BN-50とは 意味・読み方・使い方

An event managing program 50 is transferred via the Internet, from a host computer A1 to client computers B1 to Bn requiring monitoring.例文帳に追加

ホストコンピュータＡ１からインターネットを介してイベント管理プログラム５０を監視が必要なクライアントコンピュータＢ１〜Ｂｎに転送する。 - 特許庁

The electrically conductive ceramics contain titanium diboride (TiB_2), boron nitride (BN) and aluminum nitride (AlN) as components, and have a relative density of ≥90% and a shore hardness of ≤50.例文帳に追加

二硼化チタン（ＴｉＢ_2）、窒化硼素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を成分とし、相対密度９０％以上、ショア硬度５０以下であることを特徴とする導電性セラミックス。 - 特許庁

In the HEMT element 3, a BGaN portion 50 composed of a mixed crystal of BN and GaN is formed at the middle in the thickness direction of the GaN electron transit layer 45.例文帳に追加

このＨＥＭＴ素子３において、ＧａＮ電子走行層４５の厚さ方向途中部に、ＢＮとＧａＮとの混晶からなるＢＧａＮ部５０を形成する。 - 特許庁

As a material of inner ring, outer ring, and a rolling element of a roller bearing, there is used compound sintered element which includes silicon nitride (Si_3N_4) and hexagonal boron nitride (h-BN), the content of which is ≥5% and ≤50% in area ratio.例文帳に追加

転がり軸受の内輪、外輪、および転動体の材料として、窒化硅素（Ｓｉ_3 Ｎ_4 ）と六方晶窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）とを含有し、六方晶窒化ホウ素の含有率が面積率で５％以上５０％以下である複合焼結体を用いる。 - 特許庁

When a boron nitride film in which a c-BN content is ≥50% is deposited on a base material by a physical vapor deposition process using a target material comprising boron in an atmosphere including an inert gas, the film deposition is performed in a mixed gas atmosphere mixed with at least two kinds of Ar and He.例文帳に追加

基材に、不活性ガスを含む雰囲気中でホウ素を含むターゲット材料を用いた物理蒸着法でｃ−ＢＮの含有率が５０％以上である窒化ホウ素膜を成膜する際、少なくともＡｒとＨｅの２種が混合された混合ガス雰囲気中で成膜を行う。 - 特許庁

A developing device 2 to use a developer 3 having a magnetic tonner 3a has a developing magnetic pole P_1 inside a developing sleeve 4 and is configured so that the attenuation factor or normal direction magnetic flux density Bn to be generated outside the surface of the developing sleeve is set to be ≥50% by that developing magnetic pole.例文帳に追加

磁性トナー３ａをもつ現像剤３を用いる現像装置２は、現像スリーブ４の内部に現像磁極Ｐ１をもち、その現像磁極により現像スリーブ表面外側に発生する法線方向磁束密度Ｂｎの減衰率が５０％以上となるように構成されている。 - 特許庁

A phase controlling part 50 varies the phase of the component corresponding to the frequency BN specified by the frequency specifying part 40 of the spectrum QB of each frame after the processing by the noise suppressing part 30, by a variation amount set by the variation amount setting part 52 for the frame.例文帳に追加

位相制御部５０は、雑音抑圧部３０による処理後の各フレームのスペクトルＱBのうち周波数特定部４０が特定した周波数ＢNに対応した成分の位相を、変化量設定部５２が当該フレームについて設定した変化量だけ変化させる。 - 特許庁