TO GaNとは 意味・読み方・使い方

To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.例文帳に追加

GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁

On a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 12, an InGaN/GaN active layer 14, a p-type GaN layer 16, and a transparent electrode layer 18 are stacked to constitute a light-emitting diode.例文帳に追加

sapphire基板１０の上にｎ型GaN層１２、InGaN/GaN活性層１４、ｐ型GaN層１６、透明電極層１８を積層して発光ダイオードを構成する。 - 特許庁

To provide a relatively convenient direct bonding method of GaN/GaN in which even the bonding surfaces of GaN having protrusions and recesses can be bonded directly.例文帳に追加

たとえ凹凸を有するGaN接合表面同士の直接接合でも可能とする比較的簡便なGaN/GaNの直接接合方法を提供することである。 - 特許庁

Title: Fukyoakushu no gan (no return to the three evil worlds)発音を聞く 例文帳に追加

願名…不更悪趣の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Nenbutsuojo no gan (the vow to pass away peacefully and be reborn in Paradise through invocation of Amitabha), Senchakuhongan, Hongansanshin no gan, Shishinshingyo no gan and Ososhinjin no gan発音を聞く 例文帳に追加

願名…念仏往生の願・選択(仏教)本願・本願三心の願・至心信楽の願・往相信心の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the transparent electrode layer 18, p-type GaN layer 16, InGaN/GaN active layer 14, and n-type GaN layer 12, many holes 24 which extend almost perpendicularly to those layers are formed periodically in two dimensions.例文帳に追加

透明電極層１８、ｐ型GaN層１６、InGaN/GaN活性層１４、ｎ型GaN層１２に、これらの層にほぼ垂直な方向に延びる多数の空孔２４を２次元周期的に形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a gate electrode having gate length not more than a lithography limit, to provide a method of manufacturing AlGaN/GaN-HEMT having good high-frequency characteristics, and to provide AlGaN/GaN-HEMT.例文帳に追加

リソグラフィ限界以下のゲート長を有するゲート電極の形成方法、及び高周波特性のよいAlGaN/GaN-HEMTの製造方法及びAlGaN/GaN-HEMTを提供する。 - 特許庁