2周波整合回路の英語

よって、本例の場合、主アンテナ２が逓倍周波数電波Ｓ２を受信したとき、逓倍周波数電波Ｓ２で整合回路４の定数を調整することにより、受信電波Ｓ１における主アンテナ２側と受信回路３側とのインピーダンス整合をとる。例文帳に追加

Consequently, in this embodiment, when the main antenna 2 receives the multiplication frequency radio wave S2, the constant number of a matching circuit 4 is adjusted by the multiplication frequency radio wave S2, so as to obtain impedance matching between the main antenna 2 and a reception circuit 3 concerning the reception radio wave S1. - 特許庁

直列共振回路１、２の共振周波数Ｆ_１、Ｆ_２の制御により、アンテナ回路全体の並列共振周波数Ｆ_０を所望の周波数に同調し、かつインピーダンスを特定の値、例えば５０Ωに整合した共振特性を得る。例文帳に追加

By controlling resonance frequencies F_1 and F_2 of the resonance circuits 1 and 2, resonance characteristics are obtained wherein the parallel resonance frequency F_0 of the whole of an antenna circuit is tuned to a desired frequency and its impedance is adjusted to a specific value, e.g. 50 Ω. - 特許庁

本発明による成膜装置は，高周波電源９と，整合回路２３と，その整合回路を介して高周波電源９から電力を受け取り，その電力によって成膜対象である樹脂ボトル２を収容する成膜室１１の内部でプラズマを発生させる外部電極５と，整合回路２３のインピーダンスを制御するための制御部２６とを具備する。例文帳に追加

The film formation device is provided with: a high frequency power source 9; a matching circuit 23; an external electrode 5 of receiving electric power from the high frequency power source 9 via the matching circuit and generating plasma at the inside of a film formation chamber 11 storing a resin bottle 2 as the object for film formation; and a control part 26 for controlling the impedance of the matching circuit 23. - 特許庁

そして、整合回路２及び先端短絡スタブ３とともに高周波トランジスタ１の出力インピーダンスの整合を行ない、所望の増幅特性を得る。例文帳に追加

Then the output impedance of the high frequency transistor 1 is matched together with a matching circuit 2 and the tip short-circuit stub 3 to obtain a desired amplification characteristic. - 特許庁

高周波増幅器の入力整合回路５Ａを、直列キャパシタ５１と直列インダクタ５２と並列インダクタ５３および２Ω以上１５Ω未満の抵抗５４の直列回路とで構成する。例文帳に追加

An input matching circuit 5A of the high-frequency amplifier is composed of a serial capacitor 51, a serial inductor 52, and a series circuit of a parallel inductor 53 and a resistor 54 of 2 Ω or higher and is lower than 15 Ω. - 特許庁

入力整合回路２と、高周波用半導体素子３と、出力整合回路５とを具備するとともに、出力整合回路５中に、異なる信号を送出する複数の出力側マイクロストリップライン線路７、１０を有し、且つ該出力側マイクロストリップライン線路７、１０間に、複数のＧＮＤ線路９、１８を設けてなる。例文帳に追加

The high frequency component is provided with an input matching circuit 2, a high frequency semiconductor element 3 and an output matching circuit 5, the output matching circuit 5 has output side microstrip lines 7, 10 that transmit different signals, and GND lines 9, 18 are provided between the output side microstrip lines 7, 10. - 特許庁

高周波電力増幅器１は、前段側トランジスタ２、後段側トランジスタ３、及び前段側トランジスタ２と後段側トランジスタ３とを接続する段間整合回路４を備える。例文帳に追加

A radio frequency power amplifier 1 includes a former-stage transistor 2, a latter-stage transistor 3, and an inter-stage matching circuit 4 for connecting the former-stage transistor 2 and the latter-stage transistor 3. - 特許庁

被測定物となる高周波半導体素子１の高周波信号をコプレナ伝送モードで通過させるための信号線電極２および接地電極３を有するコプレナ伝送線路と、コプレナ伝送線路内に形成されたチップキャパシタ４（インピーダンス整合回路）とを備えている。例文帳に追加

The high frequency measuring probe comprises: a coplanar transmission line having a signal-line electrode 2 and ground electrodes 3, which are provided so as to make a high frequency signal from a target high frequency semiconductor device 1 pass in a coplanar transmission mode; and chip capacitors 4 (impedance matching circuits) formed within the coplanar transmission line. - 特許庁