強誘電状態の英語

強誘電性トランジスタから状態を読み出し、または強誘電性トランジスタに状態を記憶させる際に、メモリマトリクス中の他の強誘電性トランジスタの閾値電圧を他の強誘電性トランジスタにドレイン−サブストレート電圧を印加することによって増大させる。例文帳に追加

Threshold voltage of an other ferroelectric transistor in a memory matrix is increased by applying drain-substrate voltage to a ferroelectric transistor, when a state is read out from a ferroelectric transistor or a state is stored in the ferroelectric transistor. - 特許庁

負荷用の強誘電体コンデンサＣｓ’の残留分極状態ｓ’が記憶用の強誘電体コンデンサＣｓの残留分極状態ｓと反対になるよう、強誘電体コンデンサＣｓ’の残留分極状態を積極的に変更する。例文帳に追加

The residual polarized state s' of a ferroelectric capacitor Cs' for load is positively varied so that the residual polarized state s' of the ferroelectric capacitor Cs' for load is opposite to the residual polarized state s of a ferroelectric capacitor Cs for storage. - 特許庁

強誘電性トランジスタから状態を読み出し、または強誘電性トランジスタに状態を記憶させる際に、メモリマトリクス中の他のメモリセル中の他の強誘電性トランジスタが識別不可能な分極状態に変更されるのを回避する。例文帳に追加

To prevent a present state from being changed to a polarization state in which other ferroelectrioc transistor in other memory cell in a memory matrix cannot be discriminated, when a state is read out from a ferroelectric transistor or a state is stored in the ferroelectric transistor. - 特許庁

続いて、下部電極膜２１上に強誘電体膜２２をアモルファス状態で形成する。例文帳に追加

Then, a ferroelectric film 22 is formed on the lower electrode film 21 in an amorphous state. - 特許庁

前記脱分極処理により、強誘電体デバイスは、強誘電体材料の分極状態の残留歪と、圧電歪と、誘電率と、分極値と、弾性率とに加え、脱分極状態の圧電歪と、誘電率と、分極値と、弾性率とを備える。例文帳に追加

By the depolarization, a ferroelectric device comprises residual strain, piezoelectric distortion, dielectric constant, polarization value, and elastic modulus, of the polarization state of a ferroelectric material, in addition to piezoelectric distortion, dielectric constant, polarization value, and elastic modulus of the depolarization state. - 特許庁

しかも、この状態は、該トランジスタを構成する強誘電体層の分極状態として、不揮発的に保持される。例文帳に追加

Also, this state is kept in a non-volatile state as a polarization state of a ferroelectric layer constituting the transistors. - 特許庁

強誘電体メモリ装置を構成する強誘電体容量素子を分極状態に保ちながら、強誘電体容量素子における逆方向保持分極の読み出し電荷量Ｐｗの経時変化の温度依存性を測定する。例文帳に追加

Temperature dependency of a temporal change in read electric charges Pw of a reverse direction holding polarization in a ferroelectric capacitor element is measured while keeping the ferromagnetic capacitive element constituting the ferroelectric memory device in a polarized state. - 特許庁

装置の電源が遮断されても、トランジスタＮＴの強誘電体層３２はＯＮ状態に対応した分極状態を保持しており、トランジスタＰＴの強誘電体層３２はＯＦＦ状態に対応した分極状態を保持している。例文帳に追加

A ferroelectric layer 32 of the TR NT holds a polarization state corresponding to an ON state and the layer 32 of the TR PT holds a polarization state corresponding to an OFF state respectively even when the power supply of a semiconductor device is cut. - 特許庁