Amyl acetateとは 意味・読み方・使い方

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes an alcohol solvent A, and a solvent B made of n-amyl acetate or ethyl acetate or the admixture thereof.例文帳に追加

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるアルコール溶媒Ａと、酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｂとを含むレジスト現像剤。 - 特許庁

The developer used for developing a latent image formed in a film of the copolymer A to from a resist pattern is based on at least one solvent selected from propylene glycol monomethyl ether acetate, amyl acetate and butyl acetate and contains a poor solvent for the copolymer as an auxiliary solvent.例文帳に追加

共重合体Ａのフィルムに形成された潜像を現像させてレジストパターンを形成するために用いられる現像液であって、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸アミル及び酢酸ブチルの中から選ばれる少なくとも１種の溶剤を主成分とし、該共重合体に対する貧溶剤を補助溶剤とすることを特徴とするレジストパターン形成用現像液。 - 特許庁

The resin composition for a coating material comprise ethyl 3-ethoxypropionate, methyl amyl ketone, tert-butyl acetate, 4- chlorobenzotrifluoride, benzotrifluoride, monochlorotoluene or 3,4- dichlorobenzotrifluoride as a solvent and, dissolved therein, a fluorine-containing copolymer.例文帳に追加

３−エトキシプロピオン酸エチル、メチルアミルケトン、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、４−クロロベンゾトリフルオリド、ベンゾトリフルオリド、モノクロロトルエン、または３，４−ジクロロベンゾトリフルオリドを溶媒とし、該溶媒に含フッ素共重合体を溶解する。 - 特許庁

An insect-proof agent having repellent performances for the coming flying insect pests comparable to DEET (N,N-diethyl-toluamide) without exerting the adverse effects on the human bodies can be provided by using cinnamyl acetate, amyl cinnamate, and isoamyl cinnamate which are one kind each of cinnamic acid derivatives.例文帳に追加

桂皮酸誘導体の一種である、酢酸シンナミル、アミルシンナメート、イソアミルシンナメートを用いることで、人体に対して悪影響を与えることが無く、ＤＥＥＴに匹敵する飛来害虫忌避性能を有する防虫剤を提供することができる。 - 特許庁

This solution material is prepared by adding 1,500-5,000 ppm Hdpm to a mixture comprising at least one organometallic compound material and at least one organic solvent selected from among tetrahydrofuran, methyltetrahydrofuran, n-octane, isooctane, hexane, cyclohexane, pyridine, lutidine, butyl acetate, and amyl acetate.例文帳に追加

１種又は２種以上の有機金属化合物原料と、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ｎ-オクタン、イソオクタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ピリジン、ルチジン、酢酸ブチル及び酢酸アミルからなる群より選ばれた１種又は２種以上の有機溶媒とを混合してなる原料液に添加剤としてＨｄｐｍを１５００〜５０００ｐｐｍを含む。 - 特許庁

As for this lithium secondary battery, at an electrolyte and/or a part contacted with the electrolyte such as a negative electrode 3, at least one of sodium acetate, lithium acetate, and sodium benzoate, and at least one of biphenyl, cyclohexyl benzene, 2-fluoro anisole, tert-amyl benzene, and tert-butyl benzene are contained.例文帳に追加

電解質及び／又は負極３などの電解質と接触する部分に、酢酸ナトリウム、酢酸リチウム、および安息香酸ナトリウムのうちの少なくとも１つと、ビフェニル、シクロヘキシルベンゼン、２−フルオロアニソール、ターシャルアミルベンゼン、およびターシャルブチルベンゼンのうちの少なくとも１つとを含有させる。 - 特許庁

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, and a solvent B higher in solubility for the resist layer than the solvent A and made of n-amyl acetate, or ethyl acetate or the admixture thereof.例文帳に追加

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高い酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｂとを含む。 - 特許庁

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, an alcohol solvent B higher in solubility for the resist layer than the solvent A, and a solvent C made of n-amyl acetate or ethyl acetate or the admixture thereof.例文帳に追加

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Ｂと、酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｃとを含む。 - 特許庁