成長モードの英語

除氷モードにおける蒸発器への高温高圧の圧縮冷媒の流入の仕方に工夫を凝らし、製氷モード時に製氷板の製氷面に成長した製氷を、その全体に亘り、除氷モード時にできる限り均一に融氷するようにした流下式製氷機を提供する。例文帳に追加

To provide a flow-down type ice making machine capable of evenly melting ice in an ice eliminating mode over the whole of the ice formed in an ice making surface of an ice making plate in an ice making mode by improving a method of making a high-temperature and high-pressure compressed refrigerant to flow into an evaporator in the ice eliminating mode. - 特許庁

これにより、注入電流が閾値電流レベル時においては主モードがストップバンド中央より短波長側に存在するが、注入電流が駆動電流レベル時においては主モードがストップバンド中央に移動すると共に、サブモードの成長が抑制される。例文帳に追加

Even if a main mode exists on a short wavelength-side compared to a center of a stop band when injected current is at a threshold current level, the main mode moves to the center of the stop band when injected current is at a driving current level, and growth of a sub-mode is controlled. - 特許庁

このようなオフ面を有するｎ−ＧａＮオフ基板１上に窒化物系半導体層を成長させる場合、窒化物系半導体層の結晶成長が主としてステップフローモードで起こる。例文帳に追加

When a nitride semiconductor layer is grown on the n-GaN off substrate 1 comprising the off surface, the crystal growth of the nitride semiconductor layer takes place mainly in step flow mode. - 特許庁

ガスの供給態様と加熱態様とを適宜に切り替えることで、一の基板上への結晶成長を両モードによる結晶成長を切り替えつつ行える。例文帳に追加

The crystal growth on one substrate in both the modes can be switchingly executed by properly switching the gas supply modes and the heating modes. - 特許庁

これは通常ジャイロトロンが運転される空胴磁場よりも、さらに低い空胴磁場領域に存在するが、従来の方法に従ってこの空胴磁場に設定してオペレーションを行おうとすると、より低い周波数の発振モードが成長してしまい、目的モードの発振が得られなかった。例文帳に追加

This invention relates to realization of a novel jyrotron operation control technique of obtaining highly efficient jyrotron oscillation by positively controlling electron beam parameters of the jyrotron during oscillation conventionally generated using fixed parameters. - 特許庁

ＧａＡｓ基板上にＳ−Ｋモード成長を利用して作製したＩｎＡｓ量子ドットをＧａＡｓで埋め込んで表面を平坦にした後、分子層を一層、一層エッチングする分子層エッチングを、成長槽内から移動せずに連続的に行なう。例文帳に追加

After an InAs quantum dot, fabricated by S-K mode growth on a GaAs substrate, is embedded and planarized using GaAs, molecular-layer etching for etching molecular layers layer by layer is carried out continuously, without moving from the growth container. - 特許庁

ガラス基板１１上に成膜された非晶質シリコン膜２０に、ガラス基板１１の裏面側からレーザ光を照射することによって、縦成長モードで多結晶シリコン膜３０を形成する。例文帳に追加

In the thin film transistor manufacturing method, a polycrystalline silicon film 30 is formed in vertical growth mode by irradiation of laser beams on an amorphous silicon film 20 deposited on a glass substrate 11 from the backside of the glass substrate 11. - 特許庁

これは、可飽和吸収層（６）の非吸収部分（単数または複数）（１１ｂ）とレーザの光学モードとの間の重なりの程度が、デバイスが成長された後に変更されることを可能にする。例文帳に追加

This makes it possible that the degree of overlapping between the non-absorbing part (single or plural) (11b) of the saturable absorption layer (6) and the optical mode of the laser is changed after the device has grown. - 特許庁