「成長モード」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

つまり、第１モードＭ１および第２モードＭ２によりｐ型電流ブロック層１１１を先に成長し、その後に、ｎ型電流ブロック層１１２を成長する。例文帳に追加

Namely, the p-type current block layer 111 is formed first in the first mode M1 and second mode M2, and then the n-type current blocking layer 112 is grown. - 特許庁

パルス供給ＡｌＮ層５は、ＮＨ_３パルス供給を用い第２の成長モードであるグレインサイズを拡張し、転位を低減する低速成長モードで形成され、転位を低減するとともに、核成長層３を埋め込むことができる。例文帳に追加

The pulse supply AlN layer 5 is formed in a low-speed growth mode wherein a grain size is expanded to reduce dislocation as a second growth mode by using NH_3 pulse supply, and while dislocation is reduced, the nucleation layer 3 can be buried. - 特許庁

除氷モードにおける蒸発器への高温高圧の圧縮冷媒の流入の仕方に工夫を凝らし、製氷モード時に製氷板の製氷面に成長した製氷を、その全体に亘り、除氷モード時にできる限り均一に融氷するようにした流下式製氷機を提供する。例文帳に追加

To provide a flow-down type ice making machine capable of evenly melting ice in an ice eliminating mode over the whole of the ice formed in an ice making surface of an ice making plate in an ice making mode by improving a method of making a high-temperature and high-pressure compressed refrigerant to flow into an evaporator in the ice eliminating mode. - 特許庁

これにより、注入電流が閾値電流レベル時においては主モードがストップバンド中央より短波長側に存在するが、注入電流が駆動電流レベル時においては主モードがストップバンド中央に移動すると共に、サブモードの成長が抑制される。例文帳に追加

Even if a main mode exists on a short wavelength-side compared to a center of a stop band when injected current is at a threshold current level, the main mode moves to the center of the stop band when injected current is at a driving current level, and growth of a sub-mode is controlled. - 特許庁

このようなオフ面を有するｎ−ＧａＮオフ基板１上に窒化物系半導体層を成長させる場合、窒化物系半導体層の結晶成長が主としてステップフローモードで起こる。例文帳に追加

When a nitride semiconductor layer is grown on the n-GaN off substrate 1 comprising the off surface, the crystal growth of the nitride semiconductor layer takes place mainly in step flow mode. - 特許庁

ガスの供給態様と加熱態様とを適宜に切り替えることで、一の基板上への結晶成長を両モードによる結晶成長を切り替えつつ行える。例文帳に追加

The crystal growth on one substrate in both the modes can be switchingly executed by properly switching the gas supply modes and the heating modes. - 特許庁

これは通常ジャイロトロンが運転される空胴磁場よりも、さらに低い空胴磁場領域に存在するが、従来の方法に従ってこの空胴磁場に設定してオペレーションを行おうとすると、より低い周波数の発振モードが成長してしまい、目的モードの発振が得られなかった。例文帳に追加

This invention relates to realization of a novel jyrotron operation control technique of obtaining highly efficient jyrotron oscillation by positively controlling electron beam parameters of the jyrotron during oscillation conventionally generated using fixed parameters. - 特許庁

ＧａＡｓ基板上にＳ−Ｋモード成長を利用して作製したＩｎＡｓ量子ドットをＧａＡｓで埋め込んで表面を平坦にした後、分子層を一層、一層エッチングする分子層エッチングを、成長槽内から移動せずに連続的に行なう。例文帳に追加

After an InAs quantum dot, fabricated by S-K mode growth on a GaAs substrate, is embedded and planarized using GaAs, molecular-layer etching for etching molecular layers layer by layer is carried out continuously, without moving from the growth container. - 特許庁

ガラス基板１１上に成膜された非晶質シリコン膜２０に、ガラス基板１１の裏面側からレーザ光を照射することによって、縦成長モードで多結晶シリコン膜３０を形成する。例文帳に追加

In the thin film transistor manufacturing method, a polycrystalline silicon film 30 is formed in vertical growth mode by irradiation of laser beams on an amorphous silicon film 20 deposited on a glass substrate 11 from the backside of the glass substrate 11. - 特許庁

これは、可飽和吸収層（６）の非吸収部分（単数または複数）（１１ｂ）とレーザの光学モードとの間の重なりの程度が、デバイスが成長された後に変更されることを可能にする。例文帳に追加

This makes it possible that the degree of overlapping between the non-absorbing part (single or plural) (11b) of the saturable absorption layer (6) and the optical mode of the laser is changed after the device has grown. - 特許庁

リッジ部の幅を低減することなく、横モードの安定化を可能とし、選択成長法によらずに形成することのできるリッジストライプ構造の半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device in a ridge stripe structure that can stabilize a traverse mode without reducing the width of a ridge section and can be formed without depending on the selective growth method, and to provide the manufacturing method of the semiconductor device. - 特許庁

そして、凸部の傾斜面にはＩｎＡｓが殆ど堆積せず、溝５４の底部にＩｎＡｓがＳ−Ｋモード成長して、相互に離隔したＩｎＡｓ島が形成される。例文帳に追加

Then, InAs is almost not deposited on the slopes of the projecting portions, S-K mode growth of InAs is performed on the bottoms of the grooves 54, and mutually isolated InAs islands are formed. - 特許庁

図４（Ｂ）に示すように、早熟モードを選択した場合、成長開始直後は大きな能力値が付与されるが試合の回数が増大するにつれて付与される能力値が減少する。例文帳に追加

When a precocity mode is selected as shown in Fig.4 (B), a large ability value is added just after the start of growth, but the ability value to be added decreases as the number of the games increases. - 特許庁

III-Ｖ化合物半導体レーザの横モード制御を容易にし、ビーム形状の縦横比を改善し、さらに、AlN 層の成長やパターニングによるダメージを減らす。例文帳に追加

To easily control a III-V compound semiconductor laser in a lateral mode, improve the aspect ration of a laser beam, and reduce damages by the growth and patterning of an AlN layer. - 特許庁

ＴＭＡの供給を停止して、ＨＣｌとＮＨ_3とを供給し、第１ヒータ１６および第２ヒータ１７で加熱を行うことでＨＶＰＥモードでの結晶成長が行える。例文帳に追加

Crystal growth in an HVPE mode can be executed by stopping supply of the TMA, supplying the HCl and the NH_3, and carrying out heating by a first heater 16 and the second heater 17. - 特許庁

図４（Ｃ）に示すように、大器晩成モードを選択した場合、成長開始直後は付与される能力値は小さいが、試合の回数が増大するにつれて付与される能力値が増大する。例文帳に追加

When a late bloomer mode is selected as shown in Fig.4 (C), the ability value to be added is small just after the start of growth, but the ability value to be added increases as the number of the games increases. - 特許庁

ＨＣｌガスの供給を停止してＴＭＡとＮＨ_3とを供給し、第２ヒータ１７のみの加熱を行うことでＭＯＣＶＤモードでの結晶成長が行える。例文帳に追加

Crystal growth in a MOCVD mode can be executed by stopping the supply of HCI gas, supplying the TMA and the NH_3 to the reaction pipe 11, and carrying out heating by a second heater 17 only. - 特許庁

分布帰還型半導体レーザに関するもので、特にグレーティングの高さを結晶成長により調整することで回折効率を調整して、エッチングによらず単一モード発振歩留まりの向上を実現した半導体レーザ装置を実現する。例文帳に追加

To realize a distributed feedback semiconductor laser in which the single mode oscillation yield is enhanced regardless of etching by regulating the height of grating through epitaxial growth thereby regulating the diffraction efficiency. - 特許庁

ｐ形半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された三次元成長島より成る量子ドット層１８を複数層積層して成る活性層２０と、活性層上に形成されたｎ形半導体層２２とを有している。例文帳に追加

The light emitting element includes a substrate 10 made of a p-type semiconductor, an active layer 20 formed on the substrate and formed by laminating a plurality of layers of quantum dot layers 18 each made of a three-dimensional growth island in which self-formation is performed with an S-K mode, and an n-type semiconductor layer 22 formed on the active layer. - 特許庁

端末機で事前行動的使用者インターフェースのためのエージェントの成長/進化モードを具現する際に、効率的なメモリー使用のためにネットワーク基盤または一般のＰＣ基盤によりこれを具現する方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and device for calculating, for efficient memory use, network-based or general PC-based growth/evolution mode of an agent for a proactive user interface in a terminal. - 特許庁

量子半導体装置は、（ａ）下地半導体層上に位置し、この下地半導体層に対して量子井戸を構成せず、かつ下地半導体層に対してＳ−Ｋモードでの成長が可能な材料で構成される薄膜結晶層と、（ｂ）薄膜結晶層の直上に位置し、下地半導体層に対してタイプＩ型のエネルギバンド不連続を構成する量子ドットとを備える量子半導体構造を有する。例文帳に追加

A quantum semiconductor device has a quantum semiconductor structure provided with (a) a thin film crystal layer positioned on a base semiconductor layer and constituted of a material capable of growth in an S-K mode to the base semiconductor layer without constituting a quantum well to the base semiconductor layer and (b) a quantum dot positioned right above the thin film crystal layer and constituting type I energy band discontinuity to the base semiconductor layer. - 特許庁

基板上に半導体層を形成する半導体層の形成方法において、基板上に半導体物質結晶よりなる三次元核を低密度の核密度で生成する第１のステップと、上記基板上に生成された前記三次元核を横方向成長モードで結晶成長させ、上記三次元核を融合して半導体物質結晶よりなる半導体層を上記基板上に形成する第２のステップとを有する。例文帳に追加

The method for forming a semiconductor layer on the substrate comprises a first step of generating a three-dimensional nucleus made of a semiconductor material crystal on the substrate with low nucleus density, and a second step of performing crystal growth of the three-dimensional nucleus generated on the substrate in a crosswise growth mode, fusing the three- dimension nucleus for forming a semiconductor layer made of a semiconductor substance crystal on the substrate. - 特許庁

APEC エコノミーの増加する貿易及び運輸及び取引費用の低減からの実質的経済利益を支え，並びにサプライチェーンの効率性及び安定性を高め，より良いビジネス環境を生み出す目的をもって，我々は，産業界及び関連利害関係者とともに，すべてのモードにわたって，運輸及びサプライチェーン・ルートの多様化の可能性を分析する。サプライチェーン・ルートのための最適の仕組みを構築することは，地域経済統合を強化し，地域におけるより高い経済成長率を支える主要な要因になりえる。例文帳に追加

With the aim of supporting the growing trade of APEC economies and the substantial economic benefits from lowering transportation and trade transaction costs, as well as enhancing supply chain efficiency and security, and creating better business environment, we will together with industry and relevant stakeholders analyze possibilities for diversification of transportation and supply chain routes across all modes. - 経済産業省