高ドープ半導体の英語

イオン注入によらずに半導体膜に高濃度にドープされた領域を形成した半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device wherein an area doped at a high concentration instead of ion implantation is formed on a semiconductor film. - 特許庁

Ｇｅドープ化合物半導体を製造する際の、安全性の高いゲルマニウムの添加源を提供する。例文帳に追加

To provide an additional source of germanium with high safety when manufacturing a Ge-doped compound semiconductor. - 特許庁

鉄ドープされたＩＩＩ族窒化物を含む高品質な半導体膜を安定形成する。例文帳に追加

To stably form a high-quality semiconductor film containing an iron-doped group III nitride. - 特許庁

ボロン（Ｂ）を浅く、高濃度にドープすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is capable of doping boron (B) shallow but in a high concentration. - 特許庁

高度にドープされた半導体ウェハを製造する方法であって、単一のドープ剤を使用する場合よりも少量のドープ剤で、比抵抗の小さな、転位のない半導体ウェハを製造する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a highly doped semiconductor wafer whereby the dislocation-free semiconductor wafer with a small specific resistance is manufactured by using smaller amounts of doping agents compared to the amount used when using a single doping agent. - 特許庁

下地用半導体基板上に、転位密度が十分小さい高抵抗のノンドープ半導体結晶層を容易に結晶成長させることができる半導体の結晶成長方法、結晶成長装置及びそれらを用いて形成された高品質、高性能な半導体基板を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for semiconductor crystal growth and a crystal growing apparatus which can easily grow a non-doped semiconductor crystal layer having a sufficiently low dislocation density and a high resistance on a semiconductor substrate for a base, and also to provide a high-quality and high-performance semiconductor substrate manufactured by using these. - 特許庁

高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、主電流の流れる活性領域の周囲がノンドープ窒化ガリウム化合物半導体層により方位される構成の半導体装置とする。例文帳に追加

In a semiconductor device, gallium nitride semiconductor layers are stacked on a high-concentration silicon substrate, and an active region to which main current flows is surrounded by a non-doped gallium nitride compound semiconductor layer on the surface at the gallium nitride semiconductor layers side. - 特許庁

上部半導体の半導体装置内の電気信号により誘起される電荷層内の電荷は第１及び第２のドープされた半導体領域に接続されている電気的コンタクトを介して引き出され、これにより半導体装置内の高調波信号を減少させる。例文帳に追加

The electrical charges formed in an induced charge layer by the electrical signal in semiconductor devices on the top semiconductor layer are drawn through electrical contacts connected to the first and the second doped semiconductor regions, thereby reducing harmonic signals in the semiconductor devices. - 特許庁