Tensile strainとは 意味・読み方・使い方

The rupture strain judgment member 3 has two functions of a tensile strain judgment member 3a for detecting the tensile strain of the structure by changing the shape of the stiffening member 5 and a compression strain judgment member 3b for detecting a compression strain.例文帳に追加

また、破断ひずみ判定部材３は、補剛部材５の形状を変えることで、構造物の引張ひずみを検知する引張ひずみ判定部材３ａと、圧縮ひずみを検知する圧縮ひずみ判定部材３ｂの２つの機能を有する構成としている。 - 特許庁

The living body ornament is provided with a metallic part consisting of a Ti-Mo based alloy in which tensile elastic limit strain defined as tensile strain applied when permanent strain reaches 0.2% in a tensile test is ≥1.6%, and specific density is ≤5.5.例文帳に追加

引張試験で永久歪みが０．２％に達したときに加えられていた引張歪みとして定義される引張弾性限歪みが、１．６％以上であり、比重が５．５以下のＴｉ−Ｍｏ系合金からなる金属部を備える生体装飾品とする。 - 特許庁

The arithmetic processing unit 7 stores the strain measured by the strain measuring instrument 6, and compares strain measured last time with strain measured this time always or with every specific time, and detects separation of the reinforcing material 31 by detecting a state of changing to compression strain from tensile strain.例文帳に追加

演算処理装置７は、歪み計測器６により計測された歪みを記憶し、常時あるいは一定時間毎に前回計測時の歪みと今回計測された歪とを比較し、引張り歪みから圧縮歪みに変化した状態を検出することにより補強材３１が剥離したことを検知する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that mainly has tensile strain or compression strain only in channel direction, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

主としてチャネル方向のみに引っ張り歪あるいは圧縮歪を有する半導体装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The first layer is formed on an amorphous layer, contains aluminum nitride and has a compressive strain or a tensile strain.例文帳に追加

前記第１層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。 - 特許庁

To accurately calculate a relationship between a strain velocity and a breaking strain, even under such conditions that may cause necking during a tensile test on a test piece.例文帳に追加

試験片に対する引張試験を行う際にネッキングが発生しうる条件においても、歪み速度と破断歪みとの関係を正確に算出する。 - 特許庁

When the wire 100 is wound around a core material of a radius r_f at a spiral pitch P, tensile strain ε_t at an optional point in the strain region is obtained.例文帳に追加

半径r_fの芯材にスパイラルピッチPで線材100を巻回した際、歪領域内の任意点での引張歪みε_tを求める。 - 特許庁

By relaxing the compression strain of the compression-strained semiconductor layer 12, tensile strain is applied to the non-strained semiconductor layer 13.例文帳に追加

圧縮歪半導体層１２の圧縮歪を緩和させることにより、無歪半導体層１３に伸張歪を印加する。 - 特許庁