MBE layerとは 意味・読み方・使い方

A high concentration semiconductor layer 16 which turns into a source/drain region is epitaxially grown by MOCVD or MBE.例文帳に追加

次にソース／ドレイン領域となる高濃度の半導体層１６をＭＯＣＶＤ又はＭＢＥなどでエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The growth direction and composition distribution of the p-GaN layer 23 can be controlled with good accuracy by using an MBE technique.例文帳に追加

また、ＭＢＥ法を用いることにより、ｐ−ＧａＮ層２３の成長方向や組成分布を精度良く制御できる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF CONTROLLING MBE (MOLECULAR BEAM EPITAXY) DEVICE例文帳に追加

量子井戸構造、半導体レーザ、化合物半導体層を製造する方法及びＭＢＥ装置の状態を管理する方法 - 特許庁

To provide an MBE(molecular beam epitaxial) apparatus, which can increase the used rate of a molecular beam material, enhance crystallization and stabilize the growth conditions of a growth layer, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the apparatus.例文帳に追加

分子線材料の利用率を向上でき、結晶性を高めることができて、しかも、成長層の成長条件を安定させることができるMBE装置およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, an electron beam irradiated film 1a is formed on the CaF_2 buffer layer 3 by irradiating an electron beam to make a CuCl thin film grown with MBE method.例文帳に追加

さらに、ＣａＦ_２ｂｕｆｆｅｒ層３上に、電子線を照射しながらＣｕＣｌ薄膜をＭＢＥ法によって成長させ、電子線照射膜１ａを形成する。 - 特許庁

A substrate consisting of sapphire substrate, etc., is set on an MBE apparatus and is heated to a temperature lower than a growth temperature of the desired ZnO oxide semiconductor layer (S1).例文帳に追加

サファイア基板などからなる基板を、ＭＢＥ装置にセッティングし、目的とするＺｎＯ系酸化物半導体層の成長温度より低温度に昇温する（Ｓ１）。 - 特許庁

A single quantum well structure 10 is produced by successively laminating an AlGaAs lower barrier layer 2, an AlGaAsN well layer (light- emitting layer) 3, and an AlGaAs upper barrier layer 4 upon a GaAs substrate 1 by the MBE method using NH_3 as an N source and an As_2 molecular beam as an As molecular beam source.例文帳に追加

Ｎ源としてＮＨ_3を用い、Ａs分子線源としてＡs_2分子線を用いたＭＢＥ法によって、ＧaＡs基板１上に、ＡlＧaＡs下部バリア層２、ＡlＧaＡsＮ井戸層(発光層)３、ＡlＧaＡs上部バリア層４を、順次積層して単一量子井戸構造１０を作製する。 - 特許庁

The nitride semiconductor layer 17 is formed, for example, by growing GaN added with Eu and Mg on the nitride semiconductor layer 16 by MBE method using NH_3 as a nitrogen source.例文帳に追加

窒化物半導体層１７の形成は、たとえば、窒化物半導体層１６上に、ＮＨ_３を窒素源として用いたＭＢＥ法によりＥｕ及びＭｇが添加されたＧａＮを成長させることにより行う。 - 特許庁