Growing Pointとは 意味・読み方・使い方

Since the growing point and a converging point exist on a dashed line, the boundary of scanning intersects the interface of writing area and non-writing area perpendicularly at all times.例文帳に追加

破線上に成長点と収束点が存在することによって、描画領域と非描画領域の界面と走査の境界が常に垂直に交わる。 - 特許庁

An image pattern is formed while taking account of a position subjected to disturbance of scanning by matching the growing point of mesh point with an optical system being scanned continuously.例文帳に追加

網点の成長点を連続走査される光学系と一致させ、走査の乱れの出やすい位置を考慮した画像パターンの形成を行う。 - 特許庁

Thereby unevenness of the surface of the seed crystal 5 to be a starting point of dislocation in the growing layer of the silicon carbide single crystal is extremely minimized so that the occurrence of dislocation in the growing layer is suppressed.例文帳に追加

これにより、炭化硅素単結晶成長層の転位の起点となる、種結晶５表面の凹凸が極めて小さくなり、成長層の転位の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal which is capable of growing a silicon single crystal which contains a region wherein dislocation clusters are produced and is reduced in the density of the LPD (light point defect) having a size of 0.09 μm or more.例文帳に追加

転位クラスター発生領域を含み、０．０９μｍ以上のＬＰＤ密度が少ないシリコン単結晶を育成できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

The first cooling treatment is performed, and a lower silicon layer 14 is formed by crystal growing the silicon in the silicon containing low melting point metal fused solution 13 on the area starting from the crystal growing seed 12.例文帳に追加

そして第１の冷却処理を行い、シリコン含有低融点金属溶融液１３中のシリコンを結晶成長のシード１２を起点に結晶成長させて下層シリコン層１４を形成する。 - 特許庁

To provide a method of growing a single crystal of gallium oxide at a lower temperature than the melting point (1,900°C) of gallium oxide.例文帳に追加

酸化ガリウムの融点（１９００℃）よりも低温で酸化ガリウムの単結晶を成長させる方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The lubricant is continuously ejected in the direction to the rear edge before staying at the stagnation point and growing into massive drops.例文帳に追加

淀み点に潤滑剤が滞留して塊状の液滴に成長する前に、潤滑剤を後縁方向に連続的に排出することができる。 - 特許庁

To provide a process for growing a single crystal silicon ingot which contains an axially symmetric region which is substantially free of agglomerated intrinsic point defects.例文帳に追加

凝集真性点欠陥を実質的に含まない軸対称領域を有する単結晶シリコンインゴットを成長させる方法を提供する。 - 特許庁