Plating voidとは 意味・読み方・使い方

A plating film free from void is formed by plating while rotating the fixed base 31 in one direction and the reverse direction to rock the plating liquid in the plating chamber 18 to eliminate air stuck on the member 51 to be plated.例文帳に追加

固定台３１を一方向および逆方向に回転させながらめっき処理を行えば、めっき室１８内のめっき液を揺らして被めっき部材５１に付着している空気を排除するので、空洞のないめっき膜を形成することが可能となる。 - 特許庁

To prevent a production of a void which is formed when embedding a conductor member in a through hole having a high aspect ratio with a plating method.例文帳に追加

アスペクト比の大きいスルーホール内にメッキ法で導体部材を埋め込際に生じるボイドの発生を防止するものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tape carrier for a semiconductor device which can fill a via hole by copper plating without generating a void even if high speed plating by high current is performed.例文帳に追加

高電流による高速めっきを行っても、ボイドを生じることなくビアホールを銅めっき充填可能な半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plating method wherein a copper layer is embedded in an opening having a large aspect ratio without forming a void therein.例文帳に追加

アスペクト比の高い開口部内に空隙を形成することなく銅層を埋め込むことの可能な電気めっき方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of filling plating in a through-hole of a silicon wafer having the through-hole without any overhang shape and any internal void.例文帳に追加

貫通孔を有するシリコンウエハの貫通孔にオーバーハング形状や内部ボイドがなくめっきを充填する方法を提供すること。 - 特許庁

Thereby, it is possible to prevent that a void generated by plating treatment stays in a recessed part formed on the semiconductor wafer W.例文帳に追加

これにより、めっき処理に伴って発生するボイドが、半導体ウェハＷ上に形成された凹部内に滞留することを抑止できる。 - 特許庁

Thereafter, a plating film 16 is formed which is turned to the metallic microstructure by depositing a metal inside the void 15 by electroforming.例文帳に追加

その後、電鋳により空隙１５内に金属を析出させることにより、金属微細構造体となるめっき膜１６を形成する。 - 特許庁

Even if bending etc., are thereafter performed, the void parts 14 exist in the tin plating film 13 and therefore, the external stress is released.例文帳に追加

その後に曲げ加工等が行われても、錫めっき膜１３中に空隙部１４が存在しているため、外部応力が緩和される。 - 特許庁