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K damageとは 意味・読み方・使い方
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「K damage」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 29件
In 1892, he published a co-authored photo collection titled 'The Great Earthquake of Japan' (a photo collection on the damage from Nobi Earthquake) with William K. BURTON.発音を聞く 例文帳に追加
明治25年（1892年）、「THEGREATEARTHQUAKEOFJAPAN」（濃尾地震の被害についての写真集）をウィリアム・K・バートンとの共著で出版する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
To provide a method of preparing an interlaminar insulation film to form a low-k film, without giving thermal and chemical damage to LSI bodies.例文帳に追加
LSI本体に熱的及び化学的ダメージを与えずに、low-k膜を形成するための層間絶縁膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
It may further include a step for performing a damage-adding step to the high-k material layer 5.例文帳に追加
前記ｈｉｇｈ−ｋ物質層５をダメージ付与ステップにさらすステップをさらに含んでもよい。 - 特許庁
To provide a treatment condition for achieving precise etching with a high selection ratio without generating any film damage in a low-permittivity film (Low-k film, such as SiOCH).例文帳に追加
低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。 - 特許庁
To remove a resist film on a workpiece by ashing without giving any damage onto the low-k film of the workpiece.例文帳に追加
被処理体が備えるＬｏｗ−ｋ膜にダメージを与えることなく，被処理体上のレジスト膜をアッシング除去する。 - 特許庁
To provide a substrate processing method in which a damage of a Low-k film after a resist removal can be sufficiently recovered.例文帳に追加
レジスト除去後のＬｏｗ−ｋ膜のダメージを十分に回復することができる基板処理方法を提供すること。 - 特許庁
A spin-on low-k CMP protective layer 5 prevents a damage which may occur on the low-k dielectric 3 due to an uneven CMP process from the center to an edge or in an area varied in metal density.例文帳に追加
スピンオン低ｋＣＭＰ保護層５は、中央部からエッジへのまたは金属密度が変化する領域におけるＣＭＰプロセスの非均一性のために生じ得る低ｋ誘電体３へのダメージを阻止する。 - 特許庁
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「K damage」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 29件
To suppress damage given to a low dielectric constant film (Low-k film) formed on a workpiece and a base film more than before.例文帳に追加
被処理体上に形成される低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）や下地膜に与えるダメージを従来以上に抑制する。 - 特許庁
To provide an electrolytic polishing method of a substrate by which dishing or erosion can be reduced without causing damage to an insulating film such as a Low-k film.例文帳に追加
Ｌｏｗ−ｋ膜等の絶縁膜に対するダメージが少なく、ディッシング、エロージョンが低減できる基板を電解研磨する方法を提供する。 - 特許庁
To restrain generation of damage layer at the side wall of a trench or via-hole of the damascene wiring, and also to restrain generation of voids in the porous Low-k film.例文帳に追加
ダマシン配線のトレンチあるいはビアホールの側壁部でのダメージ層の生成および多孔質のＬｏｗ−ｋ膜中でのボイドの発生を抑制する。 - 特許庁
Therefore, short-circuiting due to contact between the soldering face of the top lamp board 5 or the connection wire group K and the glass retaining frame 20 is prevented, thereby damage of them is prevented.例文帳に追加
よって、トップランプ基板５の半田面または接続線群Ｋとガラス保持枠２０との接触に伴う短絡が防止され、その結果、これらの破損が防止される。 - 特許庁
Therefore, a short circuit due to a contact between the soldered surface of the top lamp board 5 or the group of connecting wires K and the glass holding frame 20 is prevented, as a result, the damage of these parts can be prevented.例文帳に追加
よって、トップランプ基板５の半田面または接続線群Ｋとガラス保持枠２０との接触に伴う短絡が防止され、その結果、これらの破損が防止される。 - 特許庁
To completely suppress peeling of interlayer film resulting from weakness in strength of close contact of a low-k film and damage generated during the dicing process.例文帳に追加
本発明は、ｌｏｗ−ｋ膜の密着強度の弱さやダイシング時のダメージに起因する、層間膜剥がれを抑制できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁
Therefore, the short circuit caused by the contact between the soldered surface of the top lamp substrate 5 or a bunch of connection wires K and the glass holding frame 20 is prevented, thus the damage of those electrical parts being prevented.例文帳に追加
よって、トップランプ基板５の半田面または接続線群Ｋとガラス保持枠２０との接触に伴う短絡が防止され、その結果、これらの破損が防止される。 - 特許庁
To establish a manufacturing method of a semiconductor device using a residue removing liquid by providing the residue removing liquid after the dry process capable of suppression of slight crack-like corrosion which can not have been resolved by a conventional polymer peeling liquid without giving damage to a Cu and low-k film.例文帳に追加
本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。 - 特許庁
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