Self Alignとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for forming simply and conveniently a first wiring pattern including patterns of less than resolution limit in a first wiring pattern formation region and a second wiring pattern comprised of usual patterns of more than or equal to resolution limit in a second wiring pattern formation region, by using an SADP method (Self Align Double Patterning) through two-time lithography steps is used to form.例文帳に追加

２回のリソグラフィ工程によるＳＡＤＰ法（Self Align Double Patterning）を用いて、第１配線パターン形成領域には解像限界未満のパターンを含む第１配線パターンを形成し、第２配線パターン形成領域には解像限界以上の通常パターンからなる第２配線パターンを簡便に形成する方法を提供する。 - 特許庁

With the gate electrode 106 as a mask for impurity ion implantation, a plurality of doped regions which self-align in correspondence with the group of slits 107 are formed in a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート電極１０６を不純物イオンの注入マスクとして、半導体基板１中に、スリット群１０７に対応して自己整合する複数の不純物注入領域を形成する。 - 特許庁

To provide a self-align patterning method for forming patterns capable of forming fine pitch patterns by overcoming the resolution limit of a photolithography process.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程での解像限界を克服し微細ピッチのパターンを実現可能なパターン形成のためのセルフアラインパターニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which contacts are surely separated with high insulation resistance even when using a self-align contact process.例文帳に追加

セルフアラインコンタクトプロセスを用いても、高い絶縁耐性でコンタクト間の分離を確実に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the reliability by retaining the protective performance of a gate insulating film through a sidewall insulating film when self align-contact structure is applied between lamination gate electrodes.例文帳に追加

積層ゲート電極間に自己整合的なコンタクト構造を適用した場合に、側壁絶縁膜によるゲート絶縁膜の保護性能を保持して信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such that, when a self-align contact is formed, a contact never comes into contact with parts where silicide is not formed in an extension region and a source drain region.例文帳に追加

セルフアラインコンタクトを形成する際に、エクステンション領域及びソースドレイン領域におけるシリサイド化されていない部分とコンタクトとが接触することがない半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The floating gates FG1 and FG2 and the control gate CG can be easily formed without using a self-align process, with a technical problem, in the direction of columns.例文帳に追加

フローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２及びコントロールゲートＣＧは、技術的課題のあるコラム方向におけるセルフアラインプロセスを用いずに簡単に形成することができる。 - 特許庁

To self-align to the gate structure of a field effect transistor, and prevent the occurrence of electric short-circuiting when a conductive stud is formed in a drain or source region.例文帳に追加

電界効果トランジスタのゲート構造に自己整合し、ドレイン領域またはソース領域に導電スタッドを形成する際に電気的短絡が発生するのを防止する。 - 特許庁