結晶粒界移動の英語

Ｎｉは、Ｓｎ−Ｂｉ合金組織において析出相として晶出して、Ｓｎ−Ｂｉ合金の構成原子がＳｎ結晶間の結晶粒界に沿って移動しようとするのを阻止するように作用する。例文帳に追加

Ni is crystallized as a deposition phase in the Sn-Bi alloy texture operated for blocking the movement of constitutive atoms of the Sn-Bi alloy along a crystal grain boundary between Sn crystals. - 特許庁

結晶化の結果として形成された結晶は、最も高い移動性方向に適した分子配向を有し、粒界がないこと、及び低いトラップ密度により高いキャリア移動性及び低い閾値電圧を有する高性能電気的特性を得ることができる。例文帳に追加

The crystal formed as a result of crystallization has molecular orientation suitable for highest mobility direction, and obtains high performance electrical characteristics having high carrier mobility and low threshold voltage owing to no grain boundary and low trap density. - 特許庁

決定された目標位置へ観察装置４５をＸＹ移動し、観察装置４５で供試体を観察する、結晶粒界上でなければ負荷装置５５を２次元移動し、測定目標位置に圧子５５ａで圧痕を形成する。例文帳に追加

An observation device 45 is moved to a determined target position in X and Y directions, a load device 55 is moved two-dimensionally when not on a crystal grain boundary for observing the sample by the observation device 45, and an indentation is formed at the measuring target position by a penetrator. - 特許庁

結晶固化する速度は層２の厚さに依存して熱移動の速い方から順次横方向進行するため位置１と位置２の間のキャリヤ移動を阻害する垂直方向の粒界は生成しない。例文帳に追加

Speed of crystallization and solidification depends on the thickness of the layer 2, and crystallization and solidification proceed sequentially from a side wherein thermal migration is fast to the lateral direction, so that grain boundary in the perpendicular direction which blocks carrier movement between a position 1 and a position 2 is not generated. - 特許庁

鋳片９があたかも温度が下がったかのようにγ→α→γ逆変態の加工誘起変態を起こすので、結晶粒界の位置が移動し、析出物（粒界偏析元素）が分散する。例文帳に追加

Since strain induced transformation of γ→α→γ reverse transformation is caused in the slab 9 as if temperature is reduced, the positions of crystal grain boundaries move, and precipitates (grain boundary segregation elements) are dispersed. - 特許庁

そして、固定点処理部１２０において、粒界エネルギーＥｉ'が粒界エネルギーＥｉ未満である場合に当該固定点を解除する処理を行い、インヒビターによって結晶粒の粒界移動が抑制される状態をシミュレーションできるようにする。例文帳に追加

Then, a fixed point processing section 120, when the grain boundary energy Ei' is smaller than the grain boundary energy Ei, performs processing of releasing the fixed point, and allows simulation of the state that the grain boundary movement of the crystal grain is suppressed by the inhibitor. - 特許庁

結晶粒界の影響が無視し得るほど小さい半導体薄膜から動作半導体膜を形成し、極めて高い移動度の薄膜型の半導体装置を実現する。例文帳に追加

To realize a thin film semiconductor device which has very high mobility, by forming an operating semiconductor layer from such a semiconductor thin layer that the influence of grain boundaries is negligible. - 特許庁

この結果、第１の金属の結晶粒界に第２の金属を偏析させ、第１の金属の移動を阻止し、エレクトロマイグレーションの低減が可能となる。例文帳に追加

As a result, the second metal is segregated in grain boundaries of the first metal, prevents the move of the first metal, and reduces its electromigration. - 特許庁