超伝導超格子の英語

材料にその材料より価数が一つだけ少ない物質をアクセプターとして添加して、共有結合している材料の格子点（原子）に一つおきにホールを配列させ、ホール伝導により超伝導を実現する超伝導材料である。例文帳に追加

The superconducting material exhibits superconductivity by hole conduction realized by adding a substance having a valency less by one than that of a material to the material as an acceptor and arranging holes on lattice points (atoms) of the covalent bonding material alternately. - 特許庁

電子障壁層１６はＭｇＢｅＺｎＳｅＴｅ単層、またはＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＴｅ超格子からなり、電子障壁層１６の伝導体下端が活性層１５の伝導帯下端よりも高い準位となるような組成比となっている。例文帳に追加

The electron barrier layer 16 includes an MgBeZnSeTe single layer or the MgSe/BeZnTe superlattice, and has a composition ratio, where the lower end of the conductor of the electron barrier layer 16 becomes a level higher than that of the lower end of the conduction band of the active layer 15. - 特許庁

^28Ｓi同位体と^30Ｓi同位体を交互に５原子層ずつ成長させて積層し、同位体超格子を構成すれば、格子振動の最大の波数が５分の１に減少し、伝導帯間の波数ベクトルより小さくなり、遷移が起きなくなる。例文帳に追加

When an isotope supperlattice is constituted by alternately laminating layers respectively formed by growing the 28Si and 30Si isotopes by five atomic layers, the maximum wave number of lattice vibrations is reduced to 1/5, which is smaller than the wave number vector between conduction bands, and transition is prevented. - 特許庁

半導体上に作製される量子ドット列、または一般の固体において高い超伝導転移温度を実現し、かつ実現可能な格子形を提供する。例文帳に追加

To realize quantum dot array formed on a semiconductor or high superconductive transition temperature in a general solid substance, and provide a lattice type within reach. - 特許庁

室温における格子定数が０．５４３０２ｎｍを超過し、且つ０．５４３１１ｎｍ以下に制御されたＳｉ相を含む高熱伝導性含Ｓｉ材料である。例文帳に追加

The highly thermal conductive Si-containing material contains an Si phase in which a lattice constant at room temperatures exceeds 0.54302 nm, and is also controlled to ≤0.54311 nm. - 特許庁

超伝導超格子構造３のメサ構造部分３Ａは、金属薄膜４を介して、λ／４マイクロストリップライン（長さがマイクロ波の波長の１／４）８に電気的に接合されており、メサ構造部分３Ｂは、金属薄膜４を介して金属電極９に接続されている。例文帳に追加

A mesa structure part 3A of the structure 3 is electrically connected to a λ/4 microstrip line (a length is 1/4 of the wavelength of a microwave) 8, and a mesa structure 3B is connected to a metal electrode 9 via a metal thin film 4. - 特許庁

自然超格子でありながら局所的なドメインをほとんど形成せず、基板全体に亘って均一な自然超格子構造を有する化合物半導体、化合物半導体結晶及びそれらの製造方法、並びに良好な温度特性、電気伝導性、発光特性、高速変調特性を有する前記半導体結晶を用いた半導体デバイス及び半導体レーザの提供。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor and compound semiconductor crystal having a natural superlattice structure which is a natural superlattice, however, a local domain is hardly formed, and is uniform over the whole substrate, those manufacturing method, and a semiconductor device and semiconductor laser using a semiconductor crystal which has a good temperature characteristic, electric conductivity, emission characteristic, and high speed modulation characteristic. - 特許庁

ナノ・スケール不均一超伝導状態の研究を始めとして、磁束線格子の観測や磁束内電子状態の研究、さらには試料表面の凹凸像の観測に適用して好適な走査プローブ顕微鏡およびその使用方法を提供する。例文帳に追加

To provide a scanning probe microscope suitably adapted to the study of the observation of the lattice of lines of magnetic induction or an electron state in a magnetic flux inlusive of the study of a nanoscale non-uniform superconductive state and the observation of the uneven image on the surface of a sample, and its using method. - 特許庁