「峻導」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

導管内から流出している液体の流れを遮断すれば、液体の流れが急に止められることによって、液体内に、急峻に圧力が変化する衝撃波を発生させることができる。例文帳に追加

It is possible to generate shock waves having sudden changing pressures in the liquid due to the sudden halt of the flow of the liquid by blocking the flow of the liquid flowing out of the conduit. - 特許庁

良好なシリサイド／シリコン界面の形成、低抵抗のソース・ドレイン領域及びコンタクトの形成、及び急峻な不純物分布の形成を可能とする薄膜半導体素子を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin film semiconductor device which makes it possible to form a good silicide/silicon interface, to form a low resistance source, drain region, and a contact, and to form an abrupt impurity distribution. - 特許庁

発振現象、内部電流集中などの不安定動作や、急峻な電圧変化などに伴うノイズの発生を抑制した電力用半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for electric power that prevents an oscillation phenomenon, unstable operation such as internal current concentration or the like, and the generation of noise accompaied with sharp voltage change or the like. - 特許庁

多レベル逆変換回路を構成する半導体素子の急峻な電流の立ち上がり（ｄＩ／ｄｔ）、電圧急変（ｄＶ／ｄｔ）、またゲート回路への外乱を抑制すると共に、小型化、経済性、および信頼性の向上を図ること。例文帳に追加

To suppress a rapid rate of current rise (dI/dt) in a semiconductor device forming a multi-level inverse transform circuit, a sudden rate of change of voltage (dV/dt), and disturbance to a gate circuit, and improve downsizing, economy, and reliability. - 特許庁

端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられる導電膜を、エッチングを用いて作製する。例文帳に追加

To form a conductive film, which has a steep slope at an end, secures a desired film thickness, and suppresses a difference in shape from a mask pattern, by using etching. - 特許庁

急峻な磁束量子パルスを発生する酸化物系接合等でも、磁束量子パルスが通り過ぎた後の振動が納まり、かつ遅延時間を任意に設定できる、遅延線としての特性を有する超電導接合線路を得ること。例文帳に追加

To obtain a superconducting junction line which damps oscillations after passing over flux quantum pulses, even using an oxide type junction, etc., for generating abrupt flux quantum pulses, and allows a desired delay time to be set up, thus providing characteristics for a delay line. - 特許庁

高温超伝導体を電極に用いたジョセフソン接合を有する超伝導接合素子において、接合界面を垂直に近い急峻な構造にしうるとともに安定して接合を形成しうる超伝導接合素子の構造及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To constitute a superconducting junction element having a Josephson junction which uses a high-temperature superconducting material for electrode, in such a way that the phase boundary can be formed into a nearly vertical steep slope and the junction can be formed stably. - 特許庁

ｐ型伝導層をＣ添加のＩｎＧａＡｓを主成分とする化合物半導体層で構成したエピタキシャル結晶であって、ｐ型伝導層の結晶性及びｐｎ接合の急峻性に優れ、ＨＢＴ等の電子デバイス用基体として有用なエピタキシャル結晶を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial crystal excellent in crystallinity of a p-type conduction layer and steepness of pn junction and useful as a substrate for electronic device such as HBT in which the p-type conduction layer is composed of a compound semiconductor layer principally comprising C added InGaAs. - 特許庁

機械的柔軟性、発光素子や受光素子との適合性、価格競争力などに優れ、様々な有機半導体材料を選択できる自由度および急峻なスイッチング特性を有する、有機半導体単結晶を用いた電界効果デバイスおよび該電界効果デバイスの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a field effect device using organic semiconductor single-crystal having excellent mechanical flexibility, compatibility with light emitting element or light receiving element, and price competitiveness, and having the degree of freedom of selecting various organic semiconductor materials, and a steep switching characteristic, and a method for manufacturing the device. - 特許庁

アレイ導波路回折格子型の光波長合分波器の入力導波路２と入力側スラブ導波路３との間にテーパ導波路４を設け、出力側スラブ導波路６のスラブ半径Ｒｏを入力側スラブ導波路３のスラブ半径Ｒｉよりも小さくすることにより、急峻な立上がり、立ち下がり特性を有する低隣接クロストーク、低損失のデバイスを実現することができる。例文帳に追加

The optical wavelength multiplexing/demultiplexing device of an array waveguide diffraction grating type is provided with tapered waveguides 4 between input waveguides 2 and an input side slab waveguide 3, and the slab radius Ro of an output side slab waveguide 6 is made smaller than the slab radius Ri of the input side slab waveguide 3, thereby, the device of a low adjacent crosstalk and a small loss having steep rising and falling characteristics can be embodied. - 特許庁

真宗学者の信楽峻麿によれば、これは親鸞の教えを継承した、彼より後の指導者達、とりわけ蓮如の、自身なんら信じていない政治的かつ欺瞞に満ちた教説によって、真宗の信心のあり方が大きく歪められた結果であった。例文帳に追加

According to Takamaro SHIGARAKI, a scholar of Shinshu sect, this resulted from great distortion in the style of faith of Shinshu sect by the succeeding leaders of Shinran's teachings, especially Rennyo, whose teachings were political and full of deceptions and in which Rennyo himself did not believe.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

波長検出に外部の波長選択素子を使用せず、有機半導体薄膜のもつ特定波長での吸収率の急激な変化を利用し、さらに光電信号の変化を急峻にすることで、精度の良い波長の同定の機能を有し、且つ簡便な層構造の光検出器を提供する。例文帳に追加

To provide a photodetector which achieves accurate wavelength identification capability and simple layer structure by utilizing a rapid change of the absorptivity at specific wavelength found in an organic semiconductor thin film without use of external wavelength selection element for wavelength detection and by steepening a change in the photoelectric signal. - 特許庁

界面の急峻性等の品質に優れたＩｎＧａＮチャネルまたは、高いバンドオフセットを持つバリア層を用いた窒化物半導体ＨＦＥＴ構造の作製を可能とする、およびＨＦＥＴ構造の作製の再現性を向上する。例文帳に追加

To manufacture a nitride semiconductor HFET structure using an InGaN channel with high quality such as the steepness of a boundary or the like or a barrier layer having high band offset, and to improve the reproducibility of manufacture of an HFET structure. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴと、トンネル接合を有するトンネルバイポーラトランジスタを組み合わせることにより、低電圧であっても、ゲート電位変化に対してドレイン電流が急峻な変化（Ｓ値が６０ｍＶ／桁よりも小さい）を示す半導体素子を構成する。例文帳に追加

The semiconductor element is provided in which drain current indicates steep fluctuation (an S value is less than 60 mV/order) with respect to gate potential fluctuation though in low voltage by combining a MOSFET with a tunnel bipolar transistor having tunnel junctions. - 特許庁

その具体的手段は、対向電極6への電圧供給用導電接着部8,8'を液晶注入口12に近いほうに密度を上げて配置し、これによって注入口付近には急峻な交流パルス電圧を印加し、ベンド配向を促進する。例文帳に追加

Practically, the means is realized by disposing the conductive connecting parts 8, 8' to supply voltage to the counter electrode more densely near the injection port 12 of the liquid crystal so that steep AC pulses are applied near the injection port to accelerate the bend alignment. - 特許庁

その感磁量を磁気センサの測定レンジ内に納めるように角度θを調整しており、磁気センサが多少ぶれても前記電流乱れに基づく局部的な急峻変化磁界を感磁できるから、導体の欠陥箇所を確実に検知できる。例文帳に追加

As the angle θ is controlled so as to contain the magnetic sensing quantity within the measurement rage of the magnetic sensor and local sudden variation magnetic field due to current perturbation is sensed even with a little movement of the magnetic sensor, the fault region of the conductor can be exactly found. - 特許庁

異種の半導体等を積層して接合させたヘテロ構造を有する多層薄膜の製造においてクロスコンタミネーションの発生を防止し、ヘテロ接合界面の組成変化を従来よりも更に急峻にする事を可能にする多層薄膜製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing apparatus of a multilayer thin film whereby the generations of cross-contaminations are prevented in the manufacture of the multilayer thin film having a hetero-structure of so laminating therein differen kinds of semiconductors, etc. as to join them to each other, and the compositive change in the interface between heterojunctions is made further more steep than conventional ones. - 特許庁

導体パターンの立ち上がりを急峻に形成することが可能になるとともに、ボールパッド部の絶縁基板への接着強度を高くすることが可能なプリント配線板の製造方法及びプリント配線板を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing printed wiring board and a printed wiring board, in which the rising portion of a conductive pattern can be formed sharply and bonding strength to the insulation wiring board of a ball-pad portion can be enhanced. - 特許庁

この種の、コンデンサ入力の機器において、入力電流は非常に急峻な電流が流れ、特に、奇数次の高調波電流成分を含む電流波形となり、受配電設備の利用度を考えると不経済であり、又、高調波電流によって誘導障害等が発生する。例文帳に追加

To solve the problem of an apparatus of capacitor input of a conventional type such that an input current of the apparatus of this type is a steep current and particularly forms a current waveform containing an odd harmonic- current component, and a receiving/distribution facility is thus uneconomical in its utility value and an induction trouble or the like is easy to occur by a harmonic current. - 特許庁

高電圧が印加される半導体スイッチを複数個使用することなく、簡単な回路構成で、かつ、例えば１２Ｖ程度の低い直流電源電圧で、急峻な立ち上がり時間と極めて狭いパルス幅を有する例えば１２ｋＶ以上の高電圧パルスを供給できるようにする。例文帳に追加

To realize supplying of a high-voltage pulse of, for example, 12 kV having abrupt rise time and a very narrow pulse width at a low DC power supply voltage, for example of, about 12 V with a simple circuit configuration, without using a plurality of semiconductor switches to which a high voltage is applied. - 特許庁

PN接合部を有する半導体装置において、不純物濃度勾配の急峻なｐ^+層とｎ^-層の低濃度基板接合を形成し、低濃度のｐ^-層の拡散層を基板のn-層と接合ができないように表面濃度を薄く、深く拡散させて形成した。例文帳に追加

In a semiconductor device having a PN junction part, a low concentration substrate junction of a p^+ layer and an n^- layer steep in impurity concentration gradient is formed, and a diffusion layer of a p^- layer in a low concentration is formed by making a surface concentration low and diffusing deeply so that it does not make a junction with the n^- layer of the substrate. - 特許庁

電源遮断時の保持データの消滅を防止し、また電源復帰時の貫通電流を防止し、急峻に電源を立ち上げることで、高速化と低消費電力化を図った、リアルタイムシステムに適用可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor apparatus applicable to a real time system for preventing missing of stored data during power interruption, preventing the occurrence of a through-current during power restoration and wherein high speed processing and low power consumption are realized by steeply raising power. - 特許庁

メダルセレクタ部の構造を複雑にしたり、メダルの流れを阻害することなく、メダルの導電性にもとづいて電気的に、あるいはメダルとの物理的接触を必要とすることなく、正規のメダルと特殊器具とを峻別し、特殊器具によるクレジット不正を確実に判定する。例文帳に追加

To surely determine credit fraudulence using a special device by making a sharp distinction between a regular token and the special device electrically on the basis of conductivity of the token without complicatedness in structure of a medal select part, obstructing flow of tokens or without the need of physical contact with the token. - 特許庁

コイルに高周波電流を流すことにより加熱する電磁誘導加熱式炊飯器において、電源電圧の値によらず適正なタイミングでスイッチングを行い、スイッチング時の発熱を抑え、急峻な電圧や電流の変化によるノイズを抑制する。例文帳に追加

To suppress the heating in switching to suppress the noise by a sudden change in voltage or current in an electromagnetic induction-heating rice cooker for performing heating by carrying a high frequency current to a coil by performing the switching at a proper timing regardless of the value of power supply voltage. - 特許庁

静電気のような急峻な高電圧によってもレーザダイオードの端面が破壊しない保護素子を備える半導体レーザ装置において、部品数増加による半導体レーザ装置の大型化を回避しつつ、製造コストを上昇させることのない構造を備えた、半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device which is provided with protective elements for preventing the edges of a laser diode from being destructed even by a precipitous high voltage such as static electricity and has a structure not allowing the increase in its manufacturing costs while avoiding its upsizing by increasing the number of parts and to provide its manufacturing method. - 特許庁

従来の構成ではドレイン電位が急峻に上昇してドレイン領域とゲート領域間でアバランシェ降伏が起こると、誘導負荷に蓄えられたエネルギーを消費するまで、ゲート駆動回路にアバランシェ降伏電流が流れていたが、本発明ではチャネルが開いてドレイン領域とソース領域間で電流が流れることで誘導負荷に蓄えられたエネルギーを消費する。例文帳に追加

A current flows between the drain region and the source region by opening the channel, and energy accumulated in an inductive load is consumed. - 特許庁

本発明は、ゲート−ソース間において所定電圧を超えると急峻な電流が流れるダイオード特性を示す半導体素子の高負荷時の消費電力低減および駆動回路の低負荷時の損失低減を図るだけでなく、過電圧、過電流、過消費電力を防止する保護機能と、当該半導体素子の損失を低減する機能を有する駆動回路の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a driving circuit which is adapted, for a semiconductor device which exhibits a diode characteristic of flowing an abrupt current if the gate-source voltage therein exceeds a predetermined voltage, to have the functions of reducing electric-power consumption in a high-load state, reducing the loss in the driving circuit in low-load states, preventing excessive voltages, excessive currents and excessive electric-power consumption, and reducing the loss in the semiconductor device. - 特許庁

化合物半導体ヘテロバイポーラトランジスタ素子構造の結晶成長において、コレクタ層／エミッタ層／ベース層界面におけるメモリー効果によるドーピング遅れを抑制するために、少なくともＡｌを含んだ化合物半導体で界面を形成し、急峻なアクセプター不純物ドーピング界面を実現する。例文帳に追加

In the crystal growth of a compound semiconductor heterobipolar transistor device structure, a compound semiconductor containing at least Al is used to form a boundary for suppressing doping delays due to memory effect at the boundaries among a collector layer, an emitter layer and a base layer, resulting in a steep acceptor impurity doping boundary. - 特許庁

本発明は、焼結開始温度を高温側にシフトさせるとともに、急峻な焼結収縮を抑制させた金属粉末の製造方法、このような金属粉末、このような金属粉末を含有する導電性ペースト、ならびにこのような導電性ペーストを用いて内部電極を形成し、層間剥離（デラミネーション）ならびにクラックの発生を抑制した積層セラミック電子部品を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing metal powder by which the initiation temperature for sintering is shifted to the high temperature side and rapid shrinkage by sintering is suppressed and to provide the metal powder, a conductive paste containing the metal powder, and laminated ceramic electronic parts having inner electrodes formed by using the above conductive paste so as to suppress delamination and generation of cracks. - 特許庁

短チャネル効果を、場所および形状の精度を改善して配置できる急峻な勾配の不純物濃度を用いて効果的に抑制でき、一方で、トランジスタの導通チャネルに隣接したポリシリコン・シードに不純物を注入し、ポリシリコン・シードから導通チャネルへ不純物を拡散することによりプロセスの許容度を緩和する。例文帳に追加

A short channel effect can be effectively restrained by the use of the impurity concentration of a steep gradient which can be accurately improved in shape and arranged at a proper position, and on the other hand, impurities are injected into a polysilicon seed adjacent to the conduction channel of a transistor and diffused into the conduction channel from the polysilicon seed to relax the allowance of a process. - 特許庁

また、低周波数側と高周波数側との間を一方向に掃引しながら測定する際に隣接測定ポイントに対して急峻にゲインが増加して最初の凸点の頂点となる測定ポイントを仮共振点とし、仮共振点とその隣接測定ポイントからゲインの近似式を導き、近似式により真共振点を導く。例文帳に追加

When measurement is performed between the low frequency side and the high frequency side while sweeping in one direction, a measurement point at which the gain increases steeply to the adjoining measurement point and makes a first projection top is set to be a temporary resonance point, an approximation of the gain is derived from the temporary resonance point and its adjoining measurement point, and a true resonance point is derived from the approximation. - 特許庁

発光素子を駆動させる第１の差動スイッチング回路と、誘導負荷を接続した第２の差動スイッチング回路を有し、前記２つの差動スイッチング回路をコンデンサにより交流結合することによって、点灯時および消灯時の発光素子の光出力の急峻な立上がりと立下りを実現し、より高速な光通信を可能にした。例文帳に追加

The light emitting element drive circuit comprises a first differential switching circuit for driving a light emitting element, and a second differential switching circuit connected with an inductive load wherein steep rising/falling of optical output from the light emitting element is realized at the time of lighting/unlighting by performing AC coupling of two differential switching circuits with a capacitor thus achieving optical communication with higher rate. - 特許庁

更に第二の高速熱処理をパネル全面に行い、先のエネルギービームで多結晶化した領域ＰＳＩでは結晶粒内の欠陥を低減させ、高いオン電流、低いしきい値、低ばらつき、急峻な立ち上がり特性を持つ高性能回路用ＴＦＴ用の高品質多結晶半導体薄膜を得る。例文帳に追加

Further, second high-speed heat treatment is applied to an entire panel, defects in the crystal grains are reduced in a region PSI made polycrystalline by the former energy beam to obtain a high quality polycrystalline semiconductor film for use in a high performance circuit TFT with a high on-current, a low threshold value, little variation, and steep rising characteristics. - 特許庁

サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。例文帳に追加

Thus, the side etching is suppressed and the decrease in film thickness of the mask is also suppressed, so that even the conductive film whicih is thick having a thickness of 1 to 10 μm and contains aluminum or aluminum alloy is etched to have the steep slope at the end, to secure the desired film thickness, and to suppress the difference in shape from the mask pattern. - 特許庁

エクステンション部２０は、半導体基板１上に形成され、ゲート電極１２側に傾斜面２１ａをもつ第１エピタキシャル成長層２１と、第１エピタキシャル成長層２１上に形成され、傾斜面２１ａよりも急峻な端面２２ａをゲート電極側にもつ第２エピタキシャル成長層２２とを有する。例文帳に追加

And, the extension portion 20 comprises: a first epitaxially-grown layer 21, which is formed on the semiconductor substrate 1, having an inclined plane 21a at gate electrode 12 side; and a second epitaxially-grown layer 22, which is formed on the first epitaxially-grown layer 21, having an end surface 22a steeper than the inclined plane 21a at gate electrode side. - 特許庁

交流信号源２からの入力電圧によりクロック信号を生成する自己バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積回路において、前記信号源２の立ち上げ時に、前記交流信号源２による電圧に加えてバイアス電圧を印加し電圧の立ち上がりを急峻に変化させるオペアンプＯＰ−Ａｍｐからなる基準電圧源６で構成された電圧供給手段を設けた。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit having the self-biasing type clock signal amplifier which generates the clock signal with the input voltage from an AC signal source 2 is provided with a voltage supply means comprising a reference voltage source 6 composed of an operational amplifier OP-Amp which abruptly varying a rise of a voltage by applying a bias voltage in addition to the voltage from the AC signal source 2 when the signal source 2 starts up. - 特許庁

高周波電流に低周波の交流電源周波数成分が重畳する交流−交流直接変換技術を応用した誘導加熱装置において、交流電源の極性判別検出遅れ等により出力電流に急峻な歪みが発生する場合、スイッチング素子の破壊を招くだけでなく、鍋および鍋を乗せる台などから不快なうなり音を発生する原因となる。例文帳に追加

To provide an induction heating device capable of preventing breakage of a switching element and generation of disagreeable beating noise from a cooker or a stand on which the cooker is placed. - 特許庁

通信システムは、誘導結合方式により近接無線通信を行なうトランスポンダ及びリーダライタで構成され、距離に対し電界強度が急峻に変化するので、近接させたか否かの判断が正確になり、リーダライタにトランスポンダを近づける動作を行なうユーザの意図に応じて通信を開始させることができる。例文帳に追加

This communication system includes of a transponder and a reader/writer carrying out proximal wireless communication by an inductive coupling method, wherein determination of whether the transponder is brought close to the reader/writer becomes accurate because electric field intensity is drastically changed with respect to distance, and can start communication according to the intention of a user carrying out an operation bringing the transponder close to the reader/writer. - 特許庁

会場となった3大学は京都大学・同志社大学・立命館大学（当時の校地は鴨川(淀川水系)西岸の広小路通(京都市)に所在していた）各大学であったが、このうち京都大学では会場に予定されていた法経一番教室の使用を大学当局（服部峻治郎学長）が認めようとせず、警官隊導入により抗議する学生を排除するなどしていたため当局と学生自治会である同学会（1951年の京大天皇事件の結果解散をよぎなくされ、この年の初夏、学生による全学投票を経て再建されたばかりであった）との間には険悪な雰囲気が漂っていた。例文帳に追加

The chosen universities as places for the meetings were Kyoto University, Doshisha University and Ritsumeikan University (the then campus was located at Hirokoji-dori Street, the west shore of the Kamo-gawa River of Yodogawa River system in Kyoto City), however, Kyoto University authorities (President Shunjiro HATTORI) didn't permit the use of classroom number one of the faculty of law and economics, and called the police to remove protesting students, as a result, an explosive atmosphere remained between the authorities and the students, especially the students' association 'Dogakukai' of Kyoto University (although the Dogakukai had been forced to dissolve after the Kyodai Tenno Incident of 1951, in the early summer of 1953 it had just been reorganized by a vote in which all the students had been involved).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス