Si-Al-Oとは 意味・読み方・使い方

The porcelain to be fired at a low temperature is Ba-Ti-Zn-O system, Ba-Nd-Ti- Bi-O system or Ba-Al-Si-O system porcelain.例文帳に追加

低温焼成磁器が、Ｂａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｂａ−Ｎｄ−Ｔｉ−Ｂｉ−Ｏ系またはＢａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ系の磁器である。 - 特許庁

Each compound layer contains one or more kinds of elements selected from the groups consisting of the group 4a, 5a and 6a elements in the Periodic Table, Al, Si and B and one or more kinds of elements selected from B, C, N and O as the main components.例文帳に追加

各化合物層は、周期律表4a、5a、6a族元素、Al、Si、Bからなる群の中から選択される１種以上の元素とB、C、NおよびOから選択される１種以上の元素とを主成分とする。 - 特許庁

The oxynitride particle boundary phase 4 comprises a crystal phase containing MnSiN2, at least one element 13 of aluminum(Al), yttrium(Y), and silicon(Si), and an amorphous phase 14 containing manganese(Mn), oxygen(O), and nitrogen(N).例文帳に追加

酸窒化物粒界相４にはMnSiN_2を含む結晶相１２と、アルミニウム（Al），イツトリウム（Y ），珪素（Si）の内の少くとも１つの元素１３と、マンガン（Mn），酸素（O ），窒素（N ）を含む非晶質相１４とが含まれる。 - 特許庁

The glass possessing corrosion resistance to fluorine-containing plasma is composed of a first glass phase consisting of Si and O, and a second glass phase consisting of Si, Al and O.例文帳に追加

フッ素を含むプラズマに対して耐食性を備えるガラスは、ＳｉおよびＯからなる第１のガラス相と、Ｓｉ、ＡｌおよびＯからなる第２のガラス相とからなる。 - 特許庁

Moreover, the layer of Al_2O_3 is made to include the supplementary layer of at least one layer containing Al, Si and O.例文帳に追加

さらに、Ａｌ_２Ｏ_３層は、Ａｌ、Ｓｉ及びＯを含有する少なくとも１層の副層を含む。 - 特許庁

Preferably, the steel sheet contains 30 to 50% Ni, ≤0.50% Mn and 0.01 to 0.03% Al, and the balance Fe with impurities, and, in the above impurities, the content of C is controlled to ≤50 ppm, Si to ≤0.03%, 0 to ≤20 ppm, S to ≤10 ppm and N to ≤20 ppm.例文帳に追加

好ましくは、質量比で、Ni:30〜50%、Mn:0.50%以下、Al:0.01〜0.03%を含み、残部Feおよび不純物からなり、前記不純物のうち、C:50ppm以下、Si:0.03%以下、O:20ppm以下、S:10ppm以下、N:20ppm以下の薄板とする。 - 特許庁

A solid solution of W and Ti being the second component elements is formed on cordierite containing Mg, Al, Si and O as constituent elements.例文帳に追加

Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｏを構成元素とするコーディエライトに、Ｗ、Ｔｉを第二成分元素として固溶させる。 - 特許庁

A first high-resistance layer 22A comprising cadmium oxide (Gd-O) is formed in a storage layer 20, together with a second high-resistance layer 22B comprising aluminum oxide (Al-O) or silicon oxide (Si-O).例文帳に追加

記憶層２０に、酸化ガドリニウム（Ｇｄ−Ｏ）よりなる第１高抵抗層２２Ａと、酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏ）または酸化シリコン（Ｓｉ−Ｏ）よりなる第２高抵抗層２２Ｂとを設ける。 - 特許庁