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Weblio専門用語対訳辞書での「F-doped」の意味

F-doped

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。


「F-doped」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 11



例文

F-DOPED QUARTZ GLASS AND PROCESS OF MAKING SAME例文帳に追加

Fドープ石英ガラス及び作成プロセス - 特許庁

The transparent conductive film is preferred to have as a main component either an indium oxide, tin oxide, zinc oxide, F-doped tin oxide, Al-doped zinc oxide, Sb-doped tin oxide, ITO, or In_2O_3-ZnO system amorphous transparent conductive film.例文帳に追加

透明導電膜が酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、Fドープ酸化錫、Alドープ酸化亜鉛、Sbドープ酸化錫、ITO、In_2O_3−ZnO系アモルファス透明導電膜の何れかを主成分とすることは好ましい。 - 特許庁

The resist mask 7 is removed by ashing, using a plasma produced from O2 ashing gas doped with an F-containing gas.例文帳に追加

レジストマスク7を、Fを含むガスを添加したO_2アッシングガスのプラズマを用いて、アッシング除去する。 - 特許庁

Oxide fine particles (B) are preferably oxide fine particles such as of tin oxide, an Sb-, an F- or a P-doped tin oxide, indium oxide, an Sn- or an F-doped indium oxide, antimony oxide or a low-order titanium oxide and a mixture thereof.例文帳に追加

酸化物微粒子(B)は、酸化錫、Sb、FまたはPをドープした酸化錫、酸化インジウム、SnまたはFをドープした酸化インジウム、酸化アンチモン、低次酸化チタン等およびこれらの混合物等の酸化物微粒子が好ましい。 - 特許庁

In the dielectric layer 2, fluorine (F) is doped by uneven distribution toward an anode and also metal, i.e., at least one of aluminum (Al) and tantalum (Ta) is solidly melted.例文帳に追加

ここで、誘電体層2内には、陽極側に偏在してフッ素(F)がドープされるとともに、アルミニウム(Al)とタンタル(Ta)の少なくとも一方の金属が固溶されている。 - 特許庁

The F-doped synthetic quartz glass material contains, by weight, less than 50 ppm of Cl, less than 50 ppb of Na, less than 50 ppb in total of transition metals, and 0.1-5,000 ppm of fluorine.例文帳に追加

50ppmより少ないCl、50ppbより少ないNa、合計して50ppbより少ない遷移金属、及び0.1ppmから5000ppmのフッ素、を含有するFドープ合成石英ガラス材料とする。 - 特許庁

例文

To provide a method for preparing a conductive pigment based on a tin-mixed oxide which has been doped with F- and/or PO43- and which is added as a conductive layer to a substrate.例文帳に追加

導電性の層として基質に加えられるF^-および/またはPO_4^3-でドープしたスズ混合酸化物をベースとする導電性顔料の調製方法を提供する。 - 特許庁

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「F-doped」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 11



例文

In this method, a substrate coated with SnO2 is precipitated and then calcined; and thus formed SnO2 layer is converted into an F- and/or PO43--doped tin-mixed oxide layer.例文帳に追加

本発明の方法では、最初にSnO_2で被覆された基質が析出およびその後のか焼によって調製され、ついでこのSnO_2層がF^-および/またはPO_4^3-でドープしたスズ混合酸化物層に転換される。 - 特許庁

This coating liquid for forming the electroconductive film contains electroconductive fine particles, a coloring agent and a polar solvent, wherein the electroconductive fine particles are indium oxide-based fine particles selected from indium oxide or indium oxide doped with Sn or F, and the coloring agent is particles having a positive charge.例文帳に追加

導電性微粒子と着色剤と極性溶媒とを含み、導電性微粒子が酸化インジウム、SnまたはFがドーピングされた酸化インジウムから選ばれる酸化インジウム系微粒子であり、着色剤が正電荷を有する粒子であることを特徴とする透明導電性被膜形成用塗布液。 - 特許庁

To provide an F-doped quartz glass material used in the lithographic application operating at a shorter wavelength than about 300 nm, which shows a lower polarization-induced birefringence or preferably, does not show the polarization-induced birefringence substantially even after being subjected to 10 million pulses of linearly polarized pulsed laser beam at 157 nm having a fluence of 250 μJ×cm^-2×pulse^-1 and a pulse length of 30 ns.例文帳に追加

フルエンスが250μJ・cm^−2・パルス^−1で、パルス長が30nsの、157nm直線偏光パルスレーザビームの1000万パルスをかけた後でも低い偏光誘起複屈折を示し、あるいはさらに望ましくは、実質的に偏光誘起複屈折を示さない、約300nmより短波長で動作するリソグラフィ用途に適する石英ガラス材料を提供する。 - 特許庁

例文

A difference in film thickness between an F-Doped-SiO_2 film 10 and a SiON film 11, a difference in etch rates, and a micro loading effect at the time of etching are considered to modify hole diameters of Via contacts 13', 14' and 15', thus enabling over-etching the base material to the same degree.例文帳に追加

F−Doped−SiO_2膜10とSiON膜11との膜厚の相違、エッチレートの相違およびエッチング時のマイクロローディング効果を考慮して、Viaコンタクト13’とViaコンタクト14’,15’との開口径を変更することにより下地に対して同程度のオーバーエッチを施すことができる。 - 特許庁

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