「2周波整合回路」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

インピーダンス整合回路２Ａを収容したシャーシ２は、高周波電源１に帰還する高周波電流HCの方向に関して所定の周波数におけるインピーダンスが軸対称に等価とされている。例文帳に追加

As for a chassis 2 to house an impedance matching circuit 2A, the impedance in the prescribed frequency concerning the direction of a high-frequency current HC returning to the high frequency power supply 1 is made equivalent in an axial symmetry. - 特許庁

選択式整合回路２は、近接通信の際に、通信方式選択部４により選択した通信方式の共振周波数で共振させる。例文帳に追加

A selection system matching circuit 2 is resonated with a resonance frequency of the communication system selected by the communication system selection part 4 in the case of the proximity communication. - 特許庁

よって、本例の場合、主アンテナ２が逓倍周波数電波Ｓ２を受信したとき、逓倍周波数電波Ｓ２で整合回路４の定数を調整することにより、受信電波Ｓ１における主アンテナ２側と受信回路３側とのインピーダンス整合をとる。例文帳に追加

Consequently, in this embodiment, when the main antenna 2 receives the multiplication frequency radio wave S2, the constant number of a matching circuit 4 is adjusted by the multiplication frequency radio wave S2, so as to obtain impedance matching between the main antenna 2 and a reception circuit 3 concerning the reception radio wave S1. - 特許庁

直列共振回路１、２の共振周波数Ｆ_１、Ｆ_２の制御により、アンテナ回路全体の並列共振周波数Ｆ_０を所望の周波数に同調し、かつインピーダンスを特定の値、例えば５０Ωに整合した共振特性を得る。例文帳に追加

By controlling resonance frequencies F_1 and F_2 of the resonance circuits 1 and 2, resonance characteristics are obtained wherein the parallel resonance frequency F_0 of the whole of an antenna circuit is tuned to a desired frequency and its impedance is adjusted to a specific value, e.g. 50 Ω. - 特許庁

本発明による成膜装置は，高周波電源９と，整合回路２３と，その整合回路を介して高周波電源９から電力を受け取り，その電力によって成膜対象である樹脂ボトル２を収容する成膜室１１の内部でプラズマを発生させる外部電極５と，整合回路２３のインピーダンスを制御するための制御部２６とを具備する。例文帳に追加

The film formation device is provided with: a high frequency power source 9; a matching circuit 23; an external electrode 5 of receiving electric power from the high frequency power source 9 via the matching circuit and generating plasma at the inside of a film formation chamber 11 storing a resin bottle 2 as the object for film formation; and a control part 26 for controlling the impedance of the matching circuit 23. - 特許庁

そして、整合回路２及び先端短絡スタブ３とともに高周波トランジスタ１の出力インピーダンスの整合を行ない、所望の増幅特性を得る。例文帳に追加

Then the output impedance of the high frequency transistor 1 is matched together with a matching circuit 2 and the tip short-circuit stub 3 to obtain a desired amplification characteristic. - 特許庁

高周波増幅器の入力整合回路５Ａを、直列キャパシタ５１と直列インダクタ５２と並列インダクタ５３および２Ω以上１５Ω未満の抵抗５４の直列回路とで構成する。例文帳に追加

An input matching circuit 5A of the high-frequency amplifier is composed of a serial capacitor 51, a serial inductor 52, and a series circuit of a parallel inductor 53 and a resistor 54 of 2 Ω or higher and is lower than 15 Ω. - 特許庁

入力整合回路２と、高周波用半導体素子３と、出力整合回路５とを具備するとともに、出力整合回路５中に、異なる信号を送出する複数の出力側マイクロストリップライン線路７、１０を有し、且つ該出力側マイクロストリップライン線路７、１０間に、複数のＧＮＤ線路９、１８を設けてなる。例文帳に追加

The high frequency component is provided with an input matching circuit 2, a high frequency semiconductor element 3 and an output matching circuit 5, the output matching circuit 5 has output side microstrip lines 7, 10 that transmit different signals, and GND lines 9, 18 are provided between the output side microstrip lines 7, 10. - 特許庁

高周波電力増幅器１は、前段側トランジスタ２、後段側トランジスタ３、及び前段側トランジスタ２と後段側トランジスタ３とを接続する段間整合回路４を備える。例文帳に追加

A radio frequency power amplifier 1 includes a former-stage transistor 2, a latter-stage transistor 3, and an inter-stage matching circuit 4 for connecting the former-stage transistor 2 and the latter-stage transistor 3. - 特許庁

被測定物となる高周波半導体素子１の高周波信号をコプレナ伝送モードで通過させるための信号線電極２および接地電極３を有するコプレナ伝送線路と、コプレナ伝送線路内に形成されたチップキャパシタ４（インピーダンス整合回路）とを備えている。例文帳に追加

The high frequency measuring probe comprises: a coplanar transmission line having a signal-line electrode 2 and ground electrodes 3, which are provided so as to make a high frequency signal from a target high frequency semiconductor device 1 pass in a coplanar transmission mode; and chip capacitors 4 (impedance matching circuits) formed within the coplanar transmission line. - 特許庁

複数のコイル１，２をプラズマ・チャンバの誘電体ウィンドウ上に配置し、単一の高周波発生器３１０で電力を供給し、単一の整合回路網３２０によって調整する。例文帳に追加

A plurality of coils 1 and 2 are positioned on a dielectric window of a plasma chamber, are powered by a single radio frequency generator 310 and are tuned by a single matching network 320. - 特許庁

Ｓｉ基板上に高いＱ値の整合回路を形成しうるようにして、Ｓｉ基板上に２GHz以上の周波数帯におけるＭＭＩＣを実現できるようにする。例文帳に追加

To form a matching circuit of high Q value on Si substrate and to provide an MMIC(monolithic microwave integrated circuit) in a frequency band which is equal to or higher than 2 GHz on the Si substrate. - 特許庁

複数の単位トランジスタ３が並列に接続されたトランジスタ列からなり、高周波を増幅する増幅素子と、トランジスタ列の隣り合った単位トランジスタ３のフィンガ間にそれぞれ形成された出力整合回路の回路素子２とを備える。例文帳に追加

This high-frequency amplifier includes: an amplifier element including a transistor sequence with a plurality of unit transistors 3 connected in parallel to one another for amplifying a high frequency; and circuit elements 2 of output rectifier circuits each formed between fingers of the unit transistors 3 adjacent to each other in the transistor sequence. - 特許庁

前記増幅部２においては、必要帯域に亘り２倍波を増幅し３倍波以上の不要高調波を減衰させる周波数特性を、１／４波長線路等を用いた共振回路に依らず、入出力整合回路２０及び２１により実現する。例文帳に追加

The amplifier section 2 uses input output matching circuits 20, 21 to realize a frequency characteristic wherein the second harmonic wave is amplified and undesired harmonics of a third harmonic wave or more are attenuated over the required band without the need for a resonance circuit employing a 1/4 wavelength line or the like. - 特許庁

また、ミキサ６の出力する信号とバンドパスフィルタ６の出力する信号との電力を測定し、この測定された電力に基づいて、帯域外干渉雑音電力を抑圧するように整合回路２を制御し、送受信周波数帯域を調整する感度検出器２０とを有する。例文帳に追加

The apparatus also has a sensitivity detector 20 for measuring power of a signal outputted by the mixer 4 and a signal outputted by the band-pass filter 6, controlling the matching circuit 2 so that out-band interference noise power is suppressed on the basis of the measured power, and adjusting the transmission/reception frequency band. - 特許庁

水平指向特性を有する磁界モードアンテナ素子であるループアンテナ素子７が、下部筐体２のヒンジ部３の近傍において携帯電話機１００の幅方向（Ｙ軸方向）に沿って配置され、整合回路８を介して高周波スイッチ９に接続されている。例文帳に追加

A loop antenna element 7 being a magnetic field mode antenna element with a horizontal directivity characteristic is arranged along a width direction (Y axis direction) of the mobile phone 100 in the vicinity of a hinge 3 of a lower case 2 and connected to a high frequency switch 9 via a matching circuit 8. - 特許庁

電力増幅器に印加されるアンテナ１２からの雷サージを低減させるため、アンテナ１２と同調整合回路１０の間に低周波成分カット用コンデンサ１１を挿入し、この各電力増幅器５の出力側に雷サージ吸収回路７およびＨＰＦ（高域通過フィルタ）６を接続した。例文帳に追加

In order to reduce the lightning surge 2 to be applied to a power amplifier from an antenna 12, a capacitor 11 for low frequency component cut is inserted between the antenna 12 and a tuning matching circuit 10, and a lightning surge absorption circuit 7 and an HPF (high-pass filter) 6 are connected on the output side of each power amplifier 5. - 特許庁

高周波モジュール１は、２段のダウンキャビティ２ｃを設けたセラミック多層基板２と、ダウンキャビティ２ｃ内に実装されたアンテナスイッチ用ＩＣ３と、セラミック多層基板２の上面２ａに実装された受信側フィルタ４，送信側フィルタ５および整合用回路部品６とを備えている。例文帳に追加

The high frequency module 1 is provided with: a ceramic multilayer board 2 provided with a 2-stage down-cavity 2c; an antenna switch IC 3 mounted in the down-cavity 2c; a reception side filter 4, a transmission side filter 5, and a matching circuit component 6 mounted on an upper side 2a of the ceramic multilayer board 2. - 特許庁