Si crystal surfaceとは 意味・読み方・使い方

A porous Si layer 2 having a thickness between 300 nm and 50 μm is formed under the surface of a single-crystal Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１の表面下に３００ｎｍ〜５０μｍの厚さのポーラスＳｉ層２が形成されている。 - 特許庁

The surface of an Si substrate 1 is supplied with nitrogen made into a plasma, so that by the surfactant effect of radical nitrogen, an AlN crystal layer 80 which is not lattice matched with Si crystal is formed on the surface of the Si substrate 1.例文帳に追加

次に、Ｓｉ基板１の表面にプラズマ化された窒素を供給して、ラジカル窒素のサーファクタント効果により、Ｓｉ基板１の表面上に、Ｓｉ結晶とは格子整合していないＡｌＮ結晶層８０を形成する。 - 特許庁

Crystal anisotropic etching is applied to the surface-to-be-etched of the Si substrate 1 through the opening of the etching mask layer 8, then, a recessed part 28 where the crystal orientation (100) surface of the Si substrate 1 is exposed is formed on the rear side of the Si substrate 1.例文帳に追加

エッチングマスク層８の開口部を通じて、Ｓｉ基板１の被エッチング面を結晶異方性エッチングにてエッチングし、Ｓｉ基板１の結晶方位＜１００＞面が露出した凹部２８をＳｉ基板１の裏面側に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which solves a problem caused by deterioration of conductivity on an Si crystal film caused by natural oxidization on a surface of the Si crystal film.例文帳に追加

Ｓｉ結晶膜の表面の自然酸化に起因したＳｉ結晶膜での導電性の低下によって生じる問題が解消された半導体装置を提供する。 - 特許庁

The Fe-Si group compound particle 11 has any one or both of a Si group membrane 12c for coating a part or the whole of a surface of the multi-crystal particle 12 with Si or SiO_2 and a Si atom forming solid solution inside a crystal particle of the multi-crystal particles.例文帳に追加

またＦｅ−Ｓｉ系化合物粒子１１は、多結晶粒子１２の表面の一部又は全部をＳｉ又はＳｉＯ_２により被覆するＳｉ系膜１２ｃ、或いは前記多結晶粒子の結晶粒内に固溶されたＳｉ原子のいずれか一方又は双方を有する。 - 特許庁

Concretely, the total area S_{100} of the {100} crystal surface in the crystal surface of each crystal grain appearing on the main surface of the polycrystalline Si substrate is set to be 10 to 50% of the total area S_0 of the substrate surface.例文帳に追加

具体的には、多結晶Ｓｉ基板の主面に現れる個々の結晶粒の結晶面のうち、｛１００｝結晶面の総面積（Ｓ_｛１００｝）を、基板面の総面積（Ｓ_０）の１０％以上５０％未満とする。 - 特許庁

By adding a Si raw material 35 to the SiC raw material 32, the vapor pressure of Si in the raw material gas increases, which reduces a ratio (C/Si) of C to Si of the raw material gas on the crystal growth surface.例文帳に追加

このときＳｉＣ原料３２にＳｉ原料３５を添加すると、原料ガスにおけるＳｉの蒸気圧が高くなり、結晶成長面における原料ガスのＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）は小さくなる。 - 特許庁

In the growth method of the 3C-SiC crystal, the (111) surface of the 3C-SiC crystal is subjected to epitaxial vapor growth almost parallel on the (110) surface of an Si crystal substrate.例文帳に追加

Ｓｉ結晶基板の（１１０）面上に３Ｃ−ＳｉＣ結晶の（１１１）面を略平行にエピタキシャル気相成長させる３Ｃ−ＳｉＣ結晶の成長方法である。 - 特許庁