２ちゃんねらーの英語

排ガス処理装置１は、排ガスを内部に導入して当該排ガス中の除去対象物を燃焼させるチャンバー２と、チャンバー２の外部に設けられ、チャンバー２を加熱する加熱手段４とを備える。例文帳に追加

The exhaust gas treatment device 1 includes: a chamber 2 in which exhaust gas is introduced and a removal object material in the exhaust gas is burnt; and a heating means 2 provided outside the chamber 2 to heat the chamber 2. - 特許庁

カートリッジがフィラー材料15を受け入れるための貯蔵チャンバ6、7とネック2とを含み、ネック2がフィラー材料用の放出経路11、12を含む。例文帳に追加

This cartridge has storing chambers 6, 7 for use in receiving filler material 15 and a neck 2, where the neck 2 has filler material discharging passages 11, 12. - 特許庁

エッチングチャンバーの上部チャンバー２及び下部チャンバー５内部を断熱性の高いＯリング４によって高真空に保持するとともに、加熱源３によって上部チャンバー２の側壁のみを加熱し、上部チャンバー２と下部チャンバー５とに温度差を設け、さらに温度の高い上部チャンバー２側にウェハー６を配置させるようにする。例文帳に追加

High vacuum is kept in the upper and lower chambers 2, 5 of an etching chamber through a highly heat insulating O-ring 4 and only the side wall of the upper chamber 2 is heated by a heating source 3 to set a temperature difference between the upper and lower chambers 2, 5 before a wafer 6 is placed on the upper chamber 2 side of higher temperature. - 特許庁

ルータ１がルータ２から借用したＢチャンネルのデータはコミュニケーション・チャンネル３を通して配送される。例文帳に追加

The data of B channels borrowed from the router 2 to the router 1 are distributed through the communication channel 3. - 特許庁

それから、ガス導入口５からチャンバ２内に酸化性ガスを導入し、チャンバ２およびダミーウエハ１１を加熱する。例文帳に追加

Oxidizing gas is introduced into the chamber 2 from a gas introducing port 5 and the chamber 2 and the dummy wafer 11 are heated. - 特許庁

熱伝導性の基板２と、基板２に設けられたチャンバー４と、チャンバー４に培地を供給するための培地貯留部６とを有する。例文帳に追加

The apparatus is further provided with a heat conductive substrate 2, the chamber 4 installed in the substrate 2 and a culture medium storage part 6 for feeding a culture medium to the chamber 4. - 特許庁

インクジェットヘッドは、チャンネル溝４に隔てられるようにチャンネル壁１４が形成されたベース部材１と、カバー部材２とを備える。例文帳に追加

This inkjet head comprises a base member 1 for which a channel wall 14 is formed in a manner to be separated by a channel groove 4, and a cover member 2. - 特許庁

減圧可能なチャンバー１の内部に、ウェハ支持部を兼ねる電極２が設けられている。例文帳に追加

An electrode 2 functioning as a wafer supporter is provided in a chamber 1 where pressure can be reduced. - 特許庁