率、高応答のはんだ付けを実現できる。例文帳に追加

Since heat is generated directly from the heating plate 3 by electromagnetic induction heating, the printed board 1 can be heated steeply resulting in high efficiency, high response soldering. - 特許庁

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same. - 特許庁

急峻に変化する試験信号或いは緩やかに変化する試験信号を生成することができ、これにより試験に要する時間の短縮やＤＵＴに合わせた柔軟な対応を図ることができる半導体試験装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor testing device which shortens time required for a test or achieves flexible correspondence in accordance with a DUT, by generating a steeply-changing test signal or a mildly-changing test signal. - 特許庁

接続箇所において、第２のコンタクト面１６ｂは、第１のコンタクト面１６ａよりも第１の窒化物半導体層１３の上面に対して急峻である。例文帳に追加

At a connecting portion, the second contact surface 16b is steeper relative to an upper face of the first nitride semiconductor layer 13 than the first contact surface 16a. - 特許庁

急峻なサージに対しては、真空マイクロ素子４ａ，４ｂが先んじて短絡電流を流し、続いてバリスタ３により大短絡電流を流すことによって半導体素子を保護する。例文帳に追加

In the event of the steep surge, the vacuum micro devices 4a, 4b previously flow short-circuit current and the varistor 3 flows large short- circuit current so as to protect the semiconductor device. - 特許庁

ポリシリコンによって形成され、不純物濃度プロファイルが急峻であり、上面が平坦であるシリコン膜を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a silicon film that is formed by polysilicon, has a steep impurity concentration profile, and has a flat top surface, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁