結晶粒境界の英語

銅の双晶においては、通常｛１１１｝面の１つが整合した双晶境界を形成し、このように整合した双晶境界ではエレクトロマイグレーション速度は小さく、双晶を形成する２つの結晶粒は、実質的に１つの大きな結晶粒とみなすことができる。例文帳に追加

The twin crystal of Cu usually forms a twin crystal interface with which one of (111) orientations match wherein the migration rate is low at such matched twin crystal interface and hence the two crystals forming a twin crystal can be regarded substantially as a single large crystal grain. - 特許庁

結晶化触媒の均一な低濃度制御及び結晶化位置を調節することによって、薄膜トランジスタのチャンネル層内にシード及び結晶粒境界が存在しないようにしたり、結晶粒境界が一つ存在するように調節して素子特性及び均一度が良い薄膜トランジスタ及びその製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the thin film transistor having improved characteristics and uniformity is achieved, by uniformly controlling low concentration of crystallization catalyst and controlling crystallization position so that no seed exists and no grain boundary exists, or one grain boundary exists in a channel layer of the thin-film transistor. - 特許庁

Ｎｉ１．０〜４．０質量％、Ｎｉに対し１／６〜１／４濃度のＳｉを含有するＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系基合金であって、全結晶粒界中の双晶境界（Σ３境界）の頻度が１５〜６０％である基合金。例文帳に追加

Disclosed is a Cu-Ni-Si base alloy containing Ni in an amount of 1.0 to 4.0 mass% and Si in a concentration of 1/6 to 1/4 of that of Ni, wherein the density of twin boundaries (Σ3 boundaries) is 15 to 60% of all the grain boundaries. - 特許庁

非晶質シリコン膜に対してレーザ光を複数回照射させることによって、複数の結晶粒子から構成され、かつ隣接する結晶粒子の境界部分での突起の発生を抑制した。例文帳に追加

A semiconductor thin film is constituted of a plurality of crystal grains, and generation of projection in a boundary part of adjacent crystal grains is restrained by directing laser beam to an amorphous silicon film a plurality of times. - 特許庁

更に境界から外側に向かって微小結晶粒Ｓを核として第１ラテラル成長が進行し、外部領域１０７の部分に多結晶粒Ｌ１が生成する。例文帳に追加

Furthermore, first lateral growth progresses using the micro crystal grains S as nucleus from the boundary toward the outside, and polycrystal grains L1 are generated in the external area 107. - 特許庁

ガラス基板上に形成された結晶性を有するケイ素膜を活性領域として用いた半導体装置において、活性領域１０９は、略一方向に沿って並んだライン状の結晶粒群(結晶粒界ＧＢにより境界が示された領域)により構成されており、かつ、そのライン状の結晶粒群とそれに隣接するライン状の結晶粒群との間の面方位のずれは１０゜以内である。例文帳に追加

In the semiconductor device employing a silicon film having crystallinity formed on a glass substrate as an active region, the active region 109 comprises a group of grains arranged linearly substantially in one direction (a region delimited by grain boundary GB) wherein the shift of face orientation between the linear group of grains and an adjacent linear group of grains is set within 10°. - 特許庁

オーステナイト系合金に３０％を超える冷間加工と加熱処理とを施して、オーステナイト結晶粒内に双晶境界を形成するとともに、オーステナイト粒界及び／又は双晶境界上に析出物を分散形成してなることを特徴とする耐食性オーステナイト系合金を使用する。例文帳に追加

The corrosion resistant austenitic alloy constituted so that an austenitic alloy is subjected to cold working exceeding 30% and heating treatment, so as to form twin boundaries in austenite crystal grains, and further, precipitates are dispersedly formed on the austenite grain boundaries and/or twin boundaries, is used. - 特許庁

この制御層により、磁性層形成では、磁性粒子を結晶粒子12上から、同時に非磁性の境界部を粒界部14から確実にエピタキシャル成長させることができる。例文帳に追加

In formation of the magnetic layer, magnetic particles can be epitaxially grown on the crystalline particles 12 and simultaneously nonmagnetic boundary parts can be epitaxially grown from the grain boundary parts 14 with certainty by this control layer. - 特許庁