2 Lsとは 意味・読み方・使い方

The relation of a distance Ls between a base layer (5), formed on the surface of a drift layer (3) and an n-type buffer layer (2) and film thickness t of a semiconductor substrate (10) formed contacting the drift layer (3), is set at Ls≤t≤2×Ls.例文帳に追加

ドリフト層（３）表面に形成されるベース層（５）とｎ型バッファ層（２）との間の距離Ｌｓと、このドリフト層（３）に接して形成される半導体基板（１０）の膜厚ｔとの関係を、Ｌｓ≦ｔ≦２・Ｌｓに設定する。 - 特許庁

(where n is a natural number)... equation 1 La/Ls=Pa/Ps... equation 2.例文帳に追加

ＰＬ＝{Ｐｓ・Ｐａ／（Ｐｓ＋Ｐａ）}・ｎ（但し、ｎは自然数） ・・・式１ Ｌａ／Ｌｓ＝Ｐａ／Ｐｓ ・・・式２ - 特許庁

The outer lead LS 1 is an external terminal connected to the path which drives the gate, and the outer leads LS 2 are external terminals connected to the main current path.例文帳に追加

アウタリードＬＳ１は、ゲートを駆動する経路に接続される外部端子であり、アウタリードＬＳ２は、主電流経路に接続される外部端子である。 - 特許庁

A value (Slide) showing a rate of how much the position of the vertex of the tilted PRT is shifted from the position of the vertex of the standard PRT with respect to the range of Ls/2 is defined as Slide=ΔS/(Ls/2).例文帳に追加

また、チルトしたＰＲＴの頂点の位置が標準ＰＲＴの頂点の位置に対し、Ｌs ／２の範囲に対してどれだけずれたかの割合を示す値（Slide）は、Slide＝ΔＳ／（Ｌs／２）となる。 - 特許庁

PL={Ps×Pa/(Ps+Pa)}×n (where (n) is natural number)... expression 1 La/Ls=Pa/Ps... expression 2.例文帳に追加

ＰＬ＝{Ｐｓ・Ｐａ／（Ｐｓ＋Ｐａ）}・ｎ（但し、ｎは自然数） ・・・式１ Ｌａ／Ｌｓ＝Ｐａ／Ｐｓ ・・・式２ - 特許庁

The film 10 is formed on a high concentration carrier layer 3 (antireflection film 2) of the layer structure LS.例文帳に追加

膜１０は、層構造体ＬＳの高濃度キャリア層３（反射防止膜２）側に形成される。 - 特許庁

The lighting device 1 which is a guiding lamp is connected to a control device 2 through a signal line Ls.例文帳に追加

誘導灯である照明装置１が信号線Ｌｓを介して制御装置２に接続される。 - 特許庁

φ is 2 π(Ls-u×Ld)/Ld, where "Ls" is a distance between shafts of image carriers, "Ld" is a surface moving distance of an image carrier per rotation of each drive gear, and "u" is the number of rotations of the drive gear while an object to be transferred moves the Ls.例文帳に追加

ただし、「Ｌｓ」は像担持体間の軸間距離、「Ｌｄ」は各駆動ギヤ一回転あたりの像担持体の表面移動距離、「ｕ」はＬｓを被転写体が移動する間に駆動ギヤが回転する周回数である。 - 特許庁