電荷移動エネルギーの英語

及び、主に活物質の酸化状態が変化し、電荷が電極界面を通して活物質に移動するファラデー的な反応で、反応速度が遅いものと速いものの少なくとも２種の反応機構により電気エネルギーを貯蔵・放出することを特徴とするエネルギーデバイスを作製することで低温での出力特性を改善した。例文帳に追加

An output characteristic at low temperature is improved by manufacturing the energy device by storing/releasing electric energy by at least two kinds of reaction mechanisms comprising one having a small reaction rate and the other having a large reaction rate, in the faradic reaction wherein an oxidation state of an active material mainly changes and charge moves to the active material through an electrode interface. - 特許庁

高いＬＵＭＯエネルギーとそれに基づく高い開放端電圧を発揮するとともに、ポリマーへの相溶性が高く電荷移動度ならびに電荷分離能に優れた、フラーレン核に近接した電子供与性基を有するフラーレン誘導体を提供する。例文帳に追加

To provide a fullerene derivative which exhibits a high LUMO energy and a high open-circuit voltage based thereon, which is highly soluble in polymers, exhibits excellent charge mobility and charge separation ability, and includes an electron-donating group in the vicinity of the fullerene nucleus. - 特許庁

このようなエネルギーバンド構造を有することにより、データ書き込み時には第１の絶縁膜１１１を介した電荷の移動が起こりやすく、書き込み動作速度を高速化することが可能で、かつ絶縁膜積層体に電荷を注入するために必要な書き込み電圧を小さく抑えることができる。例文帳に追加

Since this energy band structure is provided, charges are easily moved through the first insulating film 111 during data write to be able to increase a write operation speed, and a write voltage required for charge injection to a laminate of the insulating films can be reduced. - 特許庁

本発明は、半導体表面にフラーレン誘導体分子およびメタロセン分子のうち電子親和力が大きい、或いはイオン化エネルギーの小さいものを付着させることにより、分子から半導体への電荷移動を誘起させ、半導体のドーピングを行う。例文帳に追加

By having either fullerene derivative molecules or metallocene molecules, having larger electron affinity or smaller ionization energy adhered to the surface of a semiconductor, charge transfer from the molecule to the semiconductor is induced, and doping of the semiconductor is carried out. - 特許庁

前記エネルギーバンド調整層は、基本半導体部分に隣接する結晶格子内に取りこまれた、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、前記超格子は、超格子が存在しない場合に比べて、前記平行な方向において大きな電荷キャリア移動度を有する。例文帳に追加

The energy-band-modifying layer includes at least one non-semiconductor molecular layer constrained within a crystal lattice adjacent to the base semiconductor portion so that the superlattice has higher charge carrier mobility in the parallel direction than a case without the superlattice. - 特許庁

このような光電気セルは電極間距離が小さくかつ一定となるので電解質層を移動する電荷（電子）のエネルギー損失を小さくでき、しかもセル全体が均一な光学特性および電気特性を示すために光電変換効率を向上でき、しかも電解質の使用量を少なくできる。例文帳に追加

Thus, the distance between the electrodes is small and uniform to reduce the energy loss of the charges (electron) moving the electrolyte layer, so that the entire cell shows uniform optical and electrical properties, enhancing the photoelectric conversion rate as well as reducing the amount of the electrolyte used. - 特許庁

厚さ3.0nmのSiON膜（ゲート絶縁膜）３を形成し、次いで、絶縁膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有する紫外光を、SiON膜３に照射して、絶縁膜中に電子を発生させて絶縁膜中の非移動性の正電荷と結合させる紫外光照射工程を行う。例文帳に追加

An SiON film (gate insulation film) 3 having a thickness of 3.0 nm is formed and then an ultraviolet light irradiation process is performed in which ultraviolet light having energy larger than the band gap of the insulation film 3 is applied to the SiON film 3 to generate electrons in the insulation film 3 to join the electrons to immobile positive charges in the insulation film 3. - 特許庁

導電性の有無に係わらず物質表面の電荷移動力を正確に測定しうる電荷移動力検出装置及び方法を提供し、その測定により、物質の識別、局所的なイオン化エネルギー、電子親和力、仕事関数、界面の分極状態、界面の反応性等の物理的および化学的性質の検出を可能にする。例文帳に追加

To provide a charge moving force detection apparatus and method capable of accurately measuring the charge moving force of the surface of a substance, regardless of conductivity and non-conductivity and to detect the discrimination of the substance and physical and chemical properties such as local ionization energy, electron affinity, work function, interface polarizing state or interface reactivity by the measurement of the charge moving force. - 特許庁