METALORGANICとは 意味・読み方・使い方

METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD, METALORGANIC VAPOR DEPOSITION DEVICE, PROGRAM, RECORDING MEDIUM, SEMICONDUCTOR LASER PRODUCTION METHOD, SURFACE EMITTING LASER, OPTICAL SCANNER, IMAGE FORMING APPARATUS, OPTICAL TRANSMISSION MODULE, AND OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM例文帳に追加

有機金属気相成長法、有機金属気相成長装置、プログラム、記録媒体、半導体レーザ製造方法、面発光レーザ、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム - 特許庁

A GaN semiconductor layer 2 is formed on the GaN monocrystal board 1 by a metalorganic chemical vapor deposition method.例文帳に追加

このＧａＮ単結晶基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element manufacturing method comprises a first step of forming a ground layer on a substrate at a first metalorganic chemical vapor deposition apparatus, and a second step of sequentially laminating a first n-type semiconductor layer, a second n-type semiconductor layer, a light-emitting layer and a p-type semiconductor layer on the ground layer at a second metalorganic chemical vapor deposition apparatus.例文帳に追加

第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に下地層を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記下地層上に第一ｎ型半導体層、第二ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 - 特許庁

A metal film formed by spraying a metalorganic chelate liquid is hard, abrasion-resistant, lightfast, and aging-resistant, protects the luminous paint-coated surface, and prevents the collection of stains.例文帳に追加

金属有機キレート液の吹き付けにより出来た金属膜は硬質で耐磨性であり、耐光性、耐老化性もあり、蓄光性塗装面を保護すると共に汚れの付着を予防する。 - 特許庁

To provide a method of growing selective area by metalorganic chemical vapor deposition, which can obtain a selective area growth layer having a surface with high flatness and uniform composition.例文帳に追加

表面が高い平坦度を有し、組成が均一な選択領域成長層を得ることのできる有機金属化学気相蒸着法による選択領域成長方法を提供する。 - 特許庁

To regularly appropriately control thin film growth temperature on a substrate by rapidly changing, when the composition of raw material gas to be introduced to an MOCVD (metalorganic chemical vapor deposition) device is changed, the surface temperature of a counter plate in response thereto.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ装置に導入される原料ガスの組成が変更された場合に、迅速に対向板の表面温度をこれに応じて変化させることでき、基板上の薄膜成長温度を常に適正に制御することができるようにする。 - 特許庁

To realize a ferroelectric capacitor including a strontium bismuth tantalate film having high remnant polarization density even with a thickness of 100 nm or thinner by the MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) method, especially the ferroelectric capacitor having a three-dimensional structure.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法により、１００ｎｍ以下の膜厚においても高い残留分極密度を有するタンタル酸ストロンチウムビスマス膜を備えた強誘電体キャパシタ、特に立体的な構造を有する強誘電体キャパシタを実現できるようにする。 - 特許庁