結晶粒径分布の英語

シリコン微結晶４の結晶粒径（サイズ）は３〜１０ｎｍの範囲で分布しており、絶縁膜３の膜厚は、シリコン微結晶４の結晶粒径よりも小さくしてある。例文帳に追加

The crystal particle diameters (size) of the silicon fine crystals 4 are distributed in the range of 3-10 nm and the film thickness of the insulating film 3 is specified to be thinner than the crystal particle diameters of the silicon fine crystals 4. - 特許庁

比較的簡単な装置構成で、粒径分布が狭い、結晶化制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a crystallization control method wherein a narrow particle diameter distribution can be realized by a relatively simple apparatus structure. - 特許庁

本発明は、観測された回折パターンを構成する回折強度分布に結晶試料の物理量に対応した変数を有する回折強度分布関数を合わせ込むことにより、当該回折強度分布を再現する回折強度分布関数を規定する変数の値を求め、結晶試料全体に関する結晶粒径分布や結晶面間隔の分布の如き特徴を数量的に取得する。例文帳に追加

A diffraction intensity distribution function having the variable corresponding to the physical quantity of a crystal sample is combined with a diffraction intensity distribution constituting an observed diffraction pattern to calculate a variable value for prescribing the diffraction intensity distribution function reproducing the diffraction intensity distribution and a feature like the crystal particle size distribution or crystal face interval distribution related to the whole of the crystal sample is acquired numerically. - 特許庁

本発明は、現実的な結晶粒径分布に関する情報を取得することができ、さらに結晶粒径分布以外の情報も取得することを目的とする。例文帳に追加

To acquire not only the data related to an actual crystal particle size distribution but also data other than the crystal particle size distribution. - 特許庁

金属層の結晶粒径及び粒径分布評価方法並びにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法例文帳に追加

METHOD OF EVALUATING CRYSTAL PARTICLE SIZE AND PARTICLE SIZE DISTRIBUTION IN METAL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING THE SAME - 特許庁

均一な局所領域保磁力分布と微細な結晶粒及び均一な結晶粒径分布を持つように最適組成のＰｔが添加された高密度の磁気記録に適合した磁気記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic recording medium which is suitable for high density magnetic recording and to which Pt of the optimum composition is added so that the magnetic recording medium has a homogeneous coercive force distribution in a local region, fine crystal grain and homogeneous crystal grain size distribution. - 特許庁

従来の結晶粒径が大きくて、粒径分布も広い、多結晶チタンシリコンカーバイドセラミックスが示す低い切削加工精度と大きなチッピングの発生の改善を期待できる、結晶粒径が小さくて、粒径分布も狭い、多結晶チタンシリコンカーバイドセラミックスの効率的な製造方法、及びその用途を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently producing a polycrystalline titanium silicon carbide ceramic having a small crystal particle diameter and a small particle diameter distribution which can be expected to improve low cutting machining precision and the occurrence of great chipping, which a conventional polycrystalline titanium silicon carbide ceramic having a large crystal particle diameter and a wide particle diameter distribution shows, and to provide the use thereof. - 特許庁

段差部がなだらかな膜厚分布のある非晶質半導体膜にレーザ光を照射する結晶化方法、および膜厚分布のある非晶質半導体膜に、光量分布を有するレーザ光を照射しする結晶化方法とすることにより、大粒径半導体結晶を形成する。例文帳に追加

By a crystallization method for irradiating a laser beam onto an amorphous semiconductor film having a film thickness distribution with a smooth step, and by a crystallization method for irradiating a laser beam having a light quantity distribution onto an amorphous semiconductor film having a film thickness distribution, a large-grain-diametered semiconductor crystal is formed. - 特許庁