Beyond the gate...とは 意味・読み方・使い方

Situated in the southeast of the Imperial Palace, this hall was located to southeast of Shishinden Hall (Throne Hall), south of Ryokiden Hall, and to the north of Shunkyoden Hall beyond Nikka-mon Gate.発音を聞く 例文帳に追加

内裏の南東にあり、紫宸殿の東南、綾綺殿の南、日華門を挟んで春興殿の北に位置する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The storage capacitor electrode 73 is put over the gate bus line 55 beyond one side edge 55b, and preferably the common electrode 72 is put over the gate bus line 55 beyond the other side edge 55a.例文帳に追加

蓄積容量電極７３は、ゲートバスライン５５に対してその一方のサイドエッジ５５ｂを乗り越えるようにして重ねられ、共通電極７２は、ゲートバスライン５５に対してその他方のサイドエッジ５５ａを乗り越えるようにして重ねられるのが好ましい。 - 特許庁

The main gate (relocated former gate of one of the halls of Tofukumon-in Temple) faces the T-junction of Higashioji-dori Street and Shichijo-dori Street, and beyond this stand the halls including the Ko-do (reconstructed in 1995 after 300 years), the large study hall and the Shin-den.発音を聞く 例文帳に追加

東大路通りと七条通りのT字路に面して総門（東福門院の旧殿の門を移築したもの）が建ち、その先には講堂（平成7年、1995年、300年ぶりに再建）、大書院、宸殿などが建つ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A side wall spacer is arranged which is formed of an insulating material on the flank of the gate electrode, and covers a portion of the 1st semiconductor film beyond the edge of the 1st semiconductor film on the gate electrode side.例文帳に追加

ゲート電極の側面上に絶縁材料で形成され、第１の半導体膜のゲート電極側の縁を越え、該第１の半導体膜の一部を覆うサイドウォールスペーサが配置されている。 - 特許庁

In addition, since a clamp circuit 10 is provided between a gate and a source of a transistor QH, a voltage between the gate and the source does not increase beyond necessity.例文帳に追加

また、クランプ回路１０がトランジスタＱＨのゲート−ソース間に設けられているため、当該ゲート−ソース間電圧が必要以上に上昇することがなくなる。 - 特許庁

A semiconductor layer 7 constituting TFT has an area that extends beyond the edge of a gate electrode 2, and the distance between the edge of the semiconductor layer 7 on this area and the edge of the gate electrode 2, namely, the extended length L1 of the semiconductor layer 7 from the edge of the gate electrode 2 is made equal or more than 3 micron.例文帳に追加

ＴＦＴを構成する半導体層７は、ゲート電極２端を越えて延びた領域を有し、この領域の半導体層７端とゲート電極２端の距離すなわちゲート電極２からの半導体層７パターン延在量Ｌ１を３μｍ以上とする。 - 特許庁

The pachinko balls P1 supported with a gate valve 3b1 provided on a fixed wall 2b of a pumping path 2 ascend just being supported with a gate valve 3a1 as a slide wall 2b rises and push a gate valve 3b0 open wide moving beyond it.例文帳に追加

揚送路２の固定壁２ｂに備わる仕切り弁３ｂ１によって支持されたパチンコ玉Ｐ１は、摺動壁２ｂの上昇に伴って今度は仕切り弁３ａ１よって支持されながら上昇し、仕切り弁３ｂ０を押し広げて越えていく。 - 特許庁

The power supply voltage VDD is impressed, and when the voltage of the gate of a PMOS 24 is beyond a threshold voltage, the voltage of a node N3 is turned to be higher than that of the ground GND as much as the threshold of the PM0S 24.例文帳に追加

電源電圧ＶＤＤにより、ＰＭ０Ｓ２４のゲートにかかる電圧が閾値電圧を越える場合には、ノードＮ３はグランドＧＮＤに対して該ＰＭＯＳ２４の閾値分だけ高い電圧となる。 - 特許庁