LEC methodとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of producing a compound semiconductor single crystal by a LEC method, by which the crystal is stably grown by preventing the occurrence of lamella.例文帳に追加

ラメラの発生を防止して安定に結晶成長させることができるＬＥＣ法化合物半導体単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaAs single crystal by an LEC method, by which a GaAs single crystal wafer with few square pits can be obtained.例文帳に追加

角ピットの少ないＧａＡｓ単結晶ウェハを得ることが可能なＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for growing gallium arsenide single crystal, by which the occurrence of cloudiness due to B_2O_3 in liquid encapsulate Czochralski(LEC) method is eliminated, the seeding is facilitated and which is performed with excellent reproducibility.例文帳に追加

ＬＥＣ法によるＢ_2Ｏ_3の白濁の発生を解消し、種付けが容易、且つ再現性良く実施できる砒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal employing a single crystal pulling method (LEC method) using a liquid encapsulant, by which the occurrence of the lamella of a crystal can be prevented with high reproducibility.例文帳に追加

液体封止材を用いた単結晶引上法（ＬＥＣ法）において、再現性よく結晶のラメラ発生を防止することを可能とした化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound single crystal through an LEC (liquid encapsulated Czochralski) method, whereby a solid-liquid interface can be controlled to be convexly curved toward a melt, even when growing a large-diameter single crystal.例文帳に追加

大口径の単結晶を育成する際にも、固液界面形状を融液側に凸面に制御可能としたＬＥＣ法による化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor crystal by which the reproducibility of crystal growth conditions is assured and a stable single crystal yield is obtained, in a single crystal pulling method using a liquid encapsulating agent (LEC method).例文帳に追加

液体封止剤を用いた単結晶引き上げ法（ＬＥＣ法）において、結晶成長条件の再現性を確保し、安定した単結晶歩留まりを得る化合物半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To make it possible in the LEC (liquid seal Czochralski) method to prevent the solid/liquid interface shape from bending concavely and to prevent polycrystal formation due to the evaporation of compound semiconductor elements from the surface of a crystal surface.例文帳に追加

ＬＥＣ法において、固液界面形状の凹面化及び結晶表面から化合物半導体元素の揮発による多結晶化を防ぐようにする。 - 特許庁

To provide a technique of obtaining a large diameter gallium phosphide single crystal by the liquid encapsulation Czochralski method (LEC) while preventing the occurrence of crack and polycrystallization.例文帳に追加

液体封止引上げ法（ＬＥＣ）により、割れおよび多結晶化の発生を防止して大口径のリンカガリウム単結晶を得る技術を提供することを目的とする。 - 特許庁