縦磁界の英語

この状態は個々の磁界、又は縦横のレインの磁界バランスが取れている様だが実際には取れておらず、実状の磁界は稼働側と抵抗側に分かれて押し合った不安定なバランスである。例文帳に追加

In this condition, it seems that each magnetic field, or the magnetic fields of the longitudinal and lateral lanes are balanced, but actually they are not balanced, and the magnetic fields are actually divided to an operation side and are resistance side, and pressed to one another in an instable and unbalanced state. - 特許庁

低コストで大容量化を図った縦磁界電極を有する真空バルブを得る。例文帳に追加

To obtain a vacuum valve at low cost with enlarged capacity having a longitudinal magnetic field electrode. - 特許庁

その後、磁区制御層を縦バイアス磁界が得られる方向に着磁する（Ｓ１１１）。例文帳に追加

After that, the magnetic domain control layer is magnetized in the direction of that a vertical bias magnetic field is obtained (S111). - 特許庁

縦磁界発生手段は、各真空遮断器ユニット１Ａ、１Ｂの真空容器２内部の縦磁界電極３、４や、真空容器２の外面に設ける外部コイル１１にて構成する。例文帳に追加

The vertical magnetic field generating means consists of vertical magnetic field electrodes 3, 4 in a vacuum container 2 of vacuum circuit current breaker units 1A, 1B, and an external coil 11 installed on an external surface of the vacuum container 2. - 特許庁

磁区制御膜２１、２２は、センス電流Ｉｓの流れる方向を縦方向としたとき、感磁膜１１に対して縦方向のバイアス磁界を印加する。例文帳に追加

Ferromagnetic-domain control film 21, 22 impress a lengthwise bias field on a magneto-sensitive film 11, when a direction in which sense current Is flows is set lengthwise. - 特許庁

磁気抵抗効果装置は、ＭＲ素子と、ＭＲ素子に対して縦バイアス磁界を印加する２つのバイアス磁界印加層２７と、各バイアス磁界印加層２７の一方の面に隣接し、且つＭＲ素子の一方の面に部分的に重なるように配置された２つの電極層６とを備えている。例文帳に追加

The magnetoresistive effect device is provided with an MR element, two bias magnetic field application layer 27 applying a vertical bias magnetic field to the MR element, and two electrode layers 6 adjacent to one face of each bias magnetic field application layer 27 and arranged to partially overlap with one face of the MR element. - 特許庁

２つのバイアス磁界印加層２７は、ＭＲ素子５の各側部に隣接するように配置され、ＭＲ素子５に対して縦バイアス磁界を印加する。例文帳に追加

The two bias magnetic field applied layers 27 are arranged to be adjacent to the respective sides of the MR element 5 to apply longitudinal boas magnetic fields to the MR element 5. - 特許庁

この差動型のバイアス方式により、トラック端部の固定磁界の低減を避けながら、狭トラック幅で、過剰に強くなっている中央部の縦バイアス磁界を低減する。例文帳に追加

With this differential bias method, a vertical bias magnetic field for the central part, which becomes excessively strong, is reduced with the narrow track width while avoiding a reduction in fixed magnetic field at a track end part. - 特許庁