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英訳・英語 tensile strain


JST科学技術用語日英対訳辞書での「引張り歪」の英訳

引張り歪


「引張り歪」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 52



例文

引張り歪みSiGeオン・インシュレータ(SGOI)上のみSiMOSFET例文帳に追加

STRAINED SiMOSEFT ON TENSILE STRAIN SiGe-ON-INSULATOR (SGOI) - 特許庁

この3種類の層を有する引張り歪量子井戸構造に、別の層を加えた4種類の層を有する引張り歪量子井戸構造とすることもできる。例文帳に追加

A tensile strain quantum well structure having four kinds of layers is obtained by adding another layer to the tensile strain quantum well structure having the three kinds of layers. - 特許庁

反射電子検出器を装着した走査電子顕微鏡内に引張り装置を取り付け、反射電子像を撮影しながら試験片を引張り、反射電子像に現れる結晶粒の形の変化を測定し、結晶粒毎の量及び引張り方向に対する断面積を逐次演算する。例文帳に追加

This tension testing device is attached to an inside of a scanning electron microscope mounted with a reflected electron detector, a test piece is tensioned while photographing a reflected electron image, and a change of a shape in a crystal grain appearing in the reflected electron image is measured to compute sequentially a strain amount in each crystal grain and a cross section with respect to a tensioned direction. - 特許庁

このシール剤層10は、引張り歪み5mmにおける引張り強度が0.02N/mm^2以上の材料、例えば、アミン価が50〜200の範囲にあるポリアミド樹脂を主成分とする材料からなる。例文帳に追加

This sealing agent layer 10 is constituted of a material with the main component, having a tensile strength of 0.02 N/mm^2 or higher at 5 mm or higher for the tensile strain, for example, polyamide resin with an amine value within a range of 50 to 200. - 特許庁

第2の窒化化合物半導体層2に予め設けられたクラックは、格子定数の違いによる引張り歪みを緩和する作用がある。例文帳に追加

Cracks previously provided on a second nitriding compound semiconductor layer 2 have an action to reduce a tensile distortion caused by a difference in a lattice constant. - 特許庁

TMモードの光と相互作用することのできる、引張り歪みを持つ量子ドットを有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device provided with quantum dot having a tension strain capable of effecting interaction to light of TM (transverse magnetic) mode. - 特許庁

例文

低い内部圧縮み又は内部引張り応力を有し、保存時には安定している炭素層を提供する。例文帳に追加

To provide a carbon layer having low internal compressive strains or internal tensile stress and stable at the time of preservation. - 特許庁

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「引張り歪」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 52



例文

また、Arイオンのドーズ量を調整し、格子み層4の引張り応力が11MPa以上かつ27MPa以下となるようにする。例文帳に追加

By adjusting the dose amount of the Ar ions, tensile stress of the lattice strain layer 4 is set to 11-27 MPa. - 特許庁

フレア部の近傍のガラス管に生じる引張り歪を低減できる、ランプの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a lamp capable of reducing tension strain caused in a glass tube nearby a flare portion. - 特許庁

磁極層10の内部応力は引張り応力であり、磁極層10を構成する材料の磁定数は正の値である。例文帳に追加

The internal stress of the magnetic pole layer 10 is a tensile stress, and a magnetostrictive constant of the material composing the magnetic pole layer 10 is a positive value. - 特許庁

1軸性引張り歪が電流方向と垂直な第2の結晶面方位<110>方向にチャネル層の側壁に対して加えられている。例文帳に追加

Uniaxial tensile strain is applied to a side wall of the channel layer in the second crystal plane direction <110> perpendicular to a current direction. - 特許庁

多面の引張り歪SiによるMOSFET(フィン型FET)デバイスを形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a MOSFET (fin-FET) device using a multifaceted tensile-strained Si. - 特許庁

センサ装置2は、逆磁効果を検知する磁センサ8を有し、磁センサ8は、車輪側軌道部材4の内輪17の最上部における引張り歪みを測定可能なように、車体側軌道部材3に取り付けられている。例文帳に追加

The sensor device 2 has a magnetostrictive sensor 8 detecting the reverse magnetostrictive effect, and the magnetostrictive sensor 8 is mounted on the car body-side track member 3 to measure the tensile distortion at an uppermost part of an inner ring 17 of the wheel-side track member 4. - 特許庁

InGaAlAs系からなる引張り歪井戸層を有する半導体発光素子、もしくは、InGaAsP系からなる引張り歪井戸層及びInGaAlAs系からなる障壁層を有する半導体発光素子であって、幅広い温度範囲においても高性能かつ高信頼な半導体発光素子の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor electroluminescent device with an InGaAlAs-based well layer having tensile-strain, or a semiconductor electroluminescent device with an InGaAsP-based well layer having tensile strain and with an InGaAlAs-based barrier layer, which is high-performance and high-reliability in a wide temperature range. - 特許庁

例文

演算処理装置7は、み計測器6により計測されたみを記憶し、常時あるいは一定時間毎に前回計測時のみと今回計測されたとを比較し、引張り歪みから圧縮みに変化した状態を検出することにより補強材31が剥離したことを検知する。例文帳に追加

The arithmetic processing unit 7 stores the strain measured by the strain measuring instrument 6, and compares strain measured last time with strain measured this time always or with every specific time, and detects separation of the reinforcing material 31 by detecting a state of changing to compression strain from tensile strain. - 特許庁

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