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高堆積速度の英語
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英訳・英語 high deposition rate
「高堆積速度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 70件
高い堆積速度で堆積された平均的な品質のg−SiN_X膜72の頂面の上に低い堆積速度で高品質のg−SiN_X膜74を堆積し、次いで、アモルファスシリコン層を堆積する。例文帳に追加
On the top surface of a g-SiN_x film 72 of average quality deposited at a high rate of deposition, a high-quality g-SiN_x film 74 is deposited at a low rate of deposition, and after that the amorphous silicon layer is deposited. - 特許庁
a−Siの界面近傍の材料層は極高品質の膜を実現する低堆積速度で堆積され、界面から離れた材料層は多少劣るが高品質膜を形成する高堆積速度で堆積される。例文帳に追加
A material layer near the interface of an a-Si layer is deposited at a low deposition rate, so as to be extremely high in quality, and a material layer distant from the interface is deposited at a high deposition rate to be somewhat lower in quality than the former material layer but sufficiently high in quality. - 特許庁
低い堆積速度で高品質のa−Si層78をg−SiN_X層74の上に堆積して界面76を形成し、次に、高い堆積速度で平均的な品質のa−Si層80を堆積してa−Si層を完成させる。例文帳に追加
An interface 76 is formed after a high-quality a-Si layer 78 is deposited at a low rate of deposition on the g-SiN_x film 74, and then an average quality a-Si layer 80 is deposited, which completes the arrangement of the a-Si layers. - 特許庁
その際は先ず低堆積速度で高品質のa−Si層をg−SiN_X層上に堆積して界面56を形成後、高堆積速度で平均的品質のa−Si層を堆積してa−Si層58を完成させる。例文帳に追加
At this point, an a-Si layer of high quality is deposited on a g-SiNx layer at a low deposition rate to form an interface 56, and an a-Si layer of average quality is deposited thereon at a high deposition rate to have the formation of an a-Si layer 58 completed. - 特許庁
層状堆積物と柱状堆積物の技術的利点、すなわち、低熱伝導性、良好な寿命、良好な耐腐食性、および高い収率と堆積速度という利点を併せ持つ堆積物を得ることを可能にする。例文帳に追加
To obtain a deposit that combines the technical advantages of a lamellar deposit and of a columnar deposit, i.e., low thermal conductivity, good lifetime, good resistance to corrosion, and high yield and deposition rates. - 特許庁
TFT基板上にSiN_X層及びa−Si層を充分な堆積速度で堆積し、膜品質を極高く維持する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of depositing a SiNx layer and an a-Si layer on a thin film transistor(TFT) substrate at a sufficient deposition rate keeping high film quality. - 特許庁
積層型圧電セラミックス素子の製造方法において、堆積速度が大きく、堆積強度が高い、絶縁層の形成方法を提供する。例文帳に追加
To provide a forming method of an insulating layer with large deposition speed and high deposition strength in a manufacturing method of a laminated piezoelectric ceramic element. - 特許庁
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「高堆積速度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 70件
比較的高い成膜速度で、特性ムラおよび欠陥の少ない良好な堆積膜を形成する。例文帳に追加
To form a favorable deposited film with little unevenness in property and little defects at a relatively high deposition speed. - 特許庁
高い引上速度と改善された堆積効率でガラス物品を製造する方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing glass articles with a high pulling-up speed and improved deposition efficiency. - 特許庁
前記シリコン膜を形成する工程は、アモルファスシリコンを堆積させる第1工程と、アモルファスシリコンを堆積させると共にシリコン結晶粒を生成し、前記シリコン結晶粒の成長速度よりも前記アモルファスシリコンの堆積速度を高くする第2工程と、を有する。例文帳に追加
The step of forming the silicon film includes a first step of depositing amorphous silicon, and a second step of producing silicon crystal grains with the deposition of the amorphous silicon, and of setting the deposition rate of the amorphous silicon higher than the growth rate of the silicon crystal grains. - 特許庁
続いて、結晶化温度より高い温度に基板を加熱し、結晶化速度Rが堆積速度Sより大きい状態で堆積層を折衝貸しながら成膜する。例文帳に追加
In succession, the substrate is heated to the temperature higher than the crystallization temperature and the deposition layer is deposited under the crystallization effected in the state of the crystallization rate R higher than the deposition rate S. - 特許庁
集電体1の表面には凹凸が形成されると共に、集電体1上に低堆積速度層11と高堆積速度層13とが順に設けられていることを特徴とする。例文帳に追加
A concavo-convex shape is formed on the surface of a current collector 1, and a low-deposition speed layer 11 and a high-deposition speed layer 13 are formed on the current collector 1 in this order. - 特許庁
大面積の基体上に成膜される膜の堆積速度が速く、且つ、ガスの利用効率が良く、高品質な膜質である堆積膜を形成し、効率よく半導体デバイスを形成することができ、複数の円筒状基体の表面上に、高品質な堆積膜を高速度で形成し、効率良く半導体デバイスを形成することのできるプラズマCVD装置およびプラズマCVD法による堆積膜形成方法を提供する。例文帳に追加
To provide a plasma CVD apparatus and a method for forming a deposition film with plasma CVD, which have an adequate gas utilization efficiency, form a deposition film having high quality with high speed on a substrate of a large area or on the surface of several cylindrical substrates, and can efficiently manufacture a semiconductor device. - 特許庁
ケイ素化合物を含む原料ガスを燃焼反応させることによって得られるシリカを主成分とするシリカスート(シリカ微粒子の堆積体)を高収率、高堆積速度で合成できる堆積用バーナー及びシリカスートの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a burner for deposition, and a manufacturing method of silica soot capable of synthesizing the silica soot (a deposit of silica particulates) mainly composed of silica obtained by combustion reaction of raw material gas containing a silicon compound at a high yield and deposition speed. - 特許庁
これにより、周状の領域の突起24上に堆積した堆積物の除去速度を増大させることができ、チャンバ12内部構成部材に対するクリーニングプラズマの効果を高め、堆積したクリーニング残りの剥離によるパーティクルの発生を防止することができる。例文帳に追加
Thereby, the apparatus increases a removing rate for the deposits formed on the protrusion 24 in the circumferential region, enhances the effect of the cleaning plasma on the components inside the chamber 12, and prevents the production of the particles due to the peeling of the deposits remaining after the cleaning operation. - 特許庁
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