「Plating void」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Consequently, when electrolytic plating using the seed layer 35a is performed, the frontage is closed before the plating layer is buried in the via hole 33 to avoid the formation of a void.例文帳に追加

これにより、そのシード層３５ａを用いた電解めっき時に、ビアホール３３内がめっき層で埋まる前にその間口が塞がってボイドが発生するのを回避する。 - 特許庁

To provide copper foil having a good etching property without substantially generating a void even when fusing processing for a tin plating layer is performed.例文帳に追加

スズめっき層をフュージング処理しても実質的にボイドが発生せず、且つエッチング性が良い銅箔を提供すること。 - 特許庁

A plating film free from void is formed by plating while rotating the fixed base 31 in one direction and the reverse direction to rock the plating liquid in the plating chamber 18 to eliminate air stuck on the member 51 to be plated.例文帳に追加

固定台３１を一方向および逆方向に回転させながらめっき処理を行えば、めっき室１８内のめっき液を揺らして被めっき部材５１に付着している空気を排除するので、空洞のないめっき膜を形成することが可能となる。 - 特許庁

To prevent a production of a void which is formed when embedding a conductor member in a through hole having a high aspect ratio with a plating method.例文帳に追加

アスペクト比の大きいスルーホール内にメッキ法で導体部材を埋め込際に生じるボイドの発生を防止するものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tape carrier for a semiconductor device which can fill a via hole by copper plating without generating a void even if high speed plating by high current is performed.例文帳に追加

高電流による高速めっきを行っても、ボイドを生じることなくビアホールを銅めっき充填可能な半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plating method wherein a copper layer is embedded in an opening having a large aspect ratio without forming a void therein.例文帳に追加

アスペクト比の高い開口部内に空隙を形成することなく銅層を埋め込むことの可能な電気めっき方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of filling plating in a through-hole of a silicon wafer having the through-hole without any overhang shape and any internal void.例文帳に追加

貫通孔を有するシリコンウエハの貫通孔にオーバーハング形状や内部ボイドがなくめっきを充填する方法を提供すること。 - 特許庁

Thereby, it is possible to prevent that a void generated by plating treatment stays in a recessed part formed on the semiconductor wafer W.例文帳に追加

これにより、めっき処理に伴って発生するボイドが、半導体ウェハＷ上に形成された凹部内に滞留することを抑止できる。 - 特許庁

Thereafter, a plating film 16 is formed which is turned to the metallic microstructure by depositing a metal inside the void 15 by electroforming.例文帳に追加

その後、電鋳により空隙１５内に金属を析出させることにより、金属微細構造体となるめっき膜１６を形成する。 - 特許庁

Even if bending etc., are thereafter performed, the void parts 14 exist in the tin plating film 13 and therefore, the external stress is released.例文帳に追加

その後に曲げ加工等が行われても、錫めっき膜１３中に空隙部１４が存在しているため、外部応力が緩和される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that achieves void-free embedding in a process of directly plating on an Ru barrier.例文帳に追加

Ｒｕバリア上にダイレクトにめっきするプロセスにおいて、ボイドフリーの埋め込みを実現する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plating film is grown from the bottom of the hole 18 to fill the hole 18 with a conductor, thereby obtaining a plug 20 in which a void is hardly formed.例文帳に追加

ホール１８の底部からめっき膜が成長することによってホール１８を導電体で埋め込み、ボイド等の生じにくいプラグ２０を得る。 - 特許庁

Thereby, in forming a barrier metal film 4 by sputtering, the barrier metal film can be certainly formed on a side wall of the wiring groove 3a, and plating of a copper film 5 can be formed without causing a void.例文帳に追加

スパッタでバリアメタル膜４を形成する際に配線用溝３ａの側壁にも確実に形成でき、銅膜５のメッキをボイドなしに形成できる。 - 特許庁

Deposition of high aspect ratio feature having no void or no joint line is attained by optimizing electric pulse amplitude and time width in a pulse plating waveform.例文帳に追加

高アスペクト比フィーチャのボイドの無い、又継ぎ目のない堆積は、電気パルス振幅、及びパルスめっき波形内の時間幅を最適化することによって達成される。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which a recess, e.g. a via hole, can be filled well with a Cu film by plating while eliminating void by preventing aggregation of a seed Cu film becoming a plating electrode.例文帳に追加

メッキ法により、ビアホール等の凹部にＣｕ膜を埋め込む際、メッキ電極となるシードＣｕ膜の凝集を防止し、ボイドの無い、良好な埋め込みを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An objective is dipped into a pretreating solution for void-free copper plating containing at least one kind of leveller selected from the group consisting of a surfactant, a chloride and a nitrogen organic compound, is washed by water and is thereafter applied with electrolytic copper plating by a copper plating solution which does not contain surfactants.例文帳に追加

界面活性剤、塩化物、窒素系有機化合物よりなる群から選ばれたレベラーの少なくとも一種を含有するボイドフリー銅メッキ用の前処理液に浸漬し、水洗した後、界面活性剤を含有しない銅メッキ液で電気銅メッキを施すボイドフリー銅メッキ方法である。 - 特許庁

To prevent a void from being generated even if a magnetic pole part of a magnetic recording head is manufactured by plating and damascene method of a magnetic material buried in a recessed part provided at an insulation layer.例文帳に追加

磁気記録ヘッドの磁極部を絶縁層に設けた凹部に埋設した磁性材料のめっきとダマシン法によって製造してもボイドが発生する不具合を防ぐ。 - 特許庁

To provide a plating method and a plating device capable of increasing limiting current to improve the deposition rate of metallic ion and particularly suitable for infilling the inside of deep holes or grooves formed on the surface of a substrate to be plated with a metal plating film without causing a void inside which is formed by the clogging of an inlet.例文帳に追加

限界電流を増加させ金属イオンの析出速度を向上させることができ、特に被めっき基板の表面に形成された深い穴や溝に対して、入り口の閉塞により内部に空隙が生じさせないで、内部を金属めっき膜で埋めるのに好適なめっき方法及びめっき装置を提供する。 - 特許庁

As a result of this fact, carrying out the partial plating 6 makes it becomes possible to suppress poor solder wetting, a void rate increase or the like, and to raise the reliability of the soldering.例文帳に追加

このため、部分メッキ６を施すことにより、はんだ濡れ不良やボド率増加などを抑制することが可能となり、はんだ付け部の信頼性を向上させることが可能となる。 - 特許庁

The preliminary adsorption of the novel benzotriazole or triazolopyridine adduct by treatment with a solution containing the compound makes it possible to ensure good leveling property and to prevent the void formation on a copper plating.例文帳に追加

新規のベンゾトリアゾール系又はトリアゾロピリジン系付加物を含む前処理液で予備吸着することで、銅メッキ皮膜のレベリング性を良好に確保し、ボイドを有効に防止できる。 - 特許庁

The method of manufacturing the non-shrinking ceramic substrate includes: a step of preparing a ceramic laminate 100 having a via electrode 110 formed therein; a step of firing the ceramic laminate 100; and a step of performing plating to fill the void generated in the step of firing the ceramic laminate with a plating material to form a plating part 150.例文帳に追加

本発明の無収縮セラミック基板の製造方法は、ビア電極部１１０が形成されたセラミック積層体１００を設ける段階と、セラミック積層体１００を焼成する段階と、前記焼成する段階で発生したボイドをメッキ物質で充填してメッキ部１５０を形成するようにメッキ工程を行う段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a formation method for a recording magnetic pole by which ruthenium oxide caused on a surface of a ruthenium seed layer for plating is converted to ruthenium metal, thereby the occurrence of void defect and layer-peel-off on a recording magnetic pole plating-formed by using the ruthenium seed layer is suppressed.例文帳に追加

鍍金用のルテニウムシード層の表面に生じるルテニウム酸化物をルテニウム金属に変換して、そのルテニウムシード層を用いて鍍金形成された記録磁極にボイド欠陥および層剥離が生じることを抑制することが可能な記録磁極の形成方法を提供する。 - 特許庁

To form a wiring by filling micro recesses made in a semiconductor substrate efficiently with a plating metal through a simple process while suppressing void and contamination.例文帳に追加

簡単な工程で、半導体基板に形成された微細窪みにボイドや汚染の少ないめっき金属を効率良く充填して、配線を形成することができる基板めっき装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problems of a conventional multilayer wiring board having vias formed by plating and a defect liable to exfoliate partially, or to form a void internally.例文帳に追加

めっきによって形成されたヴィアであって、一部が剥離するおそれのあるヴィア、或いは内部にボイドが形成されるおそれのあるヴィアを具備する従来の多層配線基板の課題を解消する。 - 特許庁

To provide a catalytic treatment liquid, which is used for protecting the surface of copper wiring with a protective coating of an alloy containing phosphorus, without causing void inside the copper wiring, and to provide an electroless plating method.例文帳に追加

銅配線の表面を該銅配線の内部にボイドを生じさせることなく、リンを含有する合金の保護膜で保護するのに使用される触媒処理液及び無電解めっき方法を提供する。 - 特許庁

By interposing the metal plating layer 60 excellent in thermal conductivity between the semiconductor element 10 and the solder layer 30, heat from the semiconductor element 10 positioned above a void K can be transmitted excellently to the substrate 20, when the unexpected void k is formed in a part of the solder layer 30.例文帳に追加

このように半導体素子１０と半田層３０との間に熱伝導性の良い金属メッキ層６０を介在させることにより、半田層３０の一部に意図しないボイドＫが形成されている場合にも、そのボイドＫの上方に位置する半導体素子１０からの熱を基板２０へよく伝えることができる。 - 特許庁

To provide a composite material in which a metal or the like is filled into a non-through hole formed in a silicon surface layer without forming any void by using a plating method, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

シリコン表面層に形成された非貫通孔内に、めっき法を用いて金属等が空隙を形成することなく充填されている複合材料と、その複合材料の製造方法を提案する。 - 特許庁

Then the void parts included in the molded body 34 are infiltrated with the resin filler 36 so as to cure the same, and thereafter forming a composite plating layer 38 on the surface of the molded body 34.例文帳に追加

次に、この成形体３４中に介在する空隙部分に樹脂充填剤３６を含浸させてこれを硬化させた後、成形体３４の表面に複合めっき層３８を形成することによって得られる。 - 特許庁

In the semiconductor device having a constitution where the Ni plating layer 20 of the semiconductor chip is bonded to solder 6b, a void 25 is provided in the Al electrode 19 at a position on th upper side of the contact hole 18.例文帳に追加

このような構成の半導体チップのＮｉメッキ層２０と半田６ｂとを接合した半導体装置において、Ａｌ電極１９のうち、コンタクトホール１８の上側に位置する部位に、空孔２５を設けた構造とする。 - 特許庁

To provide a plating process for applying a copper film, or the like, onto a semiconductor wafer, or the like, which well embeds a concave part on a substrate, improves the film-forming speed and inhibits void generation and surface roughness in the plated film.例文帳に追加

半導体ウェハ等に銅膜等をめっき処理するに際し、被処理体上の凹部の埋め込み性に優れ、成膜速度を向上でき、しかも、めっき膜中のボイド発生及び表面荒れを防止めっき方法を提供する。 - 特許庁

Plating 4 is radially grown at the center of a projection 3 between the semiconductor element 1 and a metal plate 2, so that the semiconductor element 1 and the metal plate 2 can be surely bonded without void in the bonding section therebetween.例文帳に追加

半導体素子１と金属板２との間において、突起３を中心に放射状にメッキ４が成長する構成としたことにより、半導体素子１と金属板２との接合部分にボイドが発生することがなく、確実に接合することができる。 - 特許庁

To provide a technology for forming a fine circuit wiring having a superior embedding property of copper and a high electrical reliability on a substrate provided with a fine circuit pattern for an electronic circuit such as a silicon wafer, without producing defects such as a seam void in a channel, by electroless copper plating.例文帳に追加

微細な回路パターンが設けられたシリコンウェハ等の電子回路用基板に対し、無電解銅めっきにより溝内部にシームボイド等の欠陥が生じることがなく、優れた銅の埋め込み性と高い電気信頼性を有する微細回路配線を形成する技術を提供すること。 - 特許庁

To widen a hole fillable range which is free of the formation of a void as to a build-up substrate which has a blind via hole of 0.5 to 150 μm in hole diameter, 2 to 100 μm in depth, and ≤6 in aspect ratio (depth/hole diameter) and is formed through a process of filling the blind via hole by electric copper plating.例文帳に追加

穴径が０．５〜１５０μｍ，深さ２〜１００μｍ，アスペクト比（深さ／穴径）が６以下のブラインドビアホールを有し、そのブラインドビアホールを電気銅めっきにより穴埋めする工程を経て作られるビルドアップ基板において、電流密度を低下させずに、ボイドの発生がない穴埋め可能範囲を広げる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for electric power by which a stabilized solder layer thickness can be realized without producing cavities such as void, etc., the durability be improved, no plating or solder resist processing is needed so as to reduce the produciton cost, and no cleaning step using an organic solvent, etc., is needed.例文帳に追加

ボイド等の空洞が発生せずに安定したハンダ層厚が得られ、耐久性の向上が図れると共に、メッキ処理やハンダレジスト処理を不要とし、生産コスト低減が図れ、さらには有機溶剤等による洗浄工程も不要とした電力用半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Even when a void is produced between the side wall 5 and the internal electrode 4 and an electrode base layer 9 does not sufficiently adhere to a boundary between the side wall 5 and the internal electrode 4 by the anti-corrosion layer 15, corrosion of the internal electrode 4 in an electrolytic plating step can be prevented from occurring by the anti-corrosion layer 15 between the internal electrode 4 and the side wall 5.例文帳に追加

この腐食防止層１５により、たとえ側壁５と内部電極４との間に隙間が生じ、側壁５と内部電極４との境界部分に電極下地層９が十分に付着しなくとも、内部電極４と側壁５との間の腐食防止層１５により、電解メッキ処理工程における内部電極４の腐食を抑制することができる。 - 特許庁

The compound material filled with high precision, in other word, in which any void is hardly formed, can be obtained by filling a non-penetrating hole formed from a surface of silicon 100 is substantially filled with second metal or alloy 106 of the second metal by using autocatalytic electroless plating method while first metal located at a bottom of the non-penetrating hole functions as a starting point.例文帳に追加

シリコン１００の表面から形成された非貫通孔の底部に位置する第１金属が起点となって、その非貫通孔が、自己触媒型無電解めっき法を用いた実質的に第２金属又は前記第２金属の合金１０６により充填されることにより、高精度に充填された、換言すれば、空隙の形成されにくい複合材料が得られる。 - 特許庁