「結晶粒境界」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

溶融状態の多結晶シリコンと固体状態の単結晶シリコンを用いて相互に一体化したウエハであって、単結晶部との境界から１０ｍｍ以内の多結晶部の平均結晶粒径が８ｍｍ以下の微細結晶を有することを特徴とするハイブリッドシリコンウエハ。例文帳に追加

The hybrid silicon wafer is a wafer prepared by mutually integrating polycrystalline silicon in a molten state and single-crystal silicon in a solid state, and has fine crystals having an average crystal grain size of ≤8 mm in a polycrystalline part within 10 mm from the boundary with the single crystal part. - 特許庁

被加工物２に対して、予め、レーザ走査経路の境界領域（レーザ走査境界部３）における結晶粒径を局所的に微細化し、この被加工物２に対して、レーザ走査境界部３が境界となるようにフェムト秒レーザ１を加工閾値近傍のフルエンスで走査させながら加工する。例文帳に追加

The crystalline grain size in a boundary area of a laser beam scanning path (a laser beam scanning boundary part 3) is locally made fine for a workpiece 2, and the workpiece 2 is machined while scanning the femtosecond laser beam 1 in the fluence in a vicinity of the machining threshold so that the laser beam scanning boundary part 3 forms the boundary. - 特許庁

銅の双晶においては、通常｛１１１｝面の１つが整合した双晶境界を形成し、このように整合した双晶境界ではエレクトロマイグレーション速度は小さく、双晶を形成する２つの結晶粒は、実質的に１つの大きな結晶粒とみなすことができる。例文帳に追加

The twin crystal of Cu usually forms a twin crystal interface with which one of (111) orientations match wherein the migration rate is low at such matched twin crystal interface and hence the two crystals forming a twin crystal can be regarded substantially as a single large crystal grain. - 特許庁

結晶化触媒の均一な低濃度制御及び結晶化位置を調節することによって、薄膜トランジスタのチャンネル層内にシード及び結晶粒境界が存在しないようにしたり、結晶粒境界が一つ存在するように調節して素子特性及び均一度が良い薄膜トランジスタ及びその製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the thin film transistor having improved characteristics and uniformity is achieved, by uniformly controlling low concentration of crystallization catalyst and controlling crystallization position so that no seed exists and no grain boundary exists, or one grain boundary exists in a channel layer of the thin-film transistor. - 特許庁

Ｎｉ１．０〜４．０質量％、Ｎｉに対し１／６〜１／４濃度のＳｉを含有するＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系基合金であって、全結晶粒界中の双晶境界（Σ３境界）の頻度が１５〜６０％である基合金。例文帳に追加

Disclosed is a Cu-Ni-Si base alloy containing Ni in an amount of 1.0 to 4.0 mass% and Si in a concentration of 1/6 to 1/4 of that of Ni, wherein the density of twin boundaries (Σ3 boundaries) is 15 to 60% of all the grain boundaries. - 特許庁

非晶質シリコン膜に対してレーザ光を複数回照射させることによって、複数の結晶粒子から構成され、かつ隣接する結晶粒子の境界部分での突起の発生を抑制した。例文帳に追加

A semiconductor thin film is constituted of a plurality of crystal grains, and generation of projection in a boundary part of adjacent crystal grains is restrained by directing laser beam to an amorphous silicon film a plurality of times. - 特許庁

更に境界から外側に向かって微小結晶粒Ｓを核として第１ラテラル成長が進行し、外部領域１０７の部分に多結晶粒Ｌ１が生成する。例文帳に追加

Furthermore, first lateral growth progresses using the micro crystal grains S as nucleus from the boundary toward the outside, and polycrystal grains L1 are generated in the external area 107. - 特許庁

ガラス基板上に形成された結晶性を有するケイ素膜を活性領域として用いた半導体装置において、活性領域１０９は、略一方向に沿って並んだライン状の結晶粒群(結晶粒界ＧＢにより境界が示された領域)により構成されており、かつ、そのライン状の結晶粒群とそれに隣接するライン状の結晶粒群との間の面方位のずれは１０゜以内である。例文帳に追加

In the semiconductor device employing a silicon film having crystallinity formed on a glass substrate as an active region, the active region 109 comprises a group of grains arranged linearly substantially in one direction (a region delimited by grain boundary GB) wherein the shift of face orientation between the linear group of grains and an adjacent linear group of grains is set within 10°. - 特許庁

オーステナイト系合金に３０％を超える冷間加工と加熱処理とを施して、オーステナイト結晶粒内に双晶境界を形成するとともに、オーステナイト粒界及び／又は双晶境界上に析出物を分散形成してなることを特徴とする耐食性オーステナイト系合金を使用する。例文帳に追加

The corrosion resistant austenitic alloy constituted so that an austenitic alloy is subjected to cold working exceeding 30% and heating treatment, so as to form twin boundaries in austenite crystal grains, and further, precipitates are dispersedly formed on the austenite grain boundaries and/or twin boundaries, is used. - 特許庁

この制御層により、磁性層形成では、磁性粒子を結晶粒子12上から、同時に非磁性の境界部を粒界部14から確実にエピタキシャル成長させることができる。例文帳に追加

In formation of the magnetic layer, magnetic particles can be epitaxially grown on the crystalline particles 12 and simultaneously nonmagnetic boundary parts can be epitaxially grown from the grain boundary parts 14 with certainty by this control layer. - 特許庁

本発明は多結晶シリコン薄膜、これの製造方法及びこれを利用して製造された薄膜トランジスタに係り、隣接したプライマリ結晶粒境界が平行せずにプライマリ結晶粒境界に囲まれた面積が１μｍ^２より大きいことを特徴とするディスプレーデバイス用多結晶シリコン薄膜及びレーザーが透過するライン形態のパターンとレーザーが透過することができないパターンが混合された構造を有するマスクを用いて非晶質シリコンをレーザーを利用して結晶化する段階を含むことを特徴とする。例文帳に追加

A polycrystalline silicon thin film for a display device is featured in that adjoining primary crystal grain boundaries are not parallel and an area enclosed by primary crystal grain boundaries is larger than 1 μm^2, and also characterized by a step of crystallizing amorphous silicon using a laser beam, through the use of a mask having a mixed structure of a laser-transparent line-shaped pattern and a laser-opaque pattern. - 特許庁

最後に加熱された光吸収層１０３から半導体薄膜１０５に熱が伝わり内部領域１０９を溶融した後、境界から内側に向かって多結晶粒Ｌ１を核として第２ラテラル成長が進行し、内部領域１０９に一層拡大した多結晶粒Ｌ２が生成する。例文帳に追加

Finally, a heat is transmitted to the semiconductor thin film 105 from the heated optical absorption layer 103 and the internal area 109 is melted, and then second lateral growth progresses using the polycrystal grains L1 as nucleus from the boundary toward the inside, and further expanded polycrystal grains L2 are generated in the internal area 109. - 特許庁

完全溶融領域２５ｂ〜２５ｄと未溶融領域２５ａの境界２５ｅにラテラル成長の核が確保され、ラテラル成長が互いに直交する方向に制御され、４つの矩形状単結晶粒２５ｇからなる結晶領域２５ｄが形成される。例文帳に追加

Lateral growth nuclei are ensured along a boundary 25e between a complete molten regions 25b to 25d and a non-molten region 25a, and the lateral growth is controlled mutually perpendicularly to form a crystal region 25d composed of four rectangular single crystal grains 25g. - 特許庁

メタルボンドとの境界面でのダイヤモンド結晶粒子の脱落や欠けが抑制され、安定した性能を有すると共に、寿命が長いダイヤモンドドレッサ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a diamond dresser suppressing dislodgment and chipping of diamond crystalline particle at a boundary surface with metal bond and having stable performance and a long service life and manufacturing method therefor. - 特許庁

これより、２つの画像データの差分値は内部クラックによる明度差と、結晶粒の境界のズレなどから起因する明度差とが顕著であるクラック疑い画素が検出される。例文帳に追加

Consequently, a crack suspicious pixel which has a remarkable lightness difference due to an internal crack and a remarkable lightness difference due to a shift of a boundary of crystal grains etc., is detected from the difference values between the two image data. - 特許庁

連続的又はほぼ連続的な炭化物による境界に沿った亀裂による延性の低下がなく、マトリックス中及び結晶粒界の両方で高温強度をもたらす。例文帳に追加

The alloy causes no degradation of ductility due to crack along boundary which is brought by carbides existing continuously or nearly continuously, which leads to high strength at high temperature in both matrix and crystal grain boundary. - 特許庁

次いで溶融した半導体薄膜１０５が冷却し外部領域１０７と内部領域１０９の境界近傍に微小結晶粒Ｓが生成する。例文帳に追加

Next, the melted semiconductor thin film 105 is cooled, and micro crystal grains S are generated adjacent to a boundary between the external area 107 and the internal area 109. - 特許庁

窒化珪素からなる多孔質セラミックスの気孔内に金属を有するセラミックス−金属複合体であって、前記多孔質セラミックスと金属との境界面における窒化珪素の結晶粒子同士が前記金属を介して結合されていることを特徴とする。例文帳に追加

The ceramic-metal composite material having the metal in the pores of the porous ceramic composed of silicon nitride is characterized in that crystal particles of the silicon nitride at the boundary surfaces of the porous ceramic and the metal are bonded to each other via the metal. - 特許庁

めっき線では、横断面におけるめっき部分の面積占有率が１０〜４０％の厚めっきを施され、このめっき層３が微細な結晶粒径からなる急冷組織を持ち、めっき層３と素地鉄鋼との境界に厚さ０．５〜１０μの中間層４を保有している。例文帳に追加

The plated wire has a thick plated layer 3 having a quenched structure consisting of crystals with fine grain sizes, in the cross section of which a rate of occupied area by the plated part is 10-40%, and has an intermediate layer 4 with a thickness of 0.5-10 μ in a boundary between the plated layer 3 and the steel base. - 特許庁

オーステナイト相およびフェライト相を有し、成分として含まれるＣｒ当量およびＮｉ当量が、シェフラーの組織図においてオーステナイト相とフェライト相の複相とオーステナイト相単相の境界部にあり結晶粒が微細化されている２相ステンレス鋼とする。例文帳に追加

The duplex stainless steel has an austenitic phase and a ferritic phase, and in which the equivalent of Cr and the equivalent of Ni comprised as components lie in the boundary part between the dual phase of the austenitic phase and the ferritic phase and the austenitic single phase in Schaeffler's diagram, and the crystal grains are made minute. - 特許庁

電流特性等のような電気的特性を向上させるためにポリシリコンの“プライマリー”結晶粒境界がＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）/オフセット（Ｏｆｆｓｅｔ）領域に含まれないＬＤＤ/オフセット領域を具備している有機電界発光素子を提供。例文帳に追加

To provide an organic electroluminescent device which is provided with an LDD(Lightly Doped Drain)/offset region where a "primary" grain boundary of polysilicon is not included in the LDD/offset regions in order improve electrical characteristics such as electrical current characteristics. - 特許庁

薄膜トランジスタは基板１０と、該基板上に形成され、チャンネル層１４にシード（ｓｅｅｄ）及び結晶粒境界（Ｇｒａｉｎ Ｂｏｕｎｄａｒｙ）が存在しない半導体層パターン１１と、該半導体層パターン上に形成されたゲート絶縁膜１５及び該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極１６とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

The thin-film transistor includes a substrate 10; a semiconductor layer pattern 11 which is formed on the substrate, the semiconductor layer pattern having a channel layer of which no seed exists and no grain boundary exists; a gate insulating film 15 formed on the semiconductor layer pattern; and a gate electrode 16 formed on the gate insulating film. - 特許庁

ＬＤＤ/オフセト領域を具備している薄膜トランジスターに関するもので、前記ＬＤＤ/オフセット領域ではポリシリコン基板の“プライマリー”結晶粒境界が位置してないことを特徴とする薄膜トランジスターを提供することによって、漏洩電流特性等の電気的特性が優れる薄膜トランジスターを提供することができる。例文帳に追加

The thin-film transistor having LDD/offset regions to be provided is constituted such that a "primary" grain boundary of the polysilicon base layer is not positioned in the LDD/offset regions, thereby a thin-film transistor having excellent electrical characteristics such as leakage current characteristics is provided. - 特許庁