深度分布の英語

前記現像速度分布計算工程は、予めの実験による電子線の照射量（ドーズ）とレジスト溶解深度の２つのパラメータに基づいて前記現像速度分布を計算する工程を具備する。例文帳に追加

The development rate distribution calculation step includes a step of calculating the development rate distribution based on two parameters which are the electron beam dose and the depth of dissolution of the resist by preliminary experiments. - 特許庁

計算機ホログラム１を、互いに位相分布が同じである微小な要素ホログラム２の配列とし、位相分布からの凹凸深度の計算や、フォトエッチング時の露光の際の描画機の負担を軽減して、露光時間を減らすことができた。例文帳に追加

A computer hologram 1 is set as an array of minute element holograms 2 with mutually the same phase distribution, and the calculation of rugged depth from the phase distribution and burden on a plotter during the exposure at the photo-etching are reduced to reduce the exposure time. - 特許庁

地盤中に削孔した孔１内に、ニクロム線２２を配置する光ファイバーケーブル２を内部に収納したピエゾ３を挿入し、管３内の温度分布を深度方向に連続的に計測し、該温度分布から、管内の地下水面を検出することにより、ピエゾ水頭Ｌ１を求める。例文帳に追加

Into a hole 1 bored in the ground, a piezo tube 3 housing an optical fiber cable 2 provided with nichrome wires 22 inside is inserted so as to continuously measure a temperature distribution inside the tube 3 in the depth direction, and from the temperature distribution, a groundwater level inside the tube is detected for finding a piezo water head L1. - 特許庁

レーザビーム２３の焦点深度はレーザビーム１３のそれより長く、被加工物表面近傍から所望の溶け込み深さの１／２を越える深さまで分布している。例文帳に追加

The focal depth of the laser beam 23 is longer than that of the laser beam 13 and distributed from the vicinity of the workpiece surface to the depth in excess of a half of a desired penetration depth. - 特許庁

深い焦点深度に基づいて所望の逆ピーク状の光強度分布を安定的に形成することができ、半導体膜上に形成される結晶粒の充填率を高めることのできる結晶化装置。例文帳に追加

To obtain crystallization equipment in which a desired reverse peak light intensity distribution can be formed stably based on the deep depth of a focus, and the filling rate of crystal grains formed on a semiconductor film can be raised. - 特許庁

深い焦点深度に基づいて所望の逆ピーク状の光強度分布を安定的に形成することができ且つ半導体膜上に形成される結晶粒の充填率を高めることのできる結晶化装置。例文帳に追加

To obtain crystallization equipment and a method in which a desired reverse peak light intensity distribution can be formed stably based on the deep depth of a focus, the filling rate of crystal grains formed on a semiconductor film can be raised, and epitaxial growth can be accomplished without generating ablation. - 特許庁

調査対象である地盤にボーリング孔を削孔し、所定深度毎に孔壁周辺の弾性波速度を測定するとともに、孔壁周辺の密度分布を測定する。例文帳に追加

A boring hole is drilled in the ground being an investigation object, the elastic wave velocity is measured in the periphery of a hole wall for every prescribed depth, and a density distribution is measured in the periphery of the hole wall. - 特許庁

ボーリング孔の孔壁周辺の電気的比抵抗値を所定深度毎に測定し、この測定値と前記密度分布との相関から空洞の有無または該空洞に起因する地盤特性を検証することができる。例文帳に追加

An electric specific resistance in the periphery of the hole wall of the boring hole is measured in every prescribed depth, and the presence of the cavity or a ground characteristic resulting from the cavity is verified based on a correlation between a measured value herein and the density distribution. - 特許庁