ULTRA-Xとは 意味・読み方・使い方

To provide an analyzing method of the orientation based on ultra-small-angle X-ray scattering measurements capable of easily and accurately evaluating the crystallinity of the orientation sample, by using an X-ray small-angle measuring device of a laboratory level.例文帳に追加

実験室レベルのＸ線小角測定装置を用いて配向性試料の結晶性を簡単且つ正確に評価できる超小角Ｘ線散乱測定に基づく配向度の解析方法を提供する。 - 特許庁

To provide an X-ray source in which such difficulty that operation is necessary in the ultra-high vacuum is overcome in the X-ray source, which has a simple structure without filaments and has a field emission type electron emission source having advantages such as that high quality X-ray emission can be made.例文帳に追加

フィラメントのない簡便な構造を持ち、高品質のＸ線放出が可能となる等の長所を有する電界放出型の電子放出源を有するＸ線源において、超高真空での動作が必要不可欠という難点を克服したＸ線源を提供する。 - 特許庁

To provide an X-ray generating device equipped with a function to adjust pulse laser to control X-ray intensity selectively, especially of a necessary specific wavelength in a device generating X-ray by applying ultra short light pulse laser or the like to a target.例文帳に追加

超短光パルスレーザなどをターゲットに照射してＸ線を発生させる装置において、Ｘ線の強度、特に必要とする特定波長のＸ線強度を選択的に制御するようにパルスレーザを調整する機構を備えたＸ線発生装置を提供する。 - 特許庁

Ionization sources 4 such as soft X-ray, low energy electron beam, a generation part of ultra-violet ray or surface creepage or sealed radioisotope are arranged inside a chamber 1.例文帳に追加

軟Ｘ線、低エネルギー電子線、紫外線又は沿面放電の発生部、あるいは密封放射性同位元素などのイオン化源４を、チャンバ１の内部に配置する。 - 特許庁

To enable an ultra-fine element structure to be manufactured by a lithography method and an ion etching method by manufacturing an electron beam aligner with a linear high density electron beam source or an X-ray aligner with a linear high brightness X-ray source.例文帳に追加

線状高密度電子線源を有する電子線露光装置、あるいは、線状高輝度Ｘ線源を有するＸ線露光装置を作製することにより、超微細な素子構造を、リソグラフィ法およびイオンエッチング法により作製可能とすること。 - 特許庁

The method grows a GeSi1-X/Ge epitaxial layer on a Si substrate by the ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) method to finally form a ZnSe thin film on a Ge buffer layer.例文帳に追加

本発明の方法においては、超高真空化学気相成長法（ＵＨＶＣＶＤ）を用いることによりＳｉ基板上にＧｅＳｉ１−Ｘ／Ｇｅエピタキシャル層を成長させ、最終的にＧｅバッファ層上にＺｎＳｅ薄膜が形成される。 - 特許庁

In the limonite, the limonite-containing material which contains the limonite and the limonite-containing concrete which contains the limonite, the limonite has acquired a reflective strength at a plane index (110) in X-ray diffraction which is stronger than that at a plane index (111) by a treatment wherein a raw limonite is dried while being irradiated with an ultra-violet light.例文帳に追加

リモナイト及びこのリモナイトを含有するリモナイト含有材並びにリモナイト含有コンクリートでは、リモナイトは、紫外線を照射しながら乾燥させることにより、Ｘ線回折における面指数（１１０）での反射強度を面指数（１１１）の反射強度より大きくする。 - 特許庁

By using these devices, the structure of a molding mask is transferred to a sample upper surface highly precisely by casting parallel electron beam flux or parallel X-ray flux on an entire of a sample through a mold mask, and thereby various electronic elements having an ultra-fine structure can be manufactured.例文帳に追加

これらの装置を用い、型マスクを通して、試料全体に均一に平行電子線束、あるいは、平行Ｘ線束を照射して、型マスクの構造を試料上面に高精度に写しとることにより、超微細構造を持つ各種電子素子の製作が可能となった。 - 特許庁