能動的抵抗の英語

能動的高抵抗半導体層を有する半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ACTIVE HIGH RESISTIVE SEMICONDUCTOR LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

巨大磁気抵抗効果および磁気トンネリング効果を利用して、従来に無い新しい能動的デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a new active device by utilizing a giant magneto-resistance effect and magnetic tunneling effect. - 特許庁

また、前記能動層上に、予めこの能動層と同型の導電型不純物を含む金属膜を接合し、その後、熱処理して部分的に低抵抗領域を形成する。例文帳に追加

Furthermore, a metal film containing the same conductivity type impurities as those of the active layer is previously bonded onto the active layer, and then the low resistance region is formed partially by heat treatment. - 特許庁

半導体基板上に導電型不純物を含有する能動層を形成し、この能動層に第１電極と第２電極とをショットキー接続した静電保護素子であって、前記第１電極と前記第２電極との間の能動層に、部分的に低抵抗領域を形成する。例文帳に追加

In the electrostatic protection element where an active layer containing conductivity type impurities is formed on a semiconductor substrate and Schottky connected with first and second electrodes, a low resistance region is formed partially on the active layer between the first and second electrodes. - 特許庁

ＣＰＰ型のＭＲ素子において能動領域を的確に規定し、さらに電極からの電流磁場の影響を、効果的に抑制し消失させるような構成を有する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magneto resistive effect element, a magnetic head and a magnetic reproduction apparatus with a configuration such that an active region is specified exactly and the effect of the current magnetic field from the electrode is effectively suppressed and disappeared in a CPP type MR component. - 特許庁

受動的情報と能動的行為要求情報とでは利用者１に与える心理的抵抗感が異なることを利用し、受動的情報と能動的行為要求情報からなる情報群を、利用者端末２を介して利用者１に提供することによって、利用者１の気持ちを徐々に乗せていく心理的リズムを与える。例文帳に追加

Using a difference in psychological refusal which a user 1 feels in the face of passive information and active action-requiring information, a group of information consisting of passive information and active action-requiring information is provided to the user 1 via the user's terminal 2 to provide psychological rhythm that cheers up the user 1. - 特許庁

トランジスタＴｒ１のコレクタ電流Ｉｃ１が比較的大きくなってくると、抵抗Ｒ５の端子間電圧すなわちトランジスタＴｒ３のベース−エミッタ間電圧が次第に上昇し、やがてトランジスタＴｒ３は能動状態に移行する。例文帳に追加

When the collector current Ic1 of a transistor Tr1 becomes comparatively large, voltage between the terminals of a resistor R5, namely voltage between the base and emitter of a transistor Tr3, is gradually boosted and then the transistor Tr3 is shifted into an active state. - 特許庁