第一遷移金属の英語

支持体の少なくとも一方の面に、コバルトを含有する強磁性金属合金と非磁性金属酸化物から構成された第一磁性層と希土類遷移金属合金からなる第二磁性層をこの順に積層したことを特徴とする磁気記録媒体。例文帳に追加

The magnetic recording medium is characterized in that a first magnetic layer constituted of a ferromagnetic metal alloy containing cobalt and a non-magnetic metal oxide and a second magnetic layer consisting of a rare earth-transition metal alloy are laminated in this order on at least one surface of a substrate. - 特許庁

リチウム二次電池の正極において、第一正極活物質として、リチウムとマンガンとを含むスピネル構造のリチウム−金属複合酸化物を含み、さらに、第二の正極活物質として、ＬｉとＳｉと遷移金属を含むオリビン構造のリチウム−金属複合酸化物を含む。例文帳に追加

The positive electrode for a lithium secondary battery contains a lithium-metal complex oxide of spinel structure containing lithium and manganese as a first positive electrode active material, and a lithium-metal complex oxide of olivine structure containing Li, Si, and a transition metal as a second positive electrode active material. - 特許庁

上記課題を解決する電気化学デバイスは、炭素材料を含む一対の電極と、一対の電極と接触し、リチウム塩を含む電解液とを備える電気化学デバイスであって、一対の電極の少なくとも一方又は両方が、リチウムイオンを吸蔵放出する遷移金属酸化物を含み、一対の電極のうち第１の電極に含まれる遷移金属酸化物の炭素材料に対する質量比をＸとし、一対の電極のうち第２の電極に含まれる遷移金属酸化物の炭素材料に対する質量比をＹとした場合に、下記一般式（１）、（２）及び（３）を満たす。例文帳に追加

The electrochemical device solving the problem is provided with a pair of electrodes containing a carbon material, and an electrolyte contacting the pair of electrodes and containing lithium salt. - 特許庁

ランタンガレート系酸化物１００重量部に対して、ＧａとＩｎのうち少なくとも１種、第一系列主要遷移金属元素、二価金属元素、または三価金属元素を、酸化物換算で１重量部以上６重量部以下含有することを特徴とするランタンガレート系焼結体。例文帳に追加

The La.Sr.Ga.Mg.Ox-based sintered body contains at least one selected from Ga and In, a transition metal element of Group I of Periodic Table, a divalent metal element, or trivalent metal element at the amount of 1 to 6 parts by weight relative to 100 parts by weight of a La.Sr.Ga.Mg.Ox- based oxide. - 特許庁

特定のジアシロキシアルケンを、周期表の第８〜１０族遷移金属化合物、有機リン化合物、及び周期表の第８〜１０族遷移金属化合物に対して５〜７，０００モル量の塩基性物質の存在下で水素及び一酸化炭素と反応させて、ジアシロキシアルケンがヒドロホルミル化し、それからカルボン酸が脱離し、さらに水素が添加してなるホルミルアシロキシアルカンを製造する。例文帳に追加

A specific diacyloxyalkene is reacted with hydrogen and carbon monoxide in the presence of a compound of a transition metal of group 8 to 10 in the periodic table, an organophosphorus compound, and a basic substance of 5 to 7,000 mol to the compound of a transition metal of group 8 to 10 in the periodic table, whereby the diacyloxyalkene is hydroformylated; a carboxylic acid is then eliminated; and hydrogen is then added to produce a formyl acyloxyalkane. - 特許庁

下記一般式（１）で表される第４族遷移金属化合物、前記第４族遷移金属化合物と反応してイオン対を形成する化合物、および（Ｃ）有機アルミニウム化合物を含むオレフィン重合用触媒の存在下にエチレンを重合させる、極限粘度が０．６０ｄｌ／ｇ以下のエチレン系ワックスの製造方法。例文帳に追加

The method for producing an ethylene wax with intrinsic viscosity of 0.60 dL/g or less includes polymerizing ethylene in the presence of an olefin polymerization catalyst including a fourth group transition metal compound represented by general formula (1), a compound which reacts with the fourth group transition metal compound and forms an ion pair, and (C) an organoaluminum compound. - 特許庁

周期表の第８〜１０族に属する遷移金属からなる群より選ばれる一以上の遷移金属化合物と、多座ホスファイト化合物とを含む触媒の存在下、アリル原料化合物と酸素求核剤とを反応させることによって、アリル原料化合物とは異なる組成式を示す新たなアリル化合物を製造する。例文帳に追加

A new allyl compound having a compositional formula different from that of an allyl starting material compound is provided by reacting the allyl starting material compound with an oxygen nucleophilic agent in the presence of a catalyst containing at least one transition metal compound containing a transition metal selected from the group consisting of groups 8-10 transition metals of the periodic table and a multidentate phosphite compound. - 特許庁

半導体装置１００の製造において、過酸化水素と遷移金属イオンとを含むエッチング液を用いて第二のＴｉＷ膜１１５および第一のＴｉＷ膜１１１を選択的に除去する。例文帳に追加

In manufacturing a semiconductor device 100, an etchant containing hydrogen peroxide and transition metal ions is used to selectively remove a second TiW film 115 and a first TiW film 111. - 特許庁